• 【カタログ進呈!】高性能オシロスコープ PicoScope  製品画像

    【カタログ進呈!】高性能オシロスコープ PicoScope

    PR先端デバイスの開発など、優れた信号解析性能が要求されるアプリケーション…

    高性能オシロスコープPicoScope 6428E-Dは、 既存のPicoScope 6000Eシリーズの性能を拡張したもの。 高エネルギー物理学、LIDAR、VISAR、分光分析、加速器、 および他の高速信号解析に取り組む科学者や研究者にとって理想的なツールです。 【特徴】 ・周波数帯域 3 GHz ・最高サンプリング速度 10 GS/s ・分解能可変8-12ビット ・メモリ4GS ・アナロ...

    メーカー・取り扱い企業: Pico Technology Ltd.

  • 各種ウェハ高速加熱処理装置『HEATPULSE』 製品画像

    各種ウェハ高速加熱処理装置『HEATPULSE』

    PR“サセプタ不用"の高スループットSiCウェハアニール!4-8…

    『HEATPULSE』は、サセプタ不要のSiCウェハアニールが可能な 高速加熱処理(RTP/RTA)装置です。 独自技術により高温プロセスも効率化。 パワーデバイス関連、およびその他の半導体業界、または高温高速 加熱処理が必要な方に好適な装置です。 【特長】 ■独自技術により、サセプタ無しでのSiCアニールを実現 ■パージ効率、昇温レートの向上により、約1.5倍の高スルー...

    メーカー・取り扱い企業: プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

  • プラズマPICモンテカルロ衝突モジュール(PIC-MCCM) 製品画像

    プラズマPICモンテカルロ衝突モジュール(PIC-MCCM)

    計算の精度が高い!装置内のプラズマ密度が、比較的低い場合のプラズマ解析…

    『プラズマPICモンテカルロ衝突モジュール(PIC-MCCM)』は、プラズマ CVD装置、プラズマエッチング装置、スパッタリング装置、機能性薄膜の 製造装置といった装置内の、非平衡低温プラズマの挙動を解析がで...

    メーカー・取り扱い企業: ペガサスソフトウェア株式会社

  • スパッタリング・シミュレーション・モジュール(SPUTSM) 製品画像

    スパッタリング・シミュレーション・モジュール(SPUTSM)

    より真実味のある入力データでスパッタリング解析をおこなうことが可能です…

    『スパッタリング・シミュレーション・モジュール(SPUTSM)』は、 PIC-MCCMの計算結果(ターゲットへの入射イオンのフラックス、エネルギー、 入射角)を参照し、SASAMALを用いて、スパッタリング粒子の放出フラックス や角度分布、エネルギーを計算するモジュー...

    メーカー・取り扱い企業: ペガサスソフトウェア株式会社

  • 【解析事例】マグネトロンスパッタリングシミュレーション 製品画像

    【解析事例】マグネトロンスパッタリングシミュレーション

    粒子法プラズマ解析ソフトウェアParticle-PLUSの活用により、…

    Particle-PLUSは、いくつかの主要なモジュールで構成されています。 ■プラズマモジュール Particle In Cell法(PIC粒子法)を用いて電子、イオンの挙動を解析します。 ソルバーの特徴として、時間スキームに陰解法を用いており、通常の解法に比べて大きな計算時間幅Δt で安定に時間発展を求めることができます。また、プロ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社ウェーブフロント 本社

  • 動的モンテカルロシミュレーションソフトウェア(SASAMAL) 製品画像

    動的モンテカルロシミュレーションソフトウェア(SASAMAL)

    イオン注入、あるいはスパッタリング現象そのものに関する計算を行うことが…

    よる材料の表面改質プロセスの 評価などに利用できます。 【特長】 ■当製品単体のみを用いた場合でも、イオン注入、あるいはスパッタリング  現象そのものに関する計算を行うことが可能 ■PIC-MCCMやDSMCM と組み合わせて用いた場合、広い範囲の装置パラメータの  影響を調べることも可能 ■装置のガス圧とスパッタリング率の関係なども評価することができる ※詳しくはPDF...

    メーカー・取り扱い企業: ペガサスソフトウェア株式会社

  • 中性粒子DSMCモジュール(DSMCM) 製品画像

    中性粒子DSMCモジュール(DSMCM)

    新衝突計算法を指定することにより、平均自由行程以上のセルサイズでの計算…

    気体の流れ場までを解析できる ■計算量の問題から、低圧の流れ場に適用するのが有効 ■新衝突計算法(U-system)を指定することにより、平均自由行程以上の  セルサイズでの計算が可能 ■PIC-MCCMやPHMとカップリングすることにより、ラジカル種やスパッタリング  粒子の挙動も(テスト粒子モンテカルロ法を用いて)高速に計算することが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか...

    メーカー・取り扱い企業: ペガサスソフトウェア株式会社

  • シース内モンテカルロ・シミュレーション・モジュール(SMCSM) 製品画像

    シース内モンテカルロ・シミュレーション・モジュール(SMCSM)

    内蔵のシースモデルを用いて、短時間で計算することが可能です!

    カルロ・シミュレーション・モジュール(SMCSM)』は、 プラズマシース端からシースを通ってシース底部(ターゲット表面)に 達するイオン、電子のエネルギー分布、角度分布等を計算します。 PIC-MCCM、PHMとも、計算時間がかかりますが、ターゲット表面のイオンの エネルギーについてのみを評価したい場合、当製品は内蔵のシースモデルを 用いて短時間で計算することが可能です。 【...

    メーカー・取り扱い企業: ペガサスソフトウェア株式会社

  • 中性粒子連続体モジュール(NMEM) 製品画像

    中性粒子連続体モジュール(NMEM)

    圧縮性と粘性を考慮した流れの計算が可能!ガス成分の種類ごとに密度と流量…

    できます。 【特長】 ■ガス成分の種類ごとに密度と流量(フラックス)の空間分布が求まる ■圧縮性と粘性を考慮した流れの計算ができる ■プラズマとカップリングした計算が可能(PHMまたはPIC-MCCMとのカップリング) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

    メーカー・取り扱い企業: ペガサスソフトウェア株式会社

  • 粒子法プラズマ解析ソフトウェア『Particle-PLUS』 製品画像

    粒子法プラズマ解析ソフトウェア『Particle-PLUS』

    『Particle-PLUS』 はプラズマ反応炉や化学蒸着(CVD)な…

    も可能です。充実したサポートによりシミュレーションが始めての方や実験で忙しい方々も確実に結果を出すことができます。プラズマを解析するのに粒子モデルを用い、電子・イオンを代表する粒子の運動を追跡するPIC / MC (Particle In Cell / Mote Carlo)法を採用しております。また、対象プラズマ密度に応じて比較的高密度では陰解法を、低密度では陽解法と使い分けることにより、複雑...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社ウェーブフロント 本社

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