日本セミラボ株式会社 結晶欠陥測定装置 (光散乱断層撮影式)
- 最終更新日：2020-07-17 08:56:43.0
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結晶欠陥測定装置 (光散乱断層撮影式)
シリコンウェハーの結晶欠陥が高速測定可能。
基本情報結晶欠陥測定装置 (光散乱断層撮影式)
LSTは、CCDカメラを使用し、切断されたウェハーサンプル断面の結晶欠陥を測定します。
| 価格情報 | - |
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| 納期 | お問い合わせください |
| 型番・ブランド名 | LST |
| 用途／実績例 | - ひとつのイメージからのDZ鑑定 - 高速なウェハー断面に沿った濃度分布測定 - 深さ方向分解能: 0.5μm - 表面から深さ0.5μm以内のパーティクル検知が可能 - 全自動操作(ウェハー搬送含む) - 測定可能最大ウェハーサイズ: 12インチ - 全ウェハー断面直径スキャン - イメージサイズ: 400μm x 2mm (測定時間: 40秒) - 測定面(断面)オートフォーカス |
取扱企業結晶欠陥測定装置 (光散乱断層撮影式)
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