日本セミラボ株式会社 結晶欠陥分析装置(非接触、非破壊式)

結晶欠陥分析装置(非接触、非破壊式)

ウェハーを割らずにそのままで測定可能です。

基本情報結晶欠陥分析装置(非接触、非破壊式)

結晶欠陥分析装置 SIRM-300は、非接触、非破壊にて結晶欠陥測定が可能な光学測定器です。
様々なバルク特性解析(バルク/半導体ウェハーの表面付近の酸素、金属 堆積物、空乏層、積層欠陥、スリップライン、転位)が可能です。

価格情報 -
納期 お問い合わせください
型番・ブランド名 SIRM300
用途/実績例 - 非破壊なのでサンプルを無駄にしません
- ウェハー裏面の状態を問いません
- 高ドープウェハーの測定が可能です (epiの場合: 3mΩcm)
- パーティクル検出限界: 20nm
- 300mmまでのウェハー測定可能
- 自動ウェハー搬送(エッジグリップハンドリング)
- レーザーマーキングオプション

取扱企業結晶欠陥分析装置(非接触、非破壊式)

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日本セミラボ株式会社 新横浜本社

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