チェックしたものをまとめて:

  • 化合物半導体ウエハ(GaAs,InP,GaP)を気体供給操作を行い、ウ…

    ◎特徴 1.450℃の高温ウエハの非接触搬送が可能である。 2.化合物半導体ウエハ(GaAs,InP,GaP)の下記の切り欠きウエハの非接触搬送が可能である。 ・φ2in ウエハ ・φ2inx1/4ウエハ ・φ2inx1/2ウエハ ...(つづきを見る

  • トリプルジャンクションGaAsセル 40mm×80mmカタログあり

    太陽光発電のための太陽電池セルです。宇宙用から地上用まで幅広くラインナ…

    数多くの低軌道及び静止軌道の人工衛星に使用実績を有する低価格、高効率のトリプルジャンクションGaAs太陽電池セルです。地上用ではGaAsセル以外にもシリコンセルや、集光システム用のCPVタイプなども取り扱っております。...(つづきを見る

  • 高効率GaAs太陽電池の製品画像ですカタログあり

    フラットパネル及び集光型太陽光発電用高効率ガリウムヒ素(GaAs)太陽…

    従来のシリコン系太陽電池より1.5倍以上の変換効率を持つGaAs太陽電池を利用することにより大容量集光型太陽光発電システムにおいて効率及び価格面でも従来のシステムよりメリットがあります。...(つづきを見る

  • カタログあり

    ウェーハ(シリコン、GaAs、ガラス)の位置決めを必要とする搬送に対応

    光学式アライナ SAL4381シリーズは、半導体製造装置内、検査装置等のウェーハ(シリコン、GaAs、ガラス)の位置決めを必要とする搬送に対応しております。シリコンウェーハのセンタリングとオリフラを高速、高精度に位置決めします。スピンドル側に0.1μmのフィルタを装備しています。制御方式はRS2...(つづきを見る

  • 軽量、高効率太陽電池パネルカタログあり

    ソーラー無人航空機やソーラーカー等に最適な軽量、高効率シリコンやガリウ…

    ミネートで太陽電池を覆うことで無人航空機の翼に接着することが可能なパネルです。また、翼の形状に合わせてフレキシブルに取付けることができます。なお、使用できる太陽電池は高効率シリコンやガリウムヒ素(GaAs)でフレキシブル太陽電池もございます。...(つづきを見る

  • カタログあり

    780-850nm VCSEL用DC-2.5Gbps レシーバー

    【特徴】 ○高速GaAsフォトダイオード ○受光面積:80µmφ ○暗電流(Typ.):30pA@5V ○パッケージ:ハーメチックシール ピグテール ○780-850nm VCSEL用DC-2.5Gbps レシー...(つづきを見る

  • 高精度±0.25um 非接触式センサにより化合物系半導体(GaAs、…

    ・5~300mmφ、210mm角サイズのワークに対応。 ・手軽にウエハ厚・TTV・反り(Bow)を測定できます。  ※Bowを測定する際には、オプションのウエハ保持リングが必要です。 ・操作は、ウエハをセンサ下に配置し、測定ボタンを押すだけでOK。  誰でも容易にセットアップ~厚さ測定まで行うことが可能です。 ・メーカー独自の技術であるプッシュ/プルセンサを搭載し、  測定ターゲットの...(つづきを見る

  • 割れやすい基盤に最適!サファイア、GaAs、SiC、シリコンウエハーの…

    横型平面研削装置SGM-7000は脆性素材基盤等を薄くグライディングするのに最適な装置...【特徴】 ○新揺動機構 ○間欠送りシステム ○オーバーロード感知システム ○ゼロタッチシステム ●その他機能や詳細についてはお問い合わせください。...(つづきを見る

  • 割れやすい基盤に最適!サファイア、GaN、GaAs、SiC、シリコンウ…

    横型平面研削装置SGM-7000Aは脆性素材基盤等を薄くグライディングするのに最適な装置...【特徴】 ○新揺動機構 ○自動計測システム ○間欠送りシステム ○オーバーロード感知システム ○ゼロタッチシステム ●その他機能や詳細についてはお問い合わせください。...(つづきを見る

  • GaAs pHEMT技術 による超広帯域(30KHz-50GHz)

    マイクロウエーブ・テクノロジー社(MicroWave Technology)の GaAs pHEMT技術 による超広帯域(30KHz-50GHz)のMMICアンプ...(つづきを見る

  • 表面洗浄ジェットクリーナーの製品画像です

    1ミクロン未満の微粒子・煤塵を吹飛ばす、表面洗浄ジェットクリーナー

    導体ウェハ(Si、InP、GaAs)、イメージセンサー、薄膜、光学レンズ、ディスク、ガラスなど、製造工程、研究開発、医療分野において、画期的な初期・最終工程の洗浄方法です。クリーンルーム、現場、研究室に携帯でき、あらゆる用途・場所...(つづきを見る

  • カタログあり

    IPAベーパーからスピンドライヤーまで各種乾燥装置を取り揃えております…

    した製品。 ヒーター容量が少なく熱伝導率が高い。 石英槽ですので金属溶質もありません。 【スピンドライヤー】 1カセット処理から4キャリアまで処理。 自動機組込可能。 ※割れ易い(GaAsなど)ワーク用も有ります。 【クリーンオーブン】 ロボット対応インライン装置も製作可能。 ※メリーゴーランド式も有ります。...(つづきを見る

  • マイクロオプティクス LEISTERの製品画像です

    標準製品及びユーザーニーズに適合したマイクロ光学部品を提供

    に最適のソリューションを供給するために、LEISTERのマイクロ光学コンポーネントは以下の材料での提供が可能です。 ● 溶融石英 ● シリコン ● プラスチック ● ガラス/シリコン/GaAs上のポリマー...(つづきを見る

  • 抵抗率/シート抵抗測定器【NC-80MAP】の製品画像です

    抵抗率/シート抵抗測定器【NC-80MAP】

    【化合物GaAsエピ層、GaP、GaNなどの非接触シート抵抗多点測定器】 ◆最大4本のセンサーによるフルレンジ測定 ◆周辺6mmからの多点測定可能 ◆SPCソフトウェア(経時変化)機能 ◆最大217点...(つづきを見る

  • カタログあり

    さまざまなニーズに対応!単結晶材料の加工工程に信頼と安心をお届けします…

    【掲載製品】 ○X線単結晶方位測定装置 2991F2/2991G2 →使い方の自由度が高く、さまざまな単結晶試料に幅広く対応 ○自動X線結晶方位測定装置 FSAS III →Si、Ge、GaAs、SiC、水晶、LN、LT、サファイヤ、ルチル、蛍石他、  様々な単結晶材料の切出方位を、ワイヤソー他の切断機に正確に伝える →切出後の方位測定も、測定者を問わず正確に行える ○インゴットか...(つづきを見る

  • HCRC

    水素を選択的に吸着することで、水素による問題を解決します!

    PdまたはPtをゲート材料とし、ガリウムヒ素(GaAs)ディスクリートFETを含む密閉した封止パッケージにおいて、水素による劣化はよく知られている現象です。 ゲートの貴金属がH2分子をH2原子へと変え、半導体材料の中に拡散し、電流と装置のゲインの減...(つづきを見る

  • レジスト塗布装置の製品画像です

    高粘度レジスト塗布が可能!

    ロボット搬送による全自動レジスト塗布装置です。Si基板をはじめ、GaAs、GaN、LT、LN等小口径化合物基板向けにコンパクトな装置も取り扱っております。開放・密閉兼用のカップ構造により、高粘度〜低粘度まで幅広いレジストに対応いたします。...(つづきを見る

  • RF電圧可変アッテネータ F2255, F2258

    基地局やマイクロ波インフラなど無線通信向けRF電圧可変アッテネータ

    ナログ制御を可能にします。今回の新製品はどちらも、3mm×3mm、16ピンのコンパクトなTQFNパッケージで提供されます。挿入損失は競合製品に比べて半減しており、IP3性能は競合するガリウム砒素(GaAs)素子の1000倍(30 dB)であり、電圧制御範囲全体にわたってdB直線性の減衰特性を示します。挿入損失が低いため、RFチェーンパス損失が軽減されるとともに、高直線性によってシステムのデータレー...(つづきを見る

  • カタログあり

    1パッケイジ内に赤と赤外の2波長 TO-18 気密封止パッケージ

    【特徴】 ○チップ材質 →赤外:GaAs 赤:GaAlAs ○発光波長(nm) →赤外:940 赤:660 ○光出力 →赤外:3 赤:4 (mW) 50@IF(mA) ○半値角(deg) →赤外:60 赤:60 ○パッケー...(つづきを見る

  • カタログあり

    φ3樹脂モールド 1パッケイジに赤と赤外の2波長

    【特徴】 ○チップ材質 →赤外:GaAs 赤:GaAlAs ○発光波長(nm) →赤外:940 赤:660 ○光出力 →赤外:2 赤:4 (mW) 20@IF(mA) ○半値角(deg) →赤外:21 赤:38 ○パッケー...(つづきを見る

  • カタログあり

    表面実装 1パッケイジに赤と赤外の2波長 直接変調

    【特徴】 ○チップ材質 →赤外:GaAs 赤:GaAlAs ○発光波長(nm) →赤外:940 赤:660 ○光出力 →赤外:4.5 赤:5.5(mW) 20@IF(mA) ○半値角(deg) →赤外:115 赤:115 ...(つづきを見る

  • RFパワーデバイスパッケージの製品画像です

    RFパワーデバイスパッケージ

    PC)を使用した パッケージを開発しましたのでリリースします。 ◆特長:CuラミネートH/S(CPC,SPC)を使用し高放熱対応 ◆用途:基地局用パワーデバイス LDMOS,GaAs 対応 ◆仕様:アルミナセラミックス W/FとH/S(CPC,SPC) 銀ロー付け後 Ni/Auメッキ処理     H/SはCu/Wもサポートしています。 写真はSiチップ用で...(つづきを見る

  • 赤色~赤外LED向け高性能薬液で低温、短時間で粗面化の形成可能です。

    発光ダイオード(LED)向け高性能薬液「AlGaAs,GaAs粗面化エッチング液」は特殊な技術を用いることなく、AlGaAs膜、GaAs膜、GaAs基板の表面を粗面化することが可能で、室温、低温度、且つ短時間での処理が可能です。面内均一性が良好で、...(つづきを見る

  • ALSIレーザーダイシング システムの製品画像ですカタログあり

    ALSIレーザーダイシング システム

    小さい切断幅  < 30 μm; 高速ダイシング  最高速度500mm/s 高い位置決め精度 < 0,1μm ウェーハ保護 水溶性コーティングによるウェーハ保護 対応基盤材質 Si、GaAs、等 幅広い材質の半導体基板で使用可能 対応基板サイズ 12インチ基盤以下対応 ...(つづきを見る

  • エムディーエル(MDL)社製 GaAs半導体レーザ レーザ測距モジュー…

    幅7.8cm、奥行き15.4cm、重量950gのコンパクトなモジュールです。最大300mまでの距離をノンターゲットで測定します。...【特徴】 ○発振波長:905nm ○測距範囲:5m~300m ○ビーム拡がり角:3×2.3mrad ○測距周波数:9Hz/1,000Hz ●詳しくはお問い合わせ下さい。...(つづきを見る

  • カタログあり

    中国製GaAs 単結晶GaAsウエハ 高純度GaAsポリ

    高純度のGaAsポリ(Poly)をご提供いたします。 又、Φ2”~Φ4”の単結晶GaAsインゴット、ウェハーもご提供いたします。 ...(つづきを見る

  • カタログあり

    キーとなる革新的なプロセス技術の研究・製造コストの最適化・歩留まりの改…

    Insightsは、10人のプロセス専門家をスタッフとして抱え、140年以上にわたって蓄積されたデバイス構造解析の集合的専門知識をご提供します。 デバイスにはCMOS、バイポーラ、BiCMOS、GaAs、SiGe、銅、低誘電体、SOI、歪シリコン、MEMS、TFTが含まれますが、これらに限定されるものではありません。 TechInsightsの専門的技術によって収集されたデータを使用し、お客様...(つづきを見る

  • カタログあり

    難削材もOK!対象ごとに、専用の工程や研磨材を開発!高精度な表面研磨を…

    【研磨対象の素材例】 Si、Sic、GaN、GaAs、サファイア、LiTaO3、LiNbO3、SiN、AlN、Cu、Al、SUS、 Ti、Au、Ag、W、石英ガラス、パイレックスガラス、強化ガラス、ソーダガラス など多数! ※詳しくはカタ...(つづきを見る

  • エムディーエル(MDL)社製 GaAs半導体レーザ レーザ測距モジュー…

    幅54mm、奥行き103mm、軽さ260gと超小型のため、さまざまな機器への組み込みが可能です。...【特徴】 ○発振波長:905nm ○測距範囲:5m~150m/1km(反射ターゲット) ○ビーム拡がり角:2.5×0.2mrad ○測距周波数:9Hz/400Hz ●詳しくはお問い合わせ下さい。...(つづきを見る

  • カタログあり

    現像液温度精度±1℃。φ4"φ5"φ6"…

    【特徴】 ○現像液温度精度±1℃ ○φ4"φ5"φ6"を治具交換にて対応 ○高精度のロボット採用により、高スループット化実現 【仕様】 ○対象ワーク:Siウェハー、GaAs、ガラスマスク、液晶ガラス、セラミック ○ワークサイズ:φ2"~□150mm ○チャンバー径、材質:φ400mm SUS304 ○スピンモーター:ACサーボモーター(200W) ○回転数範...(つづきを見る

  • カタログあり

    研磨装置・研磨消耗品・研磨プロセスをセットでご提供。

    研磨対応範囲は、シリコン、化合物半導体(GaP、GaAs、InP)、ワイドギャップ半導体(SiC、GaN)、石英ガラス、サファイア等がございます。...(つづきを見る

  • 広帯域RFスイッチ F2932、F2933

    GaAsスイッチとの互換性を備えつつ、優れたRF性能の組み合わせを実現…

    z時): • 高アイソレーション:66dB • 低歪み:15dBmのトーン、1MHzのチャネル間隔で64dBmのIIP3 • 低挿入損失:0.93dB • P1dB:35dBm以上 GaAsベースのスイッチなど、競合製品と比較した場合のメリット: • RF性能の向上 • 信頼性の向上 • 簡単に組み込み可能 • ソリューション全体のコストを削 ...(つづきを見る

  • カタログあり

    装置内に多軸型GCRとガラス対応アライナSAL3361GRを搭載

    リコンのセンタリングと  オリフラロケートを高速、高精度に位置決め可能 【仕様】 ○対象キャリア:150mmウェーハ用カセット ○対象ウェーハ:150mmウェーハ(ガラス、サファイア、GaAs) ○スループット:140枚/h(装置側の処理時間は含まない) ○クリーン度:ISO クラス2 ○外形寸法:W835×D940×H1815 ○重量:350kgf ○ユーティリティ →電...(つづきを見る

  • カタログあり

    少量のウェハがほしい!研究・テスト用途に便利なウェーハ販売サービス! …

    ) *センサー向け1万オームを超えるような高抵抗FZ *中耐圧のパワーデバイス向けPFZ *高耐圧のパワーデバイス向けNTDFZ *太陽電池向けPV-FZ SOI、SiC、SiGe、GaAs、GaN、InP、ゲルマニウム、サファイア、ガラス、その他ウェーハも対応可能です。 成膜加工、シリコン各種加工品(特殊径・特殊厚み)、その他シリコンウェハ以外にも、化合物基板など幅広く取り扱って...(つづきを見る

  • クリンルームで使用可能な非接触搬送装置「SiCウエハ用ベルヌーイチャッ…

    れる。そのため高速空気噴流がクリーンルーム内に流入することが少なく、ゴミの排出、塵の巻き上げることがありません   ◎適応  ・SiC基板  ・サファイアウエハ  ・ヒ化ガリウムウエハ(GaAs)     ...(つづきを見る

  • カタログあり

    バックグラインドテープが付いたままで、ウェハの厚みのみを正確に測定

    ■新光源SLDと偏波保持ファイバを採用。そして、対象物と参照面からの干渉光を回折格子による分光、解析。 世界初の原理が高精度な測定シーンを実現しました。 ■Siをはじめ、GaAs、SIC、InP、a-Siなどの半導体を透過できる近赤外SLDを採用。 BG(バックグラインド)テープが付いたままでも、ウェハのみの厚みを正確に測定できます。 ■ウェハ表面のパターンによる測定...(つづきを見る

  • カタログあり

    大受光径 光配線ファイバーチャンネルレシーバー

    【特徴】 ○大受光径GaAsフォトダイオード ○受光面積:200µmφ ○暗電流(Typ.):2.5pA@2V ○パッケージ:チップ ○光配線ファイバーチャンネルレシーバー ○大受光径 ○低暗電流 ○高速 ...(つづきを見る

  • SPARCカタログあり

    マイクロフォトニック構造研究用の高感度で複合機能を持つ高分解能角度分解…

    波長の分解能でナノ・マイクロ構造のフォトニック研究に適した真に独特な分析手法です。 金属質(プラズモニック、Ag、Au、etc)、誘電体(SiO2、Si3N4、TiO2、etc)や半導体(Si、GaAs、CdTe、etc)のマイクロ・ナノフォトニック構造およびその関連材料の研究に有用です。...(つづきを見る

  • 無線周波数(RF)可変利得アンプ(VGA) F0480

    超高線形性・内部整合型の新しい広帯域RF VGA

    ガリウム砒素(GaAs)を用いたデバイスが外部整合を必要とし、二次なだれが遅れてしまう恐れがあるのに対し、このチップは耐湿性に優れ、静電気放電(ESD)からの保護が強化されているため、より堅固で信頼性の高い技術となって...(つづきを見る

  • LTCC基板の刃先スクライブ加工例

    ドライ加工(スクライブ&ブレイク)による基板加工(ウエハーカッティング…

     メカニカル(刃先):△、レーザー(UV355):△ ■酸化亜鉛(ZnO)  レーザー(UV355):○ ■リン化インジウム(InP)  レーザー(UV355):○ ■砒素化ガリウム(GaAs)  レーザー(UV355):○...(つづきを見る

  • カタログあり

    組織検査から微構造組織検査試験まで対応した万能研磨機ドクターラップ最新…

    ■フリーハンド式研磨や組織観察用試料研磨 ■微構造組織分析用試料研磨 ■高精度平行研磨、高精度平面度研磨 主な用途 ■機器分析試料 EPMA鏡面やSEM鏡面仕上げ ■Si基板鏡面やGaAs鏡面仕上げ ■光学ガラス鏡面仕上げ ■フチダレの無い金相試験試料の鏡面仕上げ ■光ファイバーの端面研磨、側面研磨 ■複合材界面の角度研磨 ■物性試験試料研磨 ■岩石、鉱物の薄片試料作成...(つづきを見る

  • カタログあり

    デバイス内蔵により、FPGA・ASICの設計品質と設計効率を向上。

    複雑化するFPGA・ASICの開発・設計では、いついかなる状況で不具合が発生するか予測がつきません。これに対するLSI検証のVtechからの解答が、世界初となるデバイス内蔵型の検証IP「VARON」。内蔵型の利点を活かし、ターゲットデバイスをリアルタイムで多角的な視点で把握・解析できるほか、長時間の常時検証など、シミュレーションツールでは困難なデバイス内部の可視化がエンジニアのスキルに依存せずに容...(つづきを見る

  • ボール搭載イメージカタログあり

    半導体ウェハ上へ微小な半田ボールを用いたバンプ形成受託加工

    小な半田ボールを半導体ウェハに搭載し、高精度な半田バンプを形成します。 ※マイクロボール:Φ100μm以下の半田ボール ■1枚の試作から量産案件にも対応します。 ■Siウェハだけでなく、GaAs・サファイア・ガラス等の特殊ウェハも取り扱い可能です。 ■Φ50μmの半田ボールも高精度に搭載します。...(つづきを見る

  • PD-kitカタログあり

    市販電池で簡単に使用できる組み立て式フォトダイオードキット

    電池駆動方式採用で光学系に干渉せず、電圧レギュレータにより、電池残量を気にせず使用が可能です。 (仕様) ディテクター素子:InGaAs PIN 波長帯: 0.9 ~ 1.7 um バンド幅: 1 GHz 出力端子: SMA サイズ 55 x 60 x 20 mm (基本構成部品) • InGaAs PINダイオー...(つづきを見る

  • カタログあり

    Single Photon Counting Avalanche Ph…

    The Princeton Lightwave SPAD is an InGaAs/InP avalanche photodetector designed specifically for single photon counting applications. The de...(つづきを見る

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