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PRネットワークの効率を向上!交流・直流両タイプの電源に対応しているので、…
『ETHER/G703 CONV 3092A-NT』は、既存のスタッフ系MUX装置やSDH装置の 1.5M/6.3M伝送路を使って、LANを構築する装置です。 高速ディジタル専用線の1.5M/6.3M伝送路でLANを構築することも可能。 クロック入力は、外部入力、回線従属、自走の3種類が選択できます。 また、装置故障や、回線インタフェースアラーム等が発生した場合、 警報ランプの点灯と警報を出力...
メーカー・取り扱い企業: 日東通信機株式会社 本社 世田谷区池尻 ・ 福島工場 福島県福島市
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PRVolPやVoLTEを介した音声伝送をサポートする高度なエレベーター向…
ロバステル社のEV8100は、VolPやVoLTEを介した音声伝送をサポートする高度なエレベーター向け音声ゲートウェイで、セルラーネットワークとエレベーターのインターホンシステム間のシームレスな通信を可能にします。この機器はマルチインターフェイスを提供し、エレベーターの通信システムのシームレスなリモート監視と管理を可能にし、問題や故障に迅速かつ効率的に対処することを容易にします。高度な機能と堅牢な...
メーカー・取り扱い企業: エム・シー・エム・ジャパン株式会社 Product Marketing
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ラマンスペクトルを測定!カーボン材料の構造や結晶性に関する情報を得る事…
活物質や、導電性プラスチック用 添加剤、インク、CFRPなどの用途で幅広く使用されています。 当社では、ラマン分析によりカーボン材料の構造の違いを評価。 CB、活性炭ではグラファイトに比べGバンドのピークがブロードになり、 半値幅が大きくなりました。 これは、結晶子サイズが異なる事を示しており、グラファイトはCB、活性炭 より結晶子サイズが大きい事が分かります。 【カー...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス
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SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対…
であり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-(D,S)間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の 発光を検出。 発光箇所をTEM観察したところ、SiO2膜の破壊、SiC結晶にダメージが 認められました。 ※詳しくは...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス
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