低オン抵抗 | イプロスものづくり

容易な設計および実装！ゲートドライバー技術で最高クラスのパフォーマンス…

TO247パッケージの『CoolSiC 1200V SiC MOSFET』に新たに登場した「低オン抵抗領域7mΩ/14mΩ/20mΩ」は、最適化された先端のトレンチ半導体プロセスに基づいて構築され、性能と信頼性を両立した製品です。放熱性能15％向上し、単一デバイスで最高レベルの出力密...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

インフィニオンパワーダイオード『38/46DN06B02』

最高クラスの性能と製品寿命！従来品に比べて約10～15%高い、大電流が…

当社が取り扱うインフィニオンパワーダイオード『38DN06B02/46DN06B02』をご紹介します。新しい溶接用ダイオードは、中周波抵抗溶接や大電流整流器のアプリケーションを想定し、損失を改善した設計になっています。オン電圧が低いため、インフィニオンの従来品である「38DN06」や「46DN06」に比べて約10～15%高い、大電流が可能になります。【特長】 ...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

低耐圧MOSFET『OptiMOS PD』

低ゲート、低出力、低逆回復電荷！優れた温度特性でUSB-PDや急速充電…

『OptiMOS PD』は、MOSFETの新たな製品ラインアップです。 USB-PDや急速充電器の設計に好適。短いリードタイムと迅速な見積もり回答でお客様をサポートします。低ゲート、低出力、低逆回復電荷で優れた温度特性を持ち、 2種類の小型標準パッケージを用意しております。【特長】 ■ロジックレベルの可用性 ■低いオン抵抗RDS（on） ■低ゲート、低出力、低逆回...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

OptiMOS 6 Power MOSFET

鉛フリーの鉛めっき、RoHS対応！オン抵抗と性能指数の改善により効率が…

『OptiMOS 6 Power MOSFET』は、テレコム、サーバー、デスクトップPC、ワイヤレス充電器、急速充電器などのスイッチモード電源（SMPS）アプリケーションに好適です。オン抵抗と性能指数の改善により効率が向上。熱設計が容易になり、並列数を減らすことで、システムコストの削減につながります。また、「OptiMOS 5」に比べて、伝導損失やスイッチング損失が低減...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

保護付きハイサイドスイッチ『PROFET +212V-ESP』

最大32Aの電流を駆動！モノリシックチップで低オン抵抗の製品をラインア…

保護機能、優れたエネルギー効率、先端の電流センス精度（KILIS）、低いクランキング電圧対応を備えています。今回発売するTSDSO-24パッケージの「BTS700xx-1ESP」は、低オン抵抗RDS（ON）領域の製品群を拡充し、最大32Aの電流を駆動することができ、また、新しい機能である容量性負荷スイッチングモードを搭載し、安全な動作領域で容量性負荷をスイッチングすること...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

OptiMOS 6 ISC012N04LM6 40V

ハロゲンフリーで同期型アプリケーションに最適化！産業機器向けのパワーM…

性を減らし、システムコストの削減にもつながります。インフィニオンの先端の薄型ウェハー技術で、大幅な性能向上が可能です。【特長】 ■Nチャネル：エンハンスメントモード ■超低オン抵抗 RDS(on) ■優れた熱抵抗 ■175℃定格 ■100%アバランシェ試験済み ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

パワーMOSFET『OptiMOS-TOLTパッケージ』

ヒートシンクへの熱抵抗の最小化！プリント基板を介して伝わる熱量は5％以…

当製品は、優れた熱性能を可能にする新しいトップサイド冷却パッケージです。 TO-Leaded top-side cooling (TOLT)パッケージをポートフォリオに導入することで、高性能パッケージの提供を拡大可能。 TOLTパッケージは、TOLLパッケージと同様の大電流・低背の利点に加え、好適な熱性能を実現するトップサイドクーリングの利点を備えています。【特長】 ...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

OptiMOS 6 パワーMOSFET

SuperSO8パッケージとPQFNパッケージ(3.3×3.3)！高い…

「OptiMOS 6 100V」は、高スイッチング周波数アプリケーションの新しい業界標準となる先進のパワーMOSFET技術です。インフィニオンの先端の薄ウェーハテクノロジーは、OptiMOS 5 テクノロジーに比べて、大幅に性能を向上。オン抵抗(RDS(on))と性能指数(FOM-RDS(on)x Qg and Qgd)の改善により効率が向上し、熱設計が容易になり、並列数...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

リニアLEDドライバIC『BCR431U』

より多くのLEDまたは長いストリップ用のリニア低電圧降下LEDドライバ…

『BCR431U』は、小型SOT23-6パッケージに収められたリニアLEDドライバICです。外部パワートランジスタなしでスタンドアロン動作でLED電流を調整。最大37mAの電流の駆動に適しており、ICの電源電圧範囲は6V～42Vです。 LED電流レベルは、高抵抗抵抗RsetをピンRSに接続することで調整できます。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。　詳しくはP...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

ゲートドライバー「EiceDRIVER 1EDN71x6U」

小型パッケージ！4種類の駆動能力、スプリアススイッチングに対する耐性

「EiceDRIVER 1EDN71x6U」は、インフィニオンCoolGaNショットキーゲート (SG)HEMT、およびその他のGaN SG HEMTとSi MOSFETの駆動用に最適化された 1チャネルゲートドライバーICです。このゲートドライバーファミリーは、Truly differential logic input(TDI)、 4つの駆動強度オプション、アクティブミラークラン...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

モーター制御評価キット『MOTORCONTROLKIT_12V』

モータ制御アルゴリズムを実装！ニーズに合ったものを選ぶことができる

『MOTORCONTROLKIT_12V』は、市場で実績のあるチップセットが搭載されており、組み立て済みのため、すぐにモーターを回転させることができます。ポンプやファンなどの低電圧モーター制御アプリケーションの迅速な試作と評価ができるよう設計。サンプルソフトウェアを含む組み立て済みのキットで、迅速な初期評価が可能です。【TLE9879 EVALKITの特長】 ...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

評価キット『MOTORCONTROLKIT_12V』

迅速な初期評価が可能！ハードウェアとソフトウェアの両方を1つのパッケー…

『MOTORCONTROLKIT_12V』は、市場で実績のあるチップセットが搭載された組み立て済みの評価キットです。ポンプやファンなどの低電圧モーター制御アプリケーションの迅速な試作と評価ができるよう設計。一般的なモータ制御アルゴリズムを実装しており、ユーザーはそれらを比較して、自分のニーズに合ったものを選ぶことができます。【特長】＜TLE9879 EVAL...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

MOTIX BTN9970LV (NovalithIC+)

大電流PMOS、NMOS、ドライバーICを集積！設計と製造の工数を最小…

『MOTIX BTN9970LV』は、1つのパッケージにpチャンネルのハイサイド MOSFETとnチャンネルのローサイドMOSFETを1つずつと、ドライバーICを搭載している製品です。 pチャネルのハイサイドスイッチによりチャージポンプが不要となり、 EMIを最小限に抑えることが可能。ディスクリートソリューションに比べて、PCB面積とBOMを削減できるほか、マイクロコント...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

リニアLEDドライバIC『BCR430U/BCR431U』

12V/24V/36V設計に柔軟に対応！低電圧降下により電圧ヘッドルー…

『BCR430U/BCR431U』は、小型SOT23-6パッケージに収められたリニア LEDドライバICです。外部パワートランジスタを使用せずにスタンドアロン動作でLED電流を調整。最大37mA/100mAの駆動電流に適しており、ICの電源電圧範囲は6V～42Vです。 LED電流レベルは、高オーム抵抗RsetをピンRSに接続することで調整できます。 ※英語版カタログをダウンロ...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

MOTIX BTN9990LV

ハーフブリッジ、フルブリッジ(2x)構成に対応！コストの最適化を実現

『MOTIX BTN9990LV』は、pチャネルハイサイドMOSFETと、nチャネルローサイド MOSFET、ドライバーICチップを1パッケージ化した製品です。ディスクリートソリューションと比較して、PCB面積とBOMが少なく、診断、電流検出、保護機能を統合し、システムの信頼性を向上。大電力のPMOS、NMOS、ドライバーICを統合し、設計と製造の工数を最小限に抑えます。...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

窒化ガリウム次世代型パワー半導体

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

49を取得済みで、GaNの重要な特許はすべてトランスフォーム社が保有しております。日本国内での不具合解析や技術対応が可能で、高品質、高信頼性を確保した製品です。【特長】 ■高耐圧、低オン抵抗、高速スイッチングに好適 ■製品耐圧：650V、900V ■オン抵抗：15mΩ(max) ~ 480mΩ(max) ■パッケージ：TO-220、TO-247、TO-263、PQFN88、P...

メーカー・取り扱い企業：旭テック株式会社大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

デジタルセンサ「低電圧・低電力デジタルスイッチ」　AFLシリーズ

低消費電力低電源電圧デジタル・スイッチ

【特徴】 ● 低電源電圧動作可能(0.9V まで) ● 低消費電流 ● デジタル・スイッチ出力 ● 弱磁界の正確な検出 ● 超小型パッケージ（ MSOP8／TDFN6 ） ● ミリメータ・スケールのダイでの供給可能 ● 強磁界を加えてもダメージを受けない【概要】 NVE 社製のAFL シリーズのセンサは非常に低い電源電圧と非常に小さな電流で動作するように設計されたデジタ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社ロッキー

高電圧電力変換システム用パワー半導体

高電圧電力変換システム用！様々な電力交換システムに適しています。

2000V N チャネルパワーMOSFETは、高電圧電力変換システム用の高電圧パワーMOSFETです低電圧素子による直列接続の必要性を排除し、オン抵抗の温度係数が正であるため並列動作させることができ、費用対効果の高い電源システムの構築を可能にします。他の利点として、使用数量削減によりゲート駆動回路を構成する要素の減少も可能で、コストダウン、シンプルな設計による信頼性の向上、およびPCBス...

メーカー・取り扱い企業：ジェイレップ株式会社

ADLINK PCI Expressカード PCIe-7256

16CHラッチングリレー出力および16CH絶縁DIカード

特徴・PCI Express x1、プラグアンドプレイをサポート（PCIe-7256）・16-CHラッチSPDTリレー出力・リレー作動時の省電力・電源オフ時に出力ステータスは変更されない・リレーステータスのオンボードLEDインジケータ・16-CH分離DI ・ステータス変更（COS）割り込み・ボードID...■リレー出力・チャンネル数：16 ・リレータイプ：ラッチ...

メーカー・取り扱い企業：サンテックス株式会社

ICE32S60FP 32A,600V POWER MOSFET

GEN2 シリーズ　32A , 600V　フルパックで0.1ohm…

ノロジーのICE32S60FP は32A,600VのTO220 Full Pak パッケージです。Qgが低く、省エネに貢献できます！【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス...

メーカー・取り扱い企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

汎用NチャネルMOSFET『XP23/XP26 シリーズ』

静電対策としてゲート保護ダイオードを内蔵！EU RoHS 指令対応のM…

『XP23/XP26 シリーズ』は、低オン抵抗、高速スイッチング特性を実現した汎用NチャネルMOSFETです。リレー回路、スイッチング回路等、様々なアプリケーションに使用可能。静電対策としてゲート保護ダイオードを内蔵して...

メーカー・取り扱い企業：トレックス・セミコンダクター株式会社

3.6V、3A、抵抗ロードスイッチ『TPS22971』

3.6V、3A、抵抗ロードスイッチ『TPS22971』のご紹介

『TPS22971』は、省スペースのシングル・チャンネルのロード・スイッチで、ターンオン・スルーレートの制御と調整が可能で、パワーグッドインジケータが内蔵されています。このデバイスには、0.65V〜3.6Vの低入力電圧範囲で動作可能なNチャネル MOSFETが含まれており、最大連続電流3Aをサポートすることができます。 6.7mΩの低いオン抵抗により、電力損失と電圧降下が最...

メーカー・取り扱い企業：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

【Bourns】ガスアレスタ／ガス放電管＊サージ電流から保護◎

Bourns社のGDTは雷サージから電源、通信ラインを保護します。

ガス放電管 (GDT) サージアレスタは電圧依存のスイッチとして動作します。定格 DC 破壊電圧を超える電圧が装置全体にかかると、GDT 内のガスがイオン化しはじめ、インパルス放電開始電圧に達するまで放電します。この時点で、このデバイスは完全にオン状態となり、放電電流とは関係なく、低アーク電圧が維持されます。過渡電流が通過すると、GDT は非放電状態に戻ります。 GDT 技術は、極めて...

メーカー・取り扱い企業：株式会社セイワ

MOS-FET使用逆流防止モジュール RPシリーズ

電源の冗長運転用ダイオードや高電流ダイオードアプリケーションにおいて、…

TDK-Lambda 逆流防止モジュール RPシリーズ 低オン抵抗のNチャネルMOS-FETを使用したダイオードモジュールです。製品内部で入力電圧及び出力電圧を監視しており、入力電圧が出力電圧よりも高い場合MOS-FETはオンとなり、入力電圧が出力電圧より...

メーカー・取り扱い企業：旭テック株式会社大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

低損失OR接続モジュール　BIDシリーズ

電力ロスを数分の１以下に低減する事ができ、発熱対策も容易！

複数の電源の合流する部分において逆流を防ぐ為にOringダイオードを使用しますが、ダイオードを用いた場合には大きな電力損失が発生し、大電流を流す装置には発熱対策・低消費電力化が困難な状況になりつつあります。そこで株式会社ベルニクスでは低VfのOR接続モジュールを製品化しました。このモジュールを使用することによって電力ロスを数分の１以下に低減する事ができ、省電力に寄与すると共に装置の発熱対策も容易に...

メーカー・取り扱い企業：株式会社ベルニクス

【書籍】リチウムイオン電池の分析、解析（No.2036BOD）

【技術専門図書】－劣化、発熱、ガス、内部状態、反応メカニズム－

書籍名：リチウムイオン電池の分析、解析と評価技術　事例集－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－ ◎電池内部で劣化はどのように起きているのか、各部材の構造や状態はどう変化しているのか　　そのメカニズムや要因を明らかにすることが、高性能な電池、部材開発につながる！－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－ ■　本書のポイント１．「正極」：三元...

メーカー・取り扱い企業：株式会社技術情報協会

SiC MOSFET FMG50AQ120N6

高信頼性と低損失を実現した1200V耐圧SiC MOSFETディスクリ…

えた絶縁型パッケージ(Rth(j-c)=0.22℃・w Typ) ・ソース端子のインダクタンスの影響を低減して、より高速なスイッチングと低損失を実現する4ピン構造を採用・業界トップクラスの低オン抵抗(15mΩ Typ Tj=150℃)...

メーカー・取り扱い企業：旭テック株式会社大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

ME-パワーMOSFETモジュール

プレーナ型に比べて格段に低オン抵抗化を進めたパワーMOSFETモジュー…

ングと電圧駆動及び低損失が要求されるパワーデバイスにおいて、MOSFETでは、低電流、低耐圧の領域にて実績があり、サブミクロン技術によるトレンチゲート構造を用いることで、プレーナ型に比べて格段に低オン抵抗化を進めることができた。 ...

メーカー・取り扱い企業： Home Shine ENT. CO., LTD

車載モータードライバーIC『TB9120FTG/AFTG』

汎用性の高い車載ステッピングモータードライバーIC

バーです。 1/32マイクロステップ駆動により低振動、低騒音を実現。また、クロック信号入力方式により簡単な制御が可能です。【特長】 ■ストール検出専用フラグ出力端子内蔵 ■低オン抵抗： 0.8Ω (上下和、標準、25℃) ■過電流、過熱、負荷オープン検出回路内蔵 ■スタンバイモード消費電流10μA以下 ■パッケージ：VQFN28 ウェッタブルフランク6×6[mm] ...

メーカー・取り扱い企業：東芝デバイス&ストレージ株式会社

電源装置『高電圧半導体スイッチ』

スイッチング素子としてSiC-MOSFETを採用し、電力損失を大幅低減

高速なパルスを発生させる、電源装置です。 FETを90段直列に接続し、最大90kVのスイッチングを実現しました。運転周波数は直流から5kHzまでのパルス運転が可能です。また、低オン抵抗や高速スイッチング等の利点があり、 90kVのスイッチユニットを給電・放電用の2台内臓しております。スイッチユニット基板の設計・開発、製作・調整や冷却システムの製作など、設計・開発...

メーカー・取り扱い企業：東京電子株式会社

『TPS22975』

5.7V、6A、16mΩシングルチャネル・オン抵抗ロードスイッチ『T…

TPS22975製品ファミリは、TPS22975とTPS22975Nの2つのデバイスで構成されます。いずれのデバイスもシングル・チャネルの負荷スイッチで、立ち上がり時間を構成して突入電流を最小化できます。このデバイスにはNチャネルMOSFETが搭載され、0.6V～ 5.7Vの入力電圧範囲で動作し、最大で6Aの連続電流をサポートできます。スイッチはオン/オフ入力(ON)により制御...

メーカー・取り扱い企業：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

自社開発パワーモジュール SU-1

産業用インバーターや電気自動車に最適なパワーモジュール SU-1

6 in 1 650V/400A　IBGT module OPMD0650V0400A6PK-M 弊社開発の 6in1 650V/400Aパワーモジュールは、高信頼性で電気自動車等に利用できます。・モーター駆動・産業用インバータ 150℃耐熱設計、3相インバーター対応、トレンチフィールドストップ。 IGBTと環流ダイオード搭載（IGBT、DiodeはMi...

メーカー・取り扱い企業：大分デバイステクノロジー株式会社

【ディスクリート】IGBT　ラインアップ一覧

バイポーラデバイスの高耐圧・低オン抵抗！半導体に電圧を印加する3端子デ…

『IGBT』は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタとも呼ばれ、入力部がMOSFET構造、出力部がバイポーラー構造のトランジスタです。 MOSFETとバイポーラトランジスタの長所を両立させたような特性で、 MOSFETと同様に高速スイッチングが可能。 P-N-P-Nの4層からなる半導体素子により構成されて、数kVまでの電力制御用途によく使われています。【ラインアップ(抜粋...

メーカー・取り扱い企業：アールエスコンポーネンツ株式会社

ICE8S65FP 8A,650V POWER MOSFET

2023年1月より量産リリース！　GEN2　スーパージャンクションMO…

テクノロジーのICE8S65FP は8A,650VのTO220 Full Pak パッケージです。Qgが低く、省エネに貢献できます！【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス...

メーカー・取り扱い企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

スーパージャンクションMOSFET

高耐圧600V以上のパワー MOSFET！低オン抵抗・超低ゲート電荷量…

『スーパージャンクションMOSFET』は、高耐圧のスーパージャンクション技術が使われている当社のパワーMOSFETです。シリコンのMOSFETとMEMSプロセス技術の融合で、世界的ベストインクラスのパフォーマンスをお届けします。 MEMS技術で独自の製造技術を発展させ、より小寸法へ展開することで、高パフォーマンスでコストメリットのある MOSFETをご提供いたします。 ...

メーカー・取り扱い企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE25S65FP 25A,650V POWER MOSFET

GEN2 シリーズ　25A , 650V　 TO220FullPak…

ノロジーのICE25S65FP は25A,650VのTO220 Full Pak パッケージです。Qgが低く、省エネに貢献できます！【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス...

メーカー・取り扱い企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE15S60FP 15A,600V POWER MOSFET

GEN2 シリーズ　15A , 600V　GEN2　スーパージャンクシ…

ノロジーのICE15S60FP は15A,600VのTO220 Full Pak パッケージです。Qgが低く、省エネに貢献できます！【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス...

メーカー・取り扱い企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE20N60FP 20A,600V Power MOSFET

★在庫あり！即日出荷可能！電源メーカーに採用実績のある、電源マネー…

アイスモス・テクノロジーのICE20N60FPは20A,600Vのフルパックデバイスです。【特長】 ■TO220 Fullpakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さ...

メーカー・取り扱い企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE47N60W N-チャンネル・デバイス

高いUIS特性！パワー管理のための高電圧スーパージャンクションMOSF…

ETです。高パフォーマンス・パワー・システム用に設計され、世界中の AC/DC、DC/DC、およびDC/AC回路などに使用されています。【特長】 ■TO247パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さ...

メーカー・取り扱い企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

【電源IC】電子ヒューズ　ラインアップ一覧

高速かつ正確！機器と回路を安全かつ確実に保護することが可能

『電子ヒューズ』(eFuse)は、従来の大型ヒューズの代わりに使用される半導体ヒューズです。機器内の主電源に接続され、低オン抵抗のスイッチを備えているため、過電流や過電圧が検出された時点で作動させることができます。また、豊富な保護機能を一つのパッケージに収めているため、部品点数の削減や実装面積の縮小が可能...

メーカー・取り扱い企業：アールエスコンポーネンツ株式会社

コードレス電動工具リファレンスデザイン

40V U-MOSIX-HシリーズMOSFETを搭載！

当社では、3相DCブラシレスモーター応用を想定したコードレス電動工具向けモーター駆動回路リファレンスデザインをご提供しております。新世代プロセス適用、素子構造の最適化により、低オン抵抗・低出力電荷量・低スイッチングサージ電圧を実現します。【特長】 ■矩形波駆動と正弦波駆動の2種類のモーター駆動方式切り替え可能 ■基板には3シャント方式電流検出回路を搭載、センサ...

メーカー・取り扱い企業：東芝デバイス&ストレージ株式会社

ICE22N60B 22A,600V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、電源マネージメ…

アイスモス・テクノロジーのICE22N60Bは22A,600VのTO-263(D2PAK) パッケージです。【特長】 ■TO263-2L (D2PAK)パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス ...

メーカー・取り扱い企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE15N73FP 15A,730V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、電源マネージメ…

アイスモス・テクノロジーのICE15N73FPは15A,730VのTO220Fullpak パッケージです。【特長】 ■TO220 FullPakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス ...

メーカー・取り扱い企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE11N70FP 11A,700V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、電源マネージメ…

アイスモス・テクノロジーのICE11N70FPは11A,700VのTO220Fullpak パッケージです。【特長】 ■TO220 FullPakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス ...

メーカー・取り扱い企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

『LPV821』

650nA高精度ナノパワー・セロドリフト・アンプ『LPV821』

『LPV821』は、低入力オフセットが要求されるワイヤレス/有線機器の「常時オン」センシング・アプリケーション向け。低初期オフセット、低オフセット・ドリフト、8kHzの帯域幅、650nAの静止電流により、消費電流、温度、ガス、歪みゲージを監視する最終機器に適しています。独自のオートキャリブレーション機能を使用し、全時間と温度範囲にわたって低オフセット電圧（最大20µV）と最...

メーカー・取り扱い企業：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社