GaAs | イプロスものづくり

PR“サセプタ不用"の高スループットSiCウェハアニール！4-8…

『HEATPULSE』は、サセプタ不要のSiCウェハアニールが可能な高速加熱処理(RTP/RTA)装置です。独自技術により高温プロセスも効率化。パワーデバイス関連、およびその他の半導体業界、または高温高速加熱処理が必要な方に好適な装置です。【特長】 ■独自技術により、サセプタ無しでのSiCアニールを実現 ■パージ効率、昇温レートの向上により、約1.5倍の高スルー...

メーカー・取り扱い企業：プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

GaAs搭載基準セル

ソーラシミュレータ法を用いた基準太陽電池の校正に。分光感度特性が類似し…

GaAs型（III–V族化合物半導体）セルは、従来のSi型セルに⽐べ、はるかにペロブスカイト型セルと似た分光感度特性を有しており、安定性においても優れています。 GaAs型セルは、ペロブスカイト型のリファレンスとして一般的に用いられる「Si型セル」と「色ガラスフィルタKG-5」の組み合わせによる測定と比較して、スペクトルミスマッチがはるかに優れています。オランダのReRa Solutions は高品質...

メーカー・取り扱い企業：石川産業株式会社

GaAsフォトダイオード　OSI optoelectronics

◆GaAsフォトダイオード ◆GaAsを基にした半導体の光センサ …

アクティブエリアに入射された時にフォトカレントを発生するGaAsを基にした半導体の光センサです。一般的に400から850nmに感度があります。【フォトダイオードアレイ】 FCI-GaAs-XXmは、高速ファイバーレシーバやアプリケーションモニタ用...

メーカー・取り扱い企業：株式会社オプトロンサイエンス

GaAs / InGaAs フォトミキサー(光伝導アンテナ)

TeraBeam用エミッタ―/レシーバーモジュール

・最先端のフォトミキシング技術を採用・GaAs および InGaAsベースの発振器 / 検出器・SM/PMファイバーピッグテイルを装備した完全なパッケージモジュール・最大 100 µW の高出力・別途 TeraBeam 780 ま...

メーカー・取り扱い企業：トプティカフォトニクス株式会社営業部

【KTM】GaAs半導体レーザ　レーザ測距モジュール IM300

エムディーエル（MDL）社製　GaAs半導体レーザレーザ測距モジュー…

幅7.8cm、奥行き15.4cm、重量950gのコンパクトなモジュールです。最大300mまでの距離をノンターゲットで測定します。...【特徴】 ○発振波長：905nm ○測距範囲：5m～300m ○ビーム拡がり角：3×2.3mrad ○測距周波数：9Hz／1,000Hz ●詳しくはお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業：カンタム・ウシカタ株式会社

非接触厚さ測定装置　ＯＺＵＭＡ２２　

半導体用ウエハー（Siシリコンウエハー・GaAs・ガリウム砒素砒素）、…

半導体用ウエハー（Siシリコンウエハー・GaAs・ガリウム砒素（Ga)砒素(As)）、ガラス、金属等の高精度非接触厚さ測定装置のOZUMAが新しくなりました。非接触厚さ測定装置OZUMA22は半導体用ウエハー（Siシリコンウエハー・GaAs・...

メーカー・取り扱い企業：佐々木工機株式会社

ガウスメーター『HGM3-3000P』

スイッチ切替により交流磁界測定対応モデル！

応しています。【特長】 ■ピークホールド機能を搭載 ■コストパフォーマンスに優れる ■スイッチ切替により交流磁界測定にも対応 ■独自技術により、標準磁石による日常の校正は不要 ■GaAsホール素子を使用しており、広範囲な温度条件での測定が可能 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業：株式会社エーデーエスデンケングループ

非接触式シート抵抗測定機『LEI-1510シリーズ』

広い範囲で優れた測定直線性！三次元グラフィックマップとしてPCモニター…

事により、多数枚を迅速に計測処理する事が可能。四探針方式で起こる、探針の接触汚染や接触具合による再現性の問題を解決します。 2インチから最大8インチまでのSiウェーハ、化合物半導体(GaAs、GaN、InP等) epiウエハを非接触・破壊にてシート抵抗を測定します。【特長】 ■探針の接触汚染や接触具合による再現性の問題を解決 ■多数枚を迅速に計測処理する事が可能 ■0...

メーカー・取り扱い企業：日本セミラボ株式会社新横浜本社

カソードルミネッセンス分光装置　SPARC

マイクロフォトニック構造研究用の高感度で複合機能を持つ高分解能角度分解…

波長の分解能でナノ・マイクロ構造のフォトニック研究に適した真に独特な分析手法です。金属質（プラズモニック、Ag、Au、etc）、誘電体（SiO2、Si3N4、TiO2、etc）や半導体（Si、GaAs、CdTe、etc）のマイクロ・ナノフォトニック構造およびその関連材料の研究に有用です。...

メーカー・取り扱い企業：エルミネット株式会社

非接触式超低抵抗レンジシート測定システム『PVE-80』

PCによる簡単な測定操作、データ保存・管理！測定表示単位の変更が可能な…

【測定仕様】 ■測定対象　・新素材、機能性材料関連(カーボンナノチューブ、DLC、グラフェン、銀ナノワイヤーなど) 　・導電性薄膜関連(メタル、ITOなど) 　・化合物半導体関連(GaAs Epi, GaN Epi, InP, Gaなど) 　・その他(※お問い合わせください) ■測定サイズ：～A4サイズ程度(W300 x D210mm) ■測定範囲：50μ～1m Ω/sq ...

メーカー・取り扱い企業：ナプソン株式会社

非接触移動度測定装置『LEI-1610シリーズ』

様々な半導体キャリア輸送特性の測定が可能！マイウロウェーブ反射による非…

1610シリーズ』は、移動度、キャリア濃度、シート抵抗など様々な半導体キャリア輸送特性の測定が可能な非接触移動度測定装置です。 2インチから最大8インチまでのSiウェーハ、化合物半導体（GaAs、GaN、InP等） epiウエハを非接触・破壊にてキャリア移動度、シート抵抗、シートチャージ密度が測定できます。【特長】 ■マイウロウェーブ反射による非接触移動度測定 ■高周波...

メーカー・取り扱い企業：日本セミラボ株式会社新横浜本社

走査型マイクロ波顕微鏡法_SMM

Scanning Microwave Microscopy

3程度のキャリア濃度に感度がある・キャリア濃度に線形に相関した信号が得られるため、仮定のもとに定量評価(半定量)が可能・AFM像の取得も可能・Si, SiC, GaN, InP, GaAs 等の各種半導体が計測可能この資料では、適用例や原理、データ例などを紹介しています。詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。 ...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

卓上型アライナー『GA2400』

極単純構造で製造コストを削減！4インチウェハ対応エッジグリップ仕様アラ…

【仕様】 ■被搬送物：4インチ　GaAsウェハ、SiCウェハ ■位置決め精度　・センタリング：±0.2mm以内　・オリフラ：±0.1度以内ないしは±0.15度以内 ■位置決め時間：約15秒以内ないしは約10秒 ■クリーン度...

メーカー・取り扱い企業：アテル株式会社

抵抗率／シート抵抗測定器【NC-80MAP】

【化合物GaAsエピ層、GaP、GaNなどの非接触シート抵抗多点測定器】 ◆最大4本のセンサーによるフルレンジ測定 ◆周辺6mmからの多点測定可能 ◆SPCソフトウェア（経時変化）機能 ◆最大217点...

メーカー・取り扱い企業：ナプソン株式会社

スクラッチ装置

高精度・精密計測！任意のしきい値設定から欠陥に対してOK/NG判別を全…

ておりウエハーの厚みに依存しません。画像記録のほか任意のしきい値設定から欠陥に対してOK/NG判別を、全自動で行います。アプリケーションとして、透明体、半透明のSiCやGaN、 GaAs、サファイア、シリコンなど、多彩に対応致します。【特長】 ■極微少なスクラッチ（傷）、異物、カケの外観検査を全自動で行う ■ワークまでの距離を自動で測るレーザー変位計を装備 ■ウエハ...

メーカー・取り扱い企業：ソフトワークス株式会社

卓上型顕微鏡ローダー『SYAR110』

2、3、4インチまでのそりの大きなGaAsや各種ウェハ対応！顕微鏡ロー…

0』は、卓上型ロボットと照明観察ユニット、顕微鏡ステージからなる顕微鏡ローダ装置です。照明観察ユニットにて、ウェハ表面のマクロ観察が可能。ワークは2～4インチまでのそりの大きなGaAsを始め、各種ウェハに対応します。【特長】 ■ウエハをカセットから抜き取り、顕微鏡ステージに供給 ■ワークは2～4インチまでのそりの大きなGaAs、各種ウェハに対応 ■レーザー型マ...

メーカー・取り扱い企業：アテル株式会社

固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3　半導体ウェハ用

表面特性の分析を直接評価。表面特性の解明と改良、及び新しい材料開発に貢…

【測定対象】半導体ウェハ (シリコンウェハ、ガリウム砒素 (GaAs) ウェハ、ガリウム燐 (GaP) ウェハ、窒化ガリウム (GaN) ウェハ、シリコンカーバイド (SiC) ウェハ、サファイアウェハ、化合物半導体ウェハ、SAWウェハ) 【測定サンプルの...

メーカー・取り扱い企業：株式会社アントンパール・ジャパン

sMIMによる半導体拡散層の解析

濃度の変化をCの変化として検出！dC／dV信号も取得でき、拡散層の解析…

と空乏層容量からなり、不純物濃度に依存して空乏層幅がかわることを利用して、濃度の変化をCの変化として検出します。【適用例】 ■sMIM-C：Si, SiC, GaN, InP, GaAs などの各種半導体素子の拡散層の　　　　　可視化およびドーパント濃度の半定量評価 ■dC/dV：拡散層形状評価、p/n極性の判定、空乏層の可視化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、...

メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス

株式会社アムテックス Monthly Review2020-06

5G向けHPA・LNA製品をはじめ、トータルGNSSナビゲーションなど…

当資料は、RF、ミリ波、THzとGNSSセンサー製品を取り扱う株式会社アムテックスが発行する『Monthly Review』2020年6月版です。 GaN or GaAsデバイスで構成された「5G NR Ka帯 HPAシリーズ」をはじめ、「マイクロ波フェライト・アイソレータ」や「トータルGNSSナビゲーション」などを掲載しています。 "Monthly...

メーカー・取り扱い企業：株式会社アムテックス

化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定事例集

化合物半導体系超格子サンプルを使用した深さ分解能測定の結果を掲載！

株式会社イオンテクノセンターの深さ分解能測定の結果を掲載している事例集です。 Q-pole SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、 Al0.28Ga0.72As/GaAsを50nmずつ分子線エピタキシー(MBE)で成膜した化合物半導体サンプルを試料として用いて、深さ分解を求めた結果を掲載しています。【掲載概要】 ■深さ分解能測定の結果 ※詳...

メーカー・取り扱い企業：株式会社イオンテクノセンター