一般財団法人材料科学技術振興財団 MST 【分析事例】トランジスタ(MOSFET)の拡散層分布評価

【分析事例】トランジスタ(MOSFET)の拡散層分布評価 http://www.ipros.jp/public/product/image/859/387108039/IPROS4375547200754625993.jpg 詳しいデータはカタログをご覧ください 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST 業務支援サービス > サービス > その他受託サービス -
SCMによる特定箇所の拡散層評価

市販LSI 内MOSFETのSCM分析事例を紹介します。まず、特定のトランジスタの断面を機械研磨で露出します。この時、Si面はnm オーダーまで平坦に研磨されています。SCM像では層の分布が二次元的に確認できます。定量的な議論はできませんが、濃度の大小関係を大まかに知ることもできます。また、拡散層のp/n極性も識別可能です。さらに、同一箇所のSEM観察を行い、SCM分析結果と画像合成を行うことで、拡散層と上部配線構造との位置関係を明確にできます。

基本情報【分析事例】トランジスタ(MOSFET)の拡散層分布評価

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用途/実績例 LSI・メモリの分析です
よく使用される業種 化学、樹脂・プラスチック、電子部品・半導体、試験・分析・測定、教育・研究機関

カタログ【分析事例】トランジスタ(MOSFET)の拡散層分布評価

【分析事例】トランジスタ(MOSFET)の拡散層分布評価

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