高柔軟性VCT「EV普通充電ケーブル」

PR低温環境でも優れた柔軟性を有し、取り回し性に優れたEV充電ケーブル

PHV、EV、普通充電器に最適化したケーブルで、高柔軟性により取扱が容易です。 【第72回電設工業展(JECAFAIR2024)に出展いたします】 〇会場及び小間 東京ビッグサイト東1ホール　1-19 〇期日 2024年5月29日(水)～5月31日(金) 〇大電の主な展示製品 ・普通充電ケーブル ・機器用電線Dy-SOFTシリーズ ・ケーブル判別器 〇みどころ 実際に製品を手に取ってご覧いただけ...

メーカー・取り扱い企業： 大電株式会社 電線事業部

【新製品】脱脂用洗浄剤 『ネクシアS-63』フッ素系洗浄剤

PRHFCを含まないフッ素系洗浄剤！様々な法規制に非該当！PC・ABS樹脂…

『ネクシアS-63』は脱脂洗浄に適したフッ素系洗浄剤です。鉱物油系加工油付着の鋼板・金型・ロール等の手拭き洗浄、金属加工部品の浸漬洗浄等が可能。他フッ素系洗浄剤と比べて、コストパフォーマンスに優れております。HFCを含まないフッ素系洗浄剤のため、環境に配慮した洗浄剤です。 『ネクシアS-63』の主な特長 1)HFC,臭素を含まないため、法規制の該当が少ないことによる扱いやすさ 2)オゾン破壊係数...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社カネコ化学

TEAJIN TECHNOLOGY (HTC KOREA)

2000年の創立以来、Power Management IC 分野で…

Power Management IC 分野でのグローバル企業を目指し、専門的なR&D技術力と自社ブランド“HTC KOREA” を掲げ顧客満足のために最善の努力を尽くしております。 自社ブランド“HTC KOREA”はアジア市場で安定した品質と高い評価を得ており、今後も 3C [通信(Communication),　家電(Consumer),　コンピューター(Computer) ]市場を主...

メーカー・取り扱い企業： リバウンドエレクトロニクス株式会社 本社

【Bourns】高電圧・大電流アプリケーションに最適なIGBT◎

業界トップクラスの高パワー効率＊低スイッチング損失

BOURNSは新たにMOS構造のゲート入力と、 出力スイッチとして機能するバイポーラ・パワー・トランジスタを 組み合わせたIGBTをリリースしました。 TGFS 技術を採用することで、コレクタエミッタ間飽和電圧V CE(sat)の低減と、 スイッチング損失の低減を図った動作特性を実現。 ＜特徴＞ ・FRD と一体形成されたディスクリート IGBT ・高度なトレンチ ゲート フィールド ストップ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社セイワ

【BOURNS】業界トップクラス高パワー効率・低スイッチング損失

【高電圧、大電流のアプリケーションに最適】現状リードタイム24週【IG…

BOURNSは新たにMOS構造のゲート入力と、 出力スイッチとして機能するバイポーラ・パワー・トランジスタを 組み合わせたIGBTをリリースしました。 TGFS 技術を採用することで、コレクタエミッタ間飽和電圧V CE(sat)の低減と、 スイッチング損失の低減を図った動作特性を実現。 サンプル依頼は正規代理店のセイワまで、お気軽にお問合せください。 ...＜特徴＞ ・FRD と一体形成され...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社セイワ

『CSD15380F3』

20V N チャネル FemtoFET MOSFET『CSD15380…

『CSD15380F3』 は、20V、990mΩ、N-チャネルの FemtoFETMOSFETで、多くのハンドヘルドおよび モバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。 容量が非常に小さいため、高速にスイッチングを実行できます。データライン・アプリケーションで 使用するとき、容量が低いことからノイズ・カップリングを最小に抑えられます。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

『CSD22206W』

8V、4.7mΩ、Pチャネル NexFETパワーMOSFET『CSD2…

この-8V、4.7mΩ、1.5mm×1.5mmデバイスは、可能な限り小さな外形で、 最低のオン抵抗とゲート電荷を実現し、非常に低いプロファイルで優れた 熱特性を持つよう設計されています。 低いオン抵抗と、小さな占有面積および低いプロファイルから、このデバイスは バッテリ駆動で容積の制限されるアプリケーションに理想的です。 【特長】 ■非常に低い抵抗 ■1.5mm×1.5mmの...

メーカー・取り扱い企業： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

『CSD18541F5』

60-V N チャネル FemtoFET MOSFET『CSD1854…

54mΩ、60V Nチャネル FemtoFET MOSFETテクノロジ『CSD18541F5』は、 スペースに制約のある多くの産業用ロードスイッチ・アプリケーションで、 フットプリントを最小限にするよう設計され、最適化されています。 標準の小信号MOSFETをこのテクノロジに置き換えることで、 フットプリントサイズを大幅に低減できます。 【特長】 ■低オン抵抗 ■きわめて低い...

メーカー・取り扱い企業： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社