• ポータブル元素分析装置『MH-6000A』【設置工事不要】 製品画像

    ポータブル元素分析装置『MH-6000A』【設置工事不要】

    PR<液体の濃度変化にタイムリーに対応>設置工事不要のため【現場分析/即時…

    『MH-6000A』は、液体の濃度変化をタイムリーに管理したい場合や、 現場分析する際にお勧めのポータブル元素分析装置です。 ◇活用現場事例◇ ◎非鉄金属精錬 ◎金属表面処理 ◎飲料製造 ◎水耕栽培 ◎発酵・培養 etc... 小型で工事不要のため、分析ニーズのある場所に配置が可能。 即時分析ができ、DX化に寄与。 また、波長帯と分解能の調整もでき、アルカリ溶液の測定も可能です。 ガス配管...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社マイクロエミッション

  • 溶接ワイヤに適した防錆添加剤と各種防錆油 製品画像

    溶接ワイヤに適した防錆添加剤と各種防錆油

    PR溶接性を維持しつつ、ワイヤ保管時の錆の発生を抑制!ワイヤ送給性とアーク…

    溶接ワイヤ用防錆添加剤の『ラスミンA-W』の他にも、金属材料の短期防錆から長期防錆まで各種の防錆油を揃えています。 粘度、防錆性、潤滑性の異なる幅広い防錆油、添加剤を揃えています。 ラインナップ製品は自動車、重機、農具などの部品に実績あり。 浸漬、スプレー、はけ塗等の方法で使用が可能。 【共栄社化学の防錆油ラインナップ】 ・ラスミンA-W:防錆添加剤(溶接ワイヤ用) ・ラスミンA:防錆添加剤(...

    メーカー・取り扱い企業: 共栄社化学株式会社 本社

  • パワートランジスタ『CGD65A130S2』 製品画像

    パワートランジスタ『CGD65A130S2』

    互換性を実現するICeGaNゲート技術!ゲートドライバーとコントローラ…

    『CGD65A130S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要。 外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は...

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    メーカー・取り扱い企業: SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

  • パワートランジスタ『CGD65A130SH2』 製品画像

    パワートランジスタ『CGD65A130SH2』

    無負荷状態でのデバイス損失がゼロに近くなる!高電流、高耐圧を実現

    『CGD65A130SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 ICeGaNゲート技術により、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチッ...

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    メーカー・取り扱い企業: SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

  • パワートランジスタ『CGD65A055S2』 製品画像

    パワートランジスタ『CGD65A055S2』

    簡単設計、高信頼性!センス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能

    『CGD65A055S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現する ICeGaNゲート技術には、事実上すべ...

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    メーカー・取り扱い企業: SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

  • ICE25S65FP 25A,650V POWER MOSFET 製品画像

    ICE25S65FP 25A,650V POWER MOSFET

    GEN2 シリーズ 25A , 650V  TO220FullPak…

    アイスモス・テクノロジーのICE25S65FP は25A,650VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます! 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高d...

    メーカー・取り扱い企業: アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

  • ICE15S60FP 15A,600V POWER MOSFET 製品画像

    ICE15S60FP 15A,600V POWER MOSFET

    GEN2 シリーズ 15A , 600V GEN2 スーパージャンクシ…

    アイスモス・テクノロジーのICE15S60FP は15A,600VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます! 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高d...

    メーカー・取り扱い企業: アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

  • ICE32S60FP 32A,600V POWER MOSFET 製品画像

    ICE32S60FP 32A,600V POWER MOSFET

    GEN2 シリーズ 32A , 600V  フルパックで0.1ohm…

    アイスモス・テクノロジーのICE32S60FP は32A,600VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます! 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高d...

    メーカー・取り扱い企業: アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

  • ICE8S65FP 8A,650V POWER MOSFET 製品画像

    ICE8S65FP 8A,650V POWER MOSFET

    2023年1月より量産リリース! GEN2 スーパージャンクションMO…

    アイスモス・テクノロジーのICE8S65FP は8A,650VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます! 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高d...

    メーカー・取り扱い企業: アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

  • ICE20N60FP 20A,600V Power MOSFET 製品画像

    ICE20N60FP 20A,600V Power MOSFET

    ★在庫あり!即日出荷可能!電源メーカーに採用実績のある、 電源マネー…

    アイスモス・テクノロジーのICE20N60FPは20A,600Vのフルパックデバイスです。 【特長】 ■TO220 Fullpakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■...

    メーカー・取り扱い企業: アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

  • ICE22N60B 22A,600V  POWER MOSFET 製品画像

    ICE22N60B 22A,600V POWER MOSFET

    ★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメ…

    アイスモス・テクノロジーのICE22N60Bは22A,600VのTO-263(D2PAK) パッケージ です。 【特長】 ■TO263-2L (D2PAK)パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特...

    メーカー・取り扱い企業: アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

  • ICE15N73FP 15A,730V POWER MOSFET 製品画像

    ICE15N73FP 15A,730V POWER MOSFET

    ★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメ…

    アイスモス・テクノロジーのICE15N73FPは15A,730VのTO220Fullpak パッケージ です。 【特長】 ■TO220 FullPakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■...

    メーカー・取り扱い企業: アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

  • ICE11N70FP 11A,700V POWER MOSFET 製品画像

    ICE11N70FP 11A,700V POWER MOSFET

    ★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメ…

    アイスモス・テクノロジーのICE11N70FPは11A,700VのTO220Fullpak パッケージ です。 【特長】 ■TO220 FullPakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■...

    メーカー・取り扱い企業: アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

  • 汎用MOSFET 製品画像

    汎用MOSFET

    汎用MOSFET(VDSS=~60V、ID=~0.7A)ラインナップ紹…

    ターゲットアプリケーションとしてはLED駆動、モーター駆動、リチウムイオン充電制御、DC-DCコンバータ、ロードスイッチ等が挙げられます。 製品のスペックとしてはVDSS最大60V、ID最大0.7A、閾値電圧は0.5~2.0Vと様々な特性の汎用MOSFETとなります。 またパッケージもSC-75A、SC-70、SC-59と超小型のパッケージも取り揃えておりますので、新規採用はもちろん、他社品...

    メーカー・取り扱い企業: イサハヤ電子株式会社

  • パワーデバイスのトータルソリューションサービス 製品画像

    パワーデバイスのトータルソリューションサービス

    パワーデバイスをあらゆる角度から徹底評価、検証します

    ■パワーデバイスの信頼性試験 ・パワーサイクル試験  定電流600A max.(Vce=10V)  同時に熱抵抗測定も可能 ・180℃対応 液槽熱衝撃試験  温度範囲 -65℃~150℃、-40℃~180℃  液媒体 Galden D02TS/D03  試...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

  • プローブ針、プローブホルダ及びマニピュレータ 製品画像

    プローブ針、プローブホルダ及びマニピュレータ

    60年以上に渡り半導体デバイス解析用プロービング関連製品一筋に開発製造…

    モデル7シリーズプローブ針:先端部材質:タングステン、Shank部Dia.: .020インチ 7シリーズのモデル例: モデル7A:精細なプロービング用。 Point Radius :0.35μm, Tip Dia. : .005インチ モデル7S:最柔軟性、高温プロービングにも最適。 Point Radius :0...

    • Probe Tip Dimesions - コピー (2).jpg
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    メーカー・取り扱い企業: 有限会社シスコム(SysCom)

  • 【解析レポート】デンソー製パワーカードモジュール 製品画像

    【解析レポート】デンソー製パワーカードモジュール

    チップサイズは自動車用途として最大クラス!200Aクラスの駆動電流で低…

    当資料は、『2021 デンソー製パワーカードモジュール,SiC-MOSFETチップ』 の解析レポートです。 本製品は、2021年型トヨタMIRAI水素燃料電池(FC)昇圧コンバーター パワーモジュールに採用されているSiC-MOSFET搭載のパワーカードです。 昇圧コンバータは、出力電圧Vo=650Vおよび入力電流Iin=570Aで...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社エルテック

  • X線リフローシミュレーター 製品画像

    X線リフローシミュレーター

    X線リフローシミュレーター

    対応機種    : Cheetah EVO に取付可能 加熱方式    : セラミックヒーター、熱風共用 設定温度    : MAX:400度 ユニット寸法  : 650x510x140mm 対象製品サイズ : 80x80x30mm 昇温時間    : 4℃/sec 連続使用時間  : 15分以内 電源      :...

    メーカー・取り扱い企業: コメットテクノロジーズ・ジャパン株式会社 コメット・エクスロン事業部

  • 逆並列ダイオード搭載 1350V 保護IGBT Fシリーズ 製品画像

    逆並列ダイオード搭載 1350V 保護IGBT Fシリーズ

    IH設計に必要な既存の電流検出レジスタとともに、独自の電流検出回路を内…

    eon 1350V 保護IGBT Fシリーズ 詳細: 保護IGBT Fシリーズは、IH調理アプリケーション向けに6ピンの TO-247パッケージにRC-H5テクノロジー 1350V, 20A IGBTと 独自の保護ゲートドライバICを組み合わせた製品です。 利点: ■ しきい値を超えてオンする事でボードの複雑さとコストを低減 ■ ボードの複雑さを軽減し、ソリューション全体の...

    メーカー・取り扱い企業: 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

  • UV-Cセンサ / UV-Cパワーモニター用フォトダイオード 製品画像

    UV-Cセンサ / UV-Cパワーモニター用フォトダイオード

    UV-C光を用いた除菌、殺菌、消毒の照射パワーモニターに好適

    【仕様】 ■感度波長帯範囲:200~1100nm ■受光感度   :0.1 A/W @254nm ■最大感度波長 :800nm ■受光部サイズ :φ1.8mm ■パッケージ  :3.5x3.0mmCOB ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。...

    メーカー・取り扱い企業: YITOAマイクロテクノロジー株式会社

  • 高周波トランジスタ 製品画像

    高周波トランジスタ

    高周波トランジスタ(fT=1.1~8GHz)ラインナップ紹介!

    エントリーの発振回路やイメージセンサーの増幅回路などの高周波増幅用途に最適です。   fTが1.1GHz、4.5GHz、8GHzのラインナップを取り揃えており、SC-59、SC-70、SC-75Aの小型パッケージであるため、セットの小型化、高密度実装が可能です。   また、高周波トランジスタは他社国内メーカーではEOLとなっている製品が多数ありますが、弊社では継続生産しておりますので、他...

    メーカー・取り扱い企業: イサハヤ電子株式会社

  • パワートランジスタ用ソケット 製品画像

    パワートランジスタ用ソケット

    高電流、高温に対応

    サイリスタ、トライアック、MOSFET、IGBTなどのパワー半導体のテスト用ソケットです。高電流、高温対応でTO-220,TO-3Pを含む多くのTOパッケージに使用できます。 定格電流:30A 使用温度範囲:-55~+150℃...

    メーカー・取り扱い企業: 日本コネクト工業株式会社

  • CMOS高速ロジックIC(ELM7SHシリーズ) 製品画像

    CMOS高速ロジックIC(ELM7SHシリーズ)

    低電圧で超高速動作、低消費電力のため長時間の機器動作が可能

    【特長】 • 低消費電流     : Idd=1.0μA(最大)(Top=25℃ ) • 広い電源電圧範囲 : 1.65V~5.5V • 広い入力電圧範囲  : Vih=5.5V(最大)(Vdd=0~5.5V) • 高速動作 : Tpd=3.8ns...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社エルムテクノロジー

  • MOS FET シングルPチャンネル(ELM43401CA) 製品画像

    MOS FET シングルPチャンネル(ELM43401CA)

    【おすすめ】低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた…

    シングルパワーMOSFETシリーズは、低入力容量、低電圧駆動、低ON抵抗という特性を備えた大電流MOSFETです。 シングルPチャンネルのELM43401CA は低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 保護回路によってESDに耐性がある製品もあります。弊社HPをご確認ください。 ※43401C...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社エルムテクノロジー

  • MOS FET シングルNチャンネル(ELM43400CB) 製品画像

    MOS FET シングルNチャンネル(ELM43400CB)

    【おすすめ】低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた…

    【特長】 ・ Vds=30V ・ Id=5.8A ・ Rds(on) = 27mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) = 32mΩ (Vgs=4.5V) ・ Rds(on) = 40mΩ (Vgs=2.5V)...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社エルムテクノロジー

  • NTD20N06LT4G ON SEMICONDUCTOR 製品画像

    NTD20N06LT4G ON SEMICONDUCTOR

    オン・セミコンダクターNTD20N06LT4Gトランジスター

    ・トランジスタータイプ:N-MOSFET ・極性:ユニポーラ ・ドレインーソース電圧:60V ・ドレイン電流:20A ・電力損失:60W ・ケース :DPAK ・ゲートーソース電圧:±15V ・ON抵抗値:39mΩ ・マウント:SMD ・ゲート電荷:32nC ・梱包種類:リール, テー...

    メーカー・取り扱い企業: Transfer Multisort Elektronik株式会社

  • IXDD609YI IXYS 製品画像

    IXDD609YI IXYS

    IXDD609YI IXYS MOSFET/IGBTドライバ

    ・ケースTO220-5 ・出力電流:9A ・チャンネル数:1 ・供給電圧:4.5V〜35V ・マウント:SMD ・動作温度範囲:-40°C〜 + 125°C ...

    メーカー・取り扱い企業: Transfer Multisort Elektronik株式会社

  • ICE20N60B 20A, 600V POWER MOSFET 製品画像

    ICE20N60B 20A, 600V POWER MOSFET

    ★在庫はお問合せ下さい!電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメ…

    アイスモス・テクノロジーのICE20N60Bは20A,600VのTO263-2L, D2PAK パッケージです。 【特長】 ■TO263-2L (D2PAK)パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性...

    メーカー・取り扱い企業: アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

  • ICE20N60 20A, 600V POWER MOSFET 製品画像

    ICE20N60 20A, 600V POWER MOSFET

    ★在庫あり!即日出荷可能!電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージ…

    アイスモス・テクノロジーのICE20N60 は20A,600VのTO220 パッケージ です。 【特長】 ■TO220パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダク...

    メーカー・取り扱い企業: アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

  • ICE10N60FP 10A,600V POWER MOSFET 製品画像

    ICE10N60FP 10A,600V POWER MOSFET

    ★在庫はお問合せ下さい!電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメ…

    アイスモス・テクノロジーのICE10N60FP は10A,600VのTO220 Full Pak パッケージ です。 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■...

    メーカー・取り扱い企業: アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

  • 【構造・プロセス解析レポート】デンソー製 SiC-MOSFET 製品画像

    【構造・プロセス解析レポート】デンソー製 SiC-MOSFET

    搭載チップはトレンチゲートを採用!電流センサーと温度センサー内蔵の12…

    当資料は、『デンソー製 SiC-MOSFET』の構造・プロセス解析レポートです。 2021年型トヨタMIRAI水素燃料電池(FC)昇圧コンバーターにデンソー 内製としてSiC-MOSFETが採用、搭載されています。 SiC-MOSFETチップは200Aクラスの駆動電流で低ON抵抗(LTECで測定)...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社エルテック

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