常温高密度プラズマCVD
常温高密度プラズマCVD http://www.ipros.jp/data/products/tmp/098172/003/img/cvd1.jpg 本装置は減圧炉内で、プラズマ放電により、成膜処理を行う装置です。 装置の構成は、プラズマソース、バイアス可能用ヒーター、真空排気から構成され、各操作はCPUコントロールで管理し、クラスタツール対応する事が出来ます。 【特長】 ◆大面積(将来の基板寸法550×670mm)の均一成膜が可能です ◆高密度プラズマによる低ダメージの為、常温(基板温度40〜60℃)で成膜可能です ◆プラスチック基板への成膜可能 ◆加熱・冷却機構不要 ◆屈折率可変 ◆同一チャンバー内で、SIN、SION、SIO2の成膜可能です。POLYMERも可能です ◆NF3を直接プロセスチャンバーに導入しクリーニング(ICPによって分解効率が95%以上の為、他の方式平行平板ECRと比較してフッ素の残渣がありません) 株式会社セルバック 製造・加工機械 > 半導体製造装置 > CVD装置 プラズマCVD -
  • 常温、高密度で成膜可能なプラズマCVD
    株式会社セルバック
    本装置は減圧炉内で、プラズマ放電により、成膜処理を行う装置です。
    装置の構成は、プラズマソース、バイアス可能用ヒーター、真空排気から構成され、各操作はCPUコントロールで管理し、クラスタツール対応する事が出来ます。

    【特長】
    ◆大面積(将来の基板寸法550×670mm)の均一成膜が可能です
    ◆高密度プラズマによる低ダメージの為、常温(基板温度40〜60℃)で成膜可能です
    ◆プラスチック基板への成膜可能
    ◆加熱・冷却機構不要
    ◆屈折率可変
    ◆同一チャンバー内で、SIN、SION、SIO2の成膜可能です。POLYMERも可能です
    ◆NF3を直接プロセスチャンバーに導入しクリーニング(ICPによって分解効率が95%以上の為、他の方式平行平板ECRと比較してフッ素の残渣がありません)
  • 常温高密度プラズマCVDの製品画像です
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基本情報常温高密度プラズマCVD

本装置は減圧炉内で、プラズマ放電により、成膜処理を行う装置です。
装置の構成は、プラズマソース、バイアス可能用ヒーター、真空排気から構成され、各操作はCPUコントロールで管理し、クラスタツール対応する事が出来ます。

【特長】
◆大面積(将来の基板寸法550×670mm)の均一成膜が可能です
◆高密度プラズマによる低ダメージの為、常温(基板温度40〜60℃)で成膜可能です
◆プラスチック基板への成膜可能
◆加熱・冷却機構不要
◆屈折率可変
◆同一チャンバー内で、SIN、SION、SIO2の成膜可能です。POLYMERも可能です
◆NF3を直接プロセスチャンバーに導入しクリーニング(ICPによって分解効率が95%以上の為、他の方式平行平板ECRと比較してフッ素の残渣がありません)

価格

-

価格帯

納期

発売日

取扱い中

型番・ブランド名

プラズマCVD

用途/実績例

有機EL用封止膜形成など

よく使用される業種

産業用電気機器、電子部品・半導体、試験・分析・測定、教育・研究機関、その他

カタログ常温高密度プラズマCVD

CVD

  • 本装置は減圧炉内で、プラズマ放電により、成膜処理を行う装置です。
    装置の構成は、プラズマソース、バイアス可能用ヒーター、真空排気から構成され、各操作はCPUコントロールで管理し、クラスタツール対応する事が出来ます。

    【特長】
    ◆大面積(将来の基板寸法550×670mm)の均一成膜が可能です
    ◆高密度プラズマによる低ダメージの為、常温(基板温度40〜60℃)で成膜可能です
    ◆プラスチック基板への成膜可能
    ◆加熱・冷却機構不要
    ◆屈折率可変
    ◆同一チャンバー内で、SIN、SION、SIO2の成膜可能です。POLYMERも可能です
    ◆NF3を直接プロセスチャンバーに導入しクリーニング(ICPによって分解効率が95%以上の為、他の方式平行平板ECRと比較してフッ素の残渣がありません)

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