MOSFET | イプロスものづくり

当社のリレーテスターのラインアップをご紹介！特長や適用などを掲載

当社の『シグナル、MEMS、MOSFET、リレーテスター』をご紹介いたします。最大1000ch分のデバイスのバーンイン処理が可能な「MEMSバーンインテスター」をはじめ、4aアレイ品に対応した「MOSFETリレーテスター...

SiCパワーデバイスでも、特定箇所の断面作製、拡散層の形状観察、さらに…

当社では、LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察を行っております。 FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM/EBICによる拡散層の形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造までのスルー解析が SiCパ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス

SiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価

ディスクリートパッケージ内部の構造を非破壊で立体的に観察

他社品調査や異常品検査では、まず内部構造の調査が必要です。X線CTでは、非破壊で試料内部の透過像を取得し、三次元構築することが可能です。本資料では、製品調査の一環としてSiCチップが搭載されたディスクリートパッケージをX線CTで観察した事例をご紹介します。 X線CTによる構造確認後、MSTで実施している物理分析（破壊分析）をご提案します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【IGBT,パワーMOSFET評価用】高電圧試験ボックス

感電から身を守る高電圧試験環境

九州工業大学の大村先生による、「パワーデバイス評価実験時、学生の安全を何よりも優先して、試験環境を整えたい」という想いから生まれた高電圧試験ボックス。...IGBTやパワーMOS FET、ダイオード、トランジスタなどの各種半導体における、⾼電圧実験を安全に⾏うための試験環境です。インターロック機構による100V以上での充電中ロックや、⾼電圧に対応可能な電解コンデンサに対応する放電機...

メーカー・取り扱い企業：九州計測器株式会社

中低電圧MOSFETの世界市場レポート YH Research

『無料サンプル』を入手可能！関連リンクから詳細をご覧になり、直接お申…

YH Research株式会社（本社：東京都中央区）は調査レポート「グローバル中低電圧MOSFETのトップ会社の市場シェアおよびランキング 2023」を12月5日に発行しました。本レポートでは、中低電圧MOSFET市場の製品定義、分類、用途、企業、産業チェーン構造に関する情報を提供します。ま...

メーカー・取り扱い企業： YH Research株式会社

分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析

デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供

パワーデバイスは高電圧・大電流のスイッチとして電力/省エネの観点で注目されています。パワーデバイスでは、高電圧がかかるゆえの配線の不良や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定および解析が必須となります。本資料では不良箇所の特定をEMS(エミッション顕微鏡法)を用いて行い、不良要因解析をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)とSEM（走査型顕微鏡法）で評価した事例をご紹介し...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiCパワーMOSFETのコンタクト電極評価

コンタクト電極/SiC層の界面の相同定・元素分布評価

市販のSiCパワーMOS FET素子の解析事例をご紹介します。 SiC材料では、SiだけでなくCを含めた系での材料制御が必須となり、従来のSi半導体の製造方法と違いがあります。コンタクト電極とSiC層のオーミック接合形成プロセスにおいて、TEMを用いたEDX/EELS分析および電子回折から、Cを含めた元素分布や結晶相を評価しました。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

冗長モジュール

プルスの冗長モジュールは、1+1およびn+1の冗長システムで、最高水準…

◆高効率なデカップリング ◇MOSFETテクノロジーを採用した冗長モジュールプルスは、無負荷時損失を最小限に抑えたいというニーズに応えるため、MOSFETテクノロジーを取り入れたデカップリングソリューションを開発しました。例えば、...

メーカー・取り扱い企業：プルス株式会社

【RECOM社】評価ボードとリファレンスデザイン

RECOM社が提案する評価ボードとリファレンスデザイン

ートアイテムとして評価ボードやリファレンスデザインの提供をしております。対象となるアプリケーションは低消費電力IoTアプリケーション、ハイパワーIGBT、第一及び第二世代SiC MOSFET、GaN MOSFET等多岐に渡ります。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　＊詳細に関しましては下記ファイルをご参照下さい。＊資料をダウンロード頂きました会員の...

メーカー・取り扱い企業：株式会社理経

評価ボード『EVAL-1ED3890MX12M』

I2Cバスを使用し、パラメータ調整、状態監視、フォールトフィードバック…

『EVAL-1ED3890MX12M』は、ゲートドライバーICを2つ搭載したハーフブリッジ構成で、 Si MOSFETやIGBT、SiC MOSFETなどのパワースイッチを駆動します。スイッチの種類は自由に選択可能。ボードサイズは、電源スイッチを取り付けていない状態で85×85×15mmです。 ...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

評価ボード『EVAL-1ED3251MC12H』

スイッチングデバイスにおける寄生ターンオンを回避！2段階のスルーレート…

式の評価を行う事ができ、スイッチの種類は自由に選択可能。ゲートドライバーICを追加することで、高電圧側からロジック制御部へ超高速の過電流フィードバック信号が送信できる為、SiC MOSFETの使用を実現しています。【特長】 ■ユニポーラまたはバイポーラの広い電源電圧範囲で動作 ■EiceDRIVER 2L-SRC小型シングルチャネル絶縁型ゲートドライバー 1ED32...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

評価ボード『EVAL-PSIR2085』

対応するEiceDRIVER絶縁型ゲートドライバ評価ボードとの併用でプ…

『EVAL-PSIR2085』は、EVAL-1ED3122MX12HなどのEiceDRIVER絶縁型ゲートドライバ評価ボードに電源を供給するために開発された標準の電源ボードです。 MOSFET、IGBT、SiC MOSFETなどのパワー半導体が搭載されている様々な評価ボードに対応。産業用モータドライブをはじめ、業務用空調機器やEV充電、蓄電システム等のアプリケーション...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

アイソレートゲートドライバー評価ボードEVAL-PSIR2085

使いやすい電源ボード、2つの絶縁された電源！プラグ＆プレイで使用可能

『EVAL-PSIR2085』は、EVAL-1ED3122MX12HなどのEiceDRIVER 絶縁型ゲートドライバ評価ボードに電源を供給するために開発された標準の電源ボードです。 MOSFET,IGBT,SiC MOSFETなどのパワー半導体が搭載されている様々なEiceDRIVER絶縁型ゲートドライバ評価ボードに対応します。【特長】 ■2つの絶縁された電源 ■ゲート...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

SiCデバイスの裏面発光解析

SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対…

SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-（D,S）間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の発光を検出。発光箇所をTEM観察したところ、Si...

メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス

ADLINK USB DAQ USB-7230/7250

絶縁型USBデジタルI / Oモジュール

30) / 8(USB-7250) ■光絶縁型周波数/イベント·カウンタチャンネル数: 2 ■光絶縁型出力チャンネル数: 16 出力タイプ: Open drain MOSFET 電源電圧: 5-35VDC ■一般仕様インターフェース: High speed USB 2.0 データ転送: Programmed I/O サイズ: 156.5 (L)...

メーカー・取り扱い企業：サンテックス株式会社

半導体カーブトレーサ CS-10000/5000シリーズ

岩通計測機社製　IGBTやMOSFET・トランジスタ・ダイオードなど各…

【特長】超大電流を必要とする、高速鉄道用インバータや、大規模太陽熱発電、風力発電などの大容量パワーコンディショナに使用するIGBTやMOSFET、SiCを用いた最新パワー半導体などの特性評価に大きく貢献します。カーブトレーサは、半導体の電流・電圧特性をステップ状に変化させた信号でドライブして、その特性を素早く知ることが出来ます。用途に合...

メーカー・取り扱い企業：株式会社マックシステムズ

短絡耐量評価・解析レポート

短絡耐量性を測定し、故障メカニズムを明らかにします！

株式会社エルテックは『短絡耐量評価・解析レポート』を販売しています。短絡故障の瞬間に爆発する他のSiC MOSFETと比較して、 INFINEON CoolSiC MOSFETは爆発することなくソフトに故障します。このレポートでは、短絡耐量性を測定し、故障メカニズムを明らかにしています。【特...

メーカー・取り扱い企業：株式会社エルテック

光絶縁デジタルIOボード　PCI-PGIO

nologies社製　光デバイスを出力13個、光入力5個搭載してます。 ○フォトカプラ絶縁でもノイズを除去出来ない環境下で威力を発揮します。 ○高電圧機器を使った測定、高電圧素子（IGBT、MOSFET、SiC等パワー半導体）の測定用途に最適です。 ○Xilinx製Ｖｅｒｔｅｘ5を実装しており、10nsec分解能のパターンジェネレータ、高速光通信などの組込も可能です。・詳細はカタロ...

メーカー・取り扱い企業：応用電機株式会社神奈川事業部（大和工場）

【分析事例】SNDMおよびSMMによる拡散層評価

SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は素子の高集積化が可能であり、SiCデバイスへの応用展開も進められています。一方、SiCデバイスのドーパント活性化率には課題があり、出来栄え評価が重要となります。今回、SiC Trench ...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

パワーデバイステスター（半導体テスター）『N50シリーズ』

コンパクト＆高速計測！200V耐圧仕様のパワーデバイステスター（半導体…

【開発評価用途等のカスタム】 ■di/dt耐量・MOSFETのボディーダイオードの逆回復動作の破壊試験 ■dv/dt耐量・MOSFETに寄生するNPNトランジスタが2次降伏を起こさないかの試験 ■サージ耐量ダイオード・非繰返しピーク順電流“I...

メーカー・取り扱い企業：株式会社日本技術センター

パワーサイクル試験（パワーモジュールの信頼性評価）

パワーサイクル試験前後や試験途中における各種測定、観察、解析も一括で実…

【その他の特長】 ■破壊の初期状態を検知し、後工程となる故障解析が容易なサンプルの作製が可能 ■MOSFET、IGBT、SBD、FWDなど、全てのパワー半導体に対応可能 ■同時に16素子までの試験が可能（ただし、試験サンプル・試験条件による） ■試験機を50台保有してるため試験のスケジュール調整が...

メーカー・取り扱い企業：株式会社クオルテック

評価ボード『EVAL_6EDL7141_TRAP_1SH』

GUIソフトウェアツールも利用可能！オンボード電源とゲートドライブ出力…

本ソリューションは、XMC1400シリーズのマイクロコントローラーに、 MOTIX 6EDL7141三相スマートドライバーICと、クラス最高水準のインフィニオンOptiMOS 6パワーMOSFETを組み合わせたものです。【特長】 ■台形/ブロックコミュテーションを用いたBLDCモータードライブボード ■設定可能なオンボード電源とゲートドライブ出力を装備 ■設定可能な保護...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

樹脂材料（半導体 LED用途）の分析

樹脂材料を分析し、製品性能に与える特性を評価することが可能！

株式会社アイテスでは、樹脂材料（半導体 LED用途）の分析を行っております。 MOSFET、ICといった半導体製品、LEDパッケージには、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂といった樹脂材料が多く使用されています。これらの特性は製品の性能に大きく寄与します。当社ではこれらの ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス

【SiC・GaN対応】パワーデバイステスター（半導体テスター）

SiC、GaNなど新素材に対応すべく、高耐圧、高速スイッチング用途の計…

当社では、開発評価用途等のカスタムニーズにも対応いたします。・di/dt耐量：MOSFETのボディーダイオードの逆回復動作の破壊試験・dv/dt耐量：MOSFETに寄生するNPNトランジスタが2次降伏を起こさないかの試験・サージ耐量（ダイオード）：非繰り返しピーク順電流“IF...

メーカー・取り扱い企業：株式会社日本技術センター

『TEMの基礎』『TEMの応用と事例』※希望者全員にプレゼント

高分子や半導体など、幅広い分野の研究開発に活躍するTEM（透過電子顕微…

■コントラストの要因　■TEM、STEMの使い分け　　　■超高分解能HAADF観察 <TEMの応用と事例> 　■分析事例　　・雰囲気制御＆冷却下でのTEM分析　　・SiCパワーMOSFETのコンタクト電極評価　　・微細トランジスタの構造評価 ※小冊子をご希望の方は「お問い合わせ」より、　“カタログ送付希望”の欄にチェックを入れてお申し込みください。（ダウンロード...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

モジュール式　回生型双方向直流電源

直並列の組み合わせが自由自在にできる高性能な試験・評価用電源のNEWモ…

（2000V）、 12並列（2160A）での運転が可能（最大接続台数12台（360kW）） ■ 小型化 / 高効率化 3LEVEL PFC、DAB※2 回路の採用に加えて、自社開発の SiC MOSFET モジュール搭載により19インチラックサイズのユニットを実現。効率は、93.5％以上（500V、60A出力時） ※2　PFC：Power Factor Correction / DAB：Dua...

メーカー・取り扱い企業：株式会社三社電機製作所

大容量　半導体カーブトレーサ　CS-10000シリーズ

パワーデバイスの特性測定に最適！高速鉄道などで使われるパワーデバイスも…

【特長】 ○超大電流を必要とする、高速鉄道用インバータや、大規模太陽熱発電、風力発電などの大容量パワーコンディショナに使用するIGBTやMOSFET、SiCを用いた最新パワー半導体などの特性評価に大きく貢献します。 →CS-10800（最大ピーク電圧10kV）（最大ピーク電流8,000A） →CS-10400（最大ピーク電圧10kV）（...

メーカー・取り扱い企業：岩崎通信機株式会社

ゲートドライブユニット『VLB512/VLB519-01R』

モジュール自身から出力されるRTC信号と協調し、短絡保護機能を実現！

『VLB512-01R/VLB519-01R』は、三菱電機株式会社製RTC回路内蔵SiCMOSFETモジュール用ゲートドライブユニットです。【特長】 ■シンプルで扱いが容易な2回路入りゲートドライブシステム ■モジュール内RTC回路に対応した短絡検出回路内蔵 ■短絡保護回路内蔵 ...

メーカー・取り扱い企業：イサハヤ電子株式会社

回生機能付き双方向直流安定化電源『PBWシリーズ』

5kWで18kgの軽量・省スペース！直列モデルでは最大1000Vに対応…

『PBWシリーズ』は、変換効率最大92％の回生双方向直流電源です。パワーユニット全てにSiC MOSFETを使用した高周波スイッチングと回生技術により、高い変換効率と従来の構成と比較して約80％の圧倒的な小型・軽量化を実現。これらにより、限られたスペースで大容量の直流安定化電源として...

メーカー・取り扱い企業：株式会社テクシオ・テクノロジー

負荷専用型・高周波誘導加熱電源『IMC-ASH/AFHシリーズ』

分離型の整合部。全ての周波数で97％以上の高いインバーター効率

量産設備に適した電源装置です。ある程度限定された加熱対象物や加熱コイルの変化を前提とすることで、小型化・低廉化を達成しました。低ON抵抗、高速スイッチング特性を有すIGBT/MOSFETモジュールを採用し、全ての周波数で97％以上のインバーター効率を誇ります。温度制御ユニット搭載、ユーザー制御盤内に電源単体を配置するなど、多様で便利な使い方が選べます。【...

メーカー・取り扱い企業：アイメックス株式会社本社

半導体カーブトレーサ　CS-12800/CS-15800

最大ピーク電圧15kV、電流8000A！パワーデバイスの特性測定に最…

実現し、高耐圧の測定をカバーする半導体カーブトレーサです。超大電流を必要とする高速鉄道用インバータや大規模太陽熱発電、風力発電などの大容量パ―ワ―コンディションに使用する IGBT や MOSFET、SiC、GaN を用いた最新パワー半導体などの特性評価に大きく貢献します。【特徴】 ■最大ピーク電圧15kV、最大ピーク電流8000A（CS-15800） ■4つのコレクタ・サプラ...

メーカー・取り扱い企業：岩崎通信機株式会社

半導体カーブトレーサ　CS-5000シリーズ

3300Ｖ耐圧のパワーデバイスのブレークダウン測定に最適。

「半導体カーブトレーサ　CS-5000シリーズ」は、IGBTやMOSFET、トランジスタ、ダイオードなど各種半導体の特性測定に最適です。 V-Iカーブ観測及び、電圧、電流の印加波形も観測することができます。測定項目は、最大ピーク電圧:5000V（高電圧モード...

メーカー・取り扱い企業：岩崎通信機株式会社

伝導放熱小型3500W電源『HCAシリーズ』

産業機械向け大電力アプリケーションなどに！耐環境性が求められる装置に対…

やMRIなどの大電力アプリケーション用高周波アンプの先進デバイス駆動電源として使用でき、より高効率なシステムを実現できます。また、高耐圧部品にワイドバンドキャップ半導体(SiC-MOSFET)を採用することで高効率を実現しています。【特長】 ■ファンレス構造 (伝導冷却タイプ) ■低背型で1.5Uサイズに対応 (高さ65mm) ■ワイド入力　3Φ　180～528V...

メーカー・取り扱い企業：コーセル株式会社

半導体カーブトレーサ　「CS-3100」

各種半導体の特性測定に最適

半導体カーブトレーサ　「CS-3100」は、IGBT、MOSFET、トランジスタ、ダイオードなど各種半導体の特性測定に最適です。詳しくはカタログをダウンロードしてください。 ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社マックシステムズ

【中古】直流電源　R6246　アドバンテスト

中古計測器:電気計測／絶縁抵抗／信号発生／電力測定:電源

ソレーションされた2チャンネルのソース・メジャメント・ユニット(SMU)を持つ、直流電圧/電流源/モニタです。・発生/測定とも広い範囲をカバーしており、バイポーラ・トランジスタ、MOSFET、GaAsFETなどの個別半導体から、各種IC、パワー・デバイスまでの直流特性測定に最適です。また、測定スピードのアップに加えて2チャンネル同期測定機能により、今まで困難だった正確なタイミン...

メーカー・取り扱い企業：株式会社メジャー

PBWシリーズ・LRWシリーズ

エネルギーエレクトロニクスの評価に柔軟に対応！拡張可能な電力回生の3シ…

『PBWシリーズ・LRWシリーズ』は、電力回生機能により、大電力で小型・軽量、直列接続で高電圧拡張可能な回生双方向直流電源・回生電子負荷装置です。パワーユニット全てにSiC MOSFETを使用した高周波スイッチングと回生技術により、高い変換効率と一般的な構成より約80％の圧倒的な小型・軽量化を実現。また、全モデル直列・並列接続に対応し、高電圧化・大容量化のすすむ ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社テクシオ・テクノロジー

シリーズモーター・コントローラー直巻モーター用1204/1205

カーティスのコントローラーはPWM（パルス幅変調）方式を採用。

電圧をパルス幅で調整し、パワーロスが少ないため、出力部分（MOSFET）の温度上昇も小さく高信頼性・高効率性を実現しています。電動台車や電動車椅子など小型車両から、フォークリフト、電気自動車など大型のものまで幅広いアプリケーションに適合するよう製品レンジを揃え...

メーカー・取り扱い企業：カーティス・インスツルメンツ・パシフィック株式会社

8インチウェハ対応タイプ　CVmap92 A/B

8インチウェハ対応タイプ

【特徴】 ○２点からのプローブ方式を用いたC-V、I-V測定器（Ａタイプ） ○３点からのプロービングを可能とし、この複合測定は擬似MOSFET状態を実現し、インシュレータ層の界面トラップ密度など､Top-Si層を除去することなしに測定可能 ○ウェハサイズは１～８インチまで対応し、最大４９サイトまでのマッピング測定が可能 ○TDDB...

メーカー・取り扱い企業：雄山株式会社東京支店

【分析事例】SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁評価

デバイス特性に関わるトレンチ側壁の粗さを定量評価

近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は、素子の高集積化に必要であり、SiCデバイスへの応用展開が進められています。 Trench MOSFET構造のチャネル領域はトレンチ側壁であるためトレンチ側壁の平坦性がデバイスの信頼性...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiCパワーMOSFETの活性層評価

活性層の形状とドーパントを評価

市販のSiCパワーMOS FET素子領域で拡散層分布を評価した事例をご紹介します。 SiC MOSFET製造プロセスでは、イオン注入と活性化熱処理、エピタキシャル層形成などによってチャネル形成します。活性層形成プロセスにおいて、TEM観察からデバイス構造を把握し、SCM測定からｐ型/ｎ型の断面の拡...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

パワー半導体用大電流・狭ピッチ対応プローブ

ワークの材質・形状に合う製品を提供し、ご希望の測定の実現をサポート！

創業40年、様々な測定に使用されるコンタクトプローブを製作してきました。パワー半導体用（パワーモジュール、電源制御用IC、パワーMOSFET、整流ダイオード）に対応したコンタクトプローブも提供しております。ワークの材質・形状・表面処理や、測定条件（電流値・通電サイクル・環境温度・測定速度）などをお伺いした上で、使用条件に適し...

メーカー・取り扱い企業：株式会社サンケイエンジニアリング本社

【資料】しるとくレポNo.53＃アバランシェ試験（2）

デバイスの過渡熱抵抗など図を用いて解説！適当なパラメータを持つMOSF…

★★しるとくレポ　知って得するお役立ち情報★★ 当レポートは、しるとくレポNo.52でお話ししたMOSFETのアバランシェ耐量試験の続きとなります。デバイスの過渡熱抵抗やアバランシェ動作時の損失と時間の関係について図やグラフを用いて解説。デバイス選定の際に、異なる条件で測定され...

メーカー・取り扱い企業：株式会社Wave Technology

【資料】しるとくレポNo.52＃アバランシェ試験（1）

アバランシェ降伏、UIS試験回路と波形など！パワーMOSFETのアバラ…

トでは、アバランシェ降伏やUIS試験回路と波形について図を用いて解説。万が一アバランシェモードに入った場合であっても問題ないかを検証するために、パワエレ回路設計を行う際にはパワーMOSFETのアバランシェ耐量を調べておく必要があります。【掲載内容】 ■アバランシェ降伏のイメージ図 ■アバランシェ耐量を測定する試験回路と波形 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか...

メーカー・取り扱い企業：株式会社Wave Technology

【分析事例】SiCPlanerPowerMOSFETの拡散層評価

SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

SiC Planer Power MOSFETの断面を作製し、拡散層のp/n 極性分布をSCM（走査型静電容量顕微鏡法）で評価し、キャリア濃度分布をSMM（走査型マイクロ波顕微鏡法）で定性的に評価しました。いずれのデータからも、n+型の...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

シリーズモーター・コントローラー（直巻モーター用）

高信頼性・高効率性を実現！カーティスのコントローラーはPWM（パルス幅…

電圧をパルス幅で調整し、パワーロスが少ないため、出力部分（MOSFET）の温度上昇も小さく高信頼性・高効率性を実現しています。電動台車や電動車椅子など小型車両から、フォークリフト、電気自動車など大型のものまで幅広いアプリケーションに適合するよう製品レンジを揃え...

メーカー・取り扱い企業：カーティス・インスツルメンツ・パシフィック株式会社