チェックしたものをまとめて:

  • S&T出版書籍【SiCパワーデバイスの開発と最新動向】カタログあり

    普及が加速するSiCパワーデバイス技術。 トランジスタ、ダイオード、…

    ○発刊日2012年10月30日○体裁B5判上製本 361頁○価格:本体 60,000円+税→STbook会員価格:56,952円+税○監修:岩室憲幸○著者:岩室 憲幸 富士電機(株)((独)産業技術総合研究所 出向) / 中野 佑紀 ローム(株) / 原田 信介 (独)産業技術総合研究所 / 古川 彰彦 三菱電機(株) / 今泉 昌之 三菱電機(株) / 大森 達夫 三菱電機(...(つづきを見る

  • カタログあり

    SIMSやGDMSによる不純物評価を長年に渡って行い、高い評価を獲得!

    近年、従来のSiパワー半導体に比べて省エネルギー性能に優れたSiCパワー半導体が注目されています。SiCパワーデバイスは、2001年に初めて海外でショットキーバリアダイオードが市販されました。現在では、漸くMOSFETが一部で市販される状況にあります。これらの背景には、SiCウエハの高品質化、大口径化に向けた多くの技術進歩があり、近年では6インチのSiCウエハも登場し、コスト低減化の方向も見え始め...(つづきを見る

  • S&T出版書籍【SiCパワーデバイス最新技術】カタログあり

    次世代パワーエレクトロニクスの大本命!

    ○発刊日2010年05月14日○体裁B5判上製本 309頁○価格:本体 60,000円+税 →STbook会員価格:56,952円+税 ○著者:木本恒暢 京都大学 / 大谷昇 関西学院大学 / 藤本辰雄 新日本製鐵(株) / 楠一彦 住友金属工業(株) / 亀井一人 住友金属工業(株) / 矢代将斉 住友金属工業(株) / 岡田信宏 住友金属工業(株) / 宇治原徹 名古屋大学 /...(つづきを見る

  • カタログあり

    SiC成膜技術で未来をひらく!独自の化学蒸着法で製作されたSiC製品

    独自の CVD - SiC( 化学蒸着法)で製作されたアドマップの SiC 製品は、 超高純度・高耐食性・高耐酸化性・高耐熱性・高耐摩耗性の特性を備えています。 半導体をはじめ、産業機械、原子力、航空宇宙分野など、 あらゆるフィールドで高い評価を得ております。 【特長】 ○塩酸・硫酸・硝酸・弗酸・弗硝酸などの酸ではほとんど腐食しない ○表面には二酸化ケイ素(SiO2)被膜が形成...(つづきを見る

  • カタログあり

    SiC成膜技術で未来をひらく!独自の化学蒸着法で製作されたSiC製品

    独自の CVD - SiC( 化学蒸着法)で製作されたアドマップの SiC 製品は、 超高純度・高耐食性・高耐酸化性・高耐熱性・高耐摩耗性の特性を備えています。 半導体をはじめ、産業機械、原子力、航空宇宙分野など、 あらゆるフィールドで高い評価を得ております。 【特長】 ○塩酸・硫酸・硝酸・弗酸・弗硝酸などの酸ではほとんど腐食しない ○表面には二酸化ケイ素(SiO2)被膜が形成...(つづきを見る

  • カタログあり

    特殊寸法の製作も可能!SUS304LのICF穴あきフランジ(固定)

    【ラインアップ】  《規格:製品コード》 ■CF70  ・SICF70-27.2FH  ・SICF70-27.2FT  ・SICF70-34FH  ・SICF70-34FT  ・SICF70-38FH  ・SICF70-38FT  ・SICF70-...(つづきを見る

  • SiCシリコンカーバイド基板の製品画像です

    ワイドギャップ半導体材料のシリコンカーバイド基板

    結晶材料の製造、販売、精密加工を行っている オプトスター社が取り扱う 『ワイドギャップ半導体材料のシリコンカーバイド基板』 【特徴】 ○シリコンカーバイド(SiC: 炭化珪素)基板製のデバイスは、  シリコン(Si)基板製のデバイスに比べて優れた高周波性能や  高温・高耐圧特性があり、今後の発展が期待される ○現在はNタイプ基板のみ供給しているが、Pタイプ基板も開発予定 ○...(つづきを見る

  • カタログあり

    サーマルショックやシール性能低下にお困りの生産技術・開発者必見!独自技…

    モルガナイトのSiC(シリコンカーバイト)製品は、独自技術である遊離グラファイト(黒鉛)を混合させることで、従来のSiC製品での問題点である『サーマルショックによる割れ』や『ドライランニング』を解決しました。 基材がグラファイトである為柔らかい特性を持ちつつ、自己潤滑性・摺動性向上といったSiCの特性を損なう事無く、扱いやすいSiC製品を提供することが可能です。 【課題を解決した事例をご紹...(つづきを見る

  • SiCショットキーバリアダイオードカタログあり

    低損失で高耐圧・大電流回路に最適な次世代パワー半導体 SiCショット…

    高耐圧・大電流回路に最適なSiC(シリコンカーバイド)材料を用いたショットキーバリアダイオードを開発しました。高速スイッチング特性によるスイッチング損失の低減で、機器の動作周波数を向上させます。 【SiCショットキーバリアダイオードの特長】 ・逆回復電荷量(Qrr)が極めて小さく、高速スイッチングが可能 ・安定した温度特性を実現 ・温度に依存しないtrr(逆回復時間)特性 ...■...(つづきを見る

  • カタログあり

    半導体、産業機械、原子力、航空宇宙分野に最適!高性能な化合物“SiC

    SiC(Silicon Carbide :炭化ケイ素)はシリコン(Si)と炭素(C)が1対1で結合した化合物で、隕石中にわずかに確認されているだけで、天然にはほとんど存在しません。 SiCはセラミックスに分類され、その高硬度、耐酸化性、化学的安定性、耐熱性などの特徴から、古くから研磨剤や耐火材、発熱体などに用いられてきました。近年では半導体素子製造工程で用いられるウェハボートやチューブ、シリコン...(つづきを見る

  • カタログあり

    半導体装置に最も適した材料!様々な用途で発揮されるソリッド SiC

    ソリッド SiCは、CVD法により製造される超高純度CVD-SiC製品群であり、高強度・耐熱性・耐プラズマ性・耐薬品性に優れており、半導体に最も適した材料と信頼されています。 ソリッド SiCは、東海カーボン独自のCVD技術を応用し開発されました。 半導体装置に最適化され、半導体の可能性を拡げる材料として期待されています。 【特徴】 ○CVD法により製造される超高純度CVD-SiC製品...(つづきを見る

  • SCS210AG/AMカタログあり

    業界最小、VF=1.35Vを実現したSiCショットキーバリアダイオード…

    デバイス構造の改善により、SiCならではの高速スイッチングを維持したまま、従来品より順方向電圧を10%低減。太陽光発電用パワーコンディショナーや産業機器など、各種機器の低消費電力化に貢献! 【SCS210AG/AMの特長】 ・高速スイッチングと低VFにより、従来のSi製品に比べ、劇的な低損失化を実現。 ・SiCならではの高速スイッチングを実現したまま、順方向電圧をさらに低減。 ...●...(つづきを見る

  • 炭化ケイ素(SiC)

    SiCは共有結合性が強いセラミックスで、アルミナを上回る硬度があります…

    硬度が高いため、摺動摩耗に強い特性も兼ね備えています。  熱伝導率も高いです。  炭化珪素(SiC)は、半導体製造装置やLED製造装置などのチャンバー内部品、エッチング装置用基板トレーや、焼成用治具(コンデンサー他) などに使われています。  炭化珪素(SiC)は、耐熱(1,000度以上でも)性や耐薬品性(耐プラズマ性)、耐磨耗熱伝導率の良さ、緻密さ、強度が生かされています。  こんな使い方は...(つづきを見る

  • カタログあり

    優れた純度!耐食性・耐酸化性・耐熱性・耐摩耗性が高いSiC

    三井造船で培った独自のCVD-SiCで製作されたアドマップのSiC製品は、 超高純度・高耐食性・高耐酸化性・高耐熱性・高耐摩耗性の特性を備えており、 あらゆるフィールドで使用されております。 【特徴】 ○超高純度 ○高耐食性 ○高耐酸化性 ○高耐熱性 ○高耐摩耗性 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。...【技術と製品】 ○SiC技術 ○コ...(つづきを見る

  • カタログあり

    高純度SiC原料を使用した再結晶・シリコン含浸炭化珪素。コストダウンを…

    酸化物結合SiCと比較し熱伝導率は~2倍以上、強度も~5倍以上を有し、 常温~1600℃まで安定した強度を維持出来る高機能SiC耐火物です。 ・再結晶SiC「R-SiCSiCの粒子同士を2000℃以上の高温で焼結させた再結晶SiC。 純度99%と高純度で、不純物を嫌う焼成工程に特に適しています。 最高使用温度は1650℃を極めて高いです。 ・シリコン含浸SiC「Si-SiC...(つづきを見る

  • BSM300D12P2E001

    1200V/300A対応で大電力アプリケーションへの搭載を実現

    産業機器や太陽光発電パワーコンディショナー等のインバータ、 コンバータ向けに1200V/300A定格のフルSiCパワーモジュール「BSM300D12P2E001」を開発。300A定格を実現することで、産業機器用の大容量電源など、より大電力アプリケーションへの検討が可能となります。 また、一般的なIGBTモジュールと比べてスイッチング損失を77%低減し、高周波駆動が可能となるため、 周辺部品や冷却シ...(つづきを見る

  • SiCウェハー/炭化珪素/シリコンカーバイド/SiC Waferの製品画像ですカタログあり

    高品質・低価格な単結晶SiCウェハー★1枚から対応♪

    高品質と価格競争力を両立した中国製SiC基板をご提供いたします。...■ 品名:単結晶SiC基板(シリコンカーバイド、炭化ケイ素) ■ ポリタイプ:4H、6H ■ タイプ:N-type(窒素ドープ)、半絶縁(Semi-insulating) ■ サイズ:Φ2インチ、Φ3インチ、Φ4インチ ■ 厚さ:330μm、350μm、500μm(特殊厚み指定可能)   ※ 5~20mm厚のプレートも...(つづきを見る

  • SiC-MOSモジュールBSM180D12P2C101カタログあり

    ショットキーダイオードレスのSiC-MOSモジュール! 1200V…

    ボディダイオードの通電劣化を解消した第2世代のSiC-MOSFETを採用することにより、整流素子であるダイオードを必要としないフルSiCパワーモジュール(SiC-MOSモジュール)の開発に成功。一般的なインバータで使用されているSi-IGBTに比べて、損失を50%以上削減。低損失化を実現するとともに50kHz以上に高周波化することで、周辺部品の小型化にも貢献します。 【SiC-MOSモジュー...(つづきを見る

  • カタログあり

    世界で初めてSiC-SBDとSiC-MOSFETを1パッケージ化。 …

    一般的なインバータで使用されているSi-IGBTに比べて、動作時の損失を70%以上削減。低損失化を実現するとともに50kHz以上に高周波化することで、周辺部品の小型化にも貢献します。 【SiC-MOSFET SCH2080KEの特長】 ・SiC-MOSFETとSiC-SBDを1パッケージ内に同梱 ・立ち上がり電圧がなく優れた電流・電圧特性 ・順方向電圧を70%以上低減し、損失および部品...(つづきを見る

  • SiCインラインヒーター ACCUHEATの製品画像ですカタログあり

    SiCインラインヒーター ACCUHEAT

    HF/KOH/溶剤等の昇温に最適 SiCインラインヒーター 【特徴】 ○IMTEC社製 ○フッ酸・アルカリ液(KOH、TMAH)対応 ○SiCチューブを使用 ○ヒーターを直接貼ることにより、   最適な効率で高精度な温度制御を可能 ○接液部は、SiCおよびPFAのため従来のヒーターと比べ   コンタミの発生を防ぐ ○ランプ交換・CDAは不要でメンテナンスフリー ○コンパク...(つづきを見る

  • 拡張性に優れた加熱実験用電気炉。CADによる標準設計、標準部品の採用、…

    『FT-1700-SIC』 最大温度:1650℃ 常用温度:RT~1,600℃ 均熱:±5℃ 炉内寸法:W220×D330×H220 外形寸法:W450×D650×H800 電気定格:200V 2φ 10Kw...(つづきを見る

  • SiCナノパウダー画像カタログあり

    純度が高く(純度99.9999%の試作に成功!)、15nm~100nm…

    SiC/Siナノパウダー」は、ゴム、樹脂、成形品、研磨材などの様々な用途で評価していただいております。SiCの特性である高硬度性 、耐熱性 、高熱伝導性 、低熱膨張性 、化学的安定性は最先端分野で非常に期待されており、今後も様々な用途向けに提供してまいります。また、お客様のご希望に合わせた仕様やその他無機物のナノパウダー等の製造技術もあります。 【特長】 ■ゴム、樹脂、成形品、研磨材など...(つづきを見る

  • カタログあり

    SiC製品の代表特性値、不純物濃度など各種物性値を紹介!

    三井造船で培った独自のCVD-SiCで製作されたアドマップのSiC製品は、 超高純度・高耐食性・高耐酸化性・高耐熱性・高耐摩耗性の特性を備えており、 あらゆるフィールドで使用されております。 【不純物拡散係数(cm2 / sec, at : 1300℃)】 ○Fe 6.5×10^-14 ○Co 1.3×10^-13 ○Cr 6.3×10^-14 ○Au 8.6×10^-14 ...(つづきを見る

  • カタログあり

    フォトルミネッセンス(PL)イメージング法を用いたSiC半導体評価装置

    「SemiScope」は、1μm以下の分解能でフォトルミネッセンス(PL)画像を測定することができるPLイメージング装置です。 試料を移動させながらイメージング測定を行うタイリング機能を用いることで、約33億画素の解像度で6インチウェハ全面のPL画像を得ることができます。 SiCウェハの結晶欠陥を可視化。非接触・非破壊検査がPLイメージング法で短時間測定可能です。 【特徴】 ○SiC半...(つづきを見る

  • カタログあり

    シリコン製からの置換えに!高温でも高速スイッチングを維持し、電力損失を…

    SiC-SBDシリーズ』は、SiC(シリコンカーバイド)を材料に用いたショットキーバリアダイオードです。低抵抗かつ高速スイッチングに対応し、スイッチング損失を低減できます。また高温でも安定的に動作でき、電源機器の小型化が図れます。PFC回路・モータードライブ回路・インバータ回路などの高速スイッチング用途で活躍します。 【特長】 ■高速スイッチング特性によるスイッチング損失の低減 ■電源...(つづきを見る

  • SiCエッチング装置の製品画像です

    SiCエッチングに特化した装置です。

    ●高温MEMSや次世代パワーデバイスで注目されるSiCエッチングで世界最高レベルの高速エッチングを実現 ●エッチ底部においてラウンド形状のエッチングが可能 ●研究開発~量産まで対応可能 ...●高周波、パワーデバイスで注目されるSiC加工で世界最高レベルのエッチレートを実現 ●高温MEMSや次世代パワーデバイスで注目されるSiCエッチングで世界最高レベルの高速エッチングを実現。 ●SiC...(つづきを見る

  • ★シリコンとは異なる耐薬品に優れたSICにマッチする洗浄剤、研磨剤はど…

    講 師 第1部 同志社大学 理工学部機能分子・生命化学科 教授 田坂 明政 氏 第2部 日本エクシード株式会社 常務取締役 森澤 祐二 氏 対 象 SiC、加工・材料に関心のある研究者・担当者など 会 場 川崎市教育文化会館 第2学習室【神奈川・川崎市】 JRもしくは京急線 川崎駅 下車 徒歩12分 日 時 平成23年8月25日(木) 13:30-16:40 定 員 30名 ※お...(つづきを見る

  • SiCパワーMOSFETのコンタクト電極評価の製品画像ですカタログあり

    コンタクト電極/SiC層の界面の相同定・元素分布評価

    市販のSiCパワーMOS FET素子の解析事例をご紹介します。 SiC材料では、SiだけでなくCを含めた系での材料制御が必須となり、従来のSi半導体の製造方法と違いがあります。コンタクト電極とSiC層のオーミック接合形成プロセスにおいて、TEMを用いたEDX/EELS分析および電子回折から、Cを含めた元素分布や結晶相を評価しました。...詳しいデータはカタログをご覧ください...(つづきを見る

  • カタログあり

    加工が極めて難しい「SiC・ガラス等」を高速割断可能!EV普及に必須の…

    EV(電気自動車)の普及や、電子機器間のネットワーク接続など電力消費の増加に伴い、 より高出力・高電流に対応可能な半導体のニーズが高まっており、 SiCなどの次世代半導体材料を用いた「パワー半導体」が注目されています。 しかし、硬くて脆い「SiC」の加工には高い技術が求められます。 従来の機械・レーザー切断では、加工速度の遅さやチッピングの発生を始め、 切断幅があり生産量が低下したり...(つづきを見る

  • カタログあり

    PCD 1.3φによる炭化ケイ素(SiC)加工事例です。

    自社工具による加工事例 「炭化ケイ素(SiC)の階段彫り」は、PCD 1.3φによる炭化ケイ素(SiC)の階段彫り加工事例です。 有限会社三井刻印は、微細彫刻業で培ったノウハウを活かし、お客様の要望に沿った微細エンドミルを小ロットから製作致します。 様々な形状に対応します。まずはご相談ください。 【超硬エンドミル 製作例】 ○0度/0.2φ/0.3L ピンカド ○0度/0.3φ/0....(つづきを見る

  • SiC(炭化ケイ素シリコンカーバイド)カタログあり

    高耐圧次世代パワーデバイス材料として注目!

    SiC(炭化ケイ素,シリコンカーバイド)は、シリコンに比べてバンドギャップが約3倍(3.26eV)広く、熱伝導率も3倍以上(4.9W/cm・k)、絶縁破壊電圧にいたりましては約10倍(2.8MV/cm)という特性を持ち、Siと同じ10mΩ・cm2までオン抵抗を下げた時、耐圧は1200Vに達します。 【特徴】 ■小さなオン抵抗 ■短いスイッチング時間 ■高温動作 ≪サイズ、スペック...(つづきを見る

  • カタログあり

    高腐食耐性及び耐摩耗性を必要とする用途に、優れた性能を発揮。

    腐食性が極めて強い化学薬品や、高圧下の流体による摩耗や、高作動温度が要求される用途まで、高度なスペック要望に対応。ピュアバイド常圧焼結SiCシリーズは、お客様のあらゆるご要望にお応えするエンジニアリング材料ソリューションです。 モルガンの摩擦と摩耗に関するノウハウを用い、遊離グラファイトで常圧焼結SiCの能力を増強させるという独自の技術により、当製品(PGS100)はお客様の様々な用途にお応...(つづきを見る

  • カタログあり

    SiCの特徴を生かしたパワーデバイスソリューションの総合カタログです。

    米国Cree社は、世界最先端のシリコンカーバイト(SiC)技術、ガリウムナイトライド(GaN)技術をコアとし、Powerデバイス、LEDデバイス、LEDコンポーネント、RFデバイス等を製造しております。 Cree社のSiCパワーデバイスは、従来のシリコンに比べ、約4倍のバンドギャップを持ち、絶縁破壊電界はシリコンの約10倍、更に、熱伝導率はシリコンの約4倍のパフォーマンスが期待出来ます。 「C...(つづきを見る

  • カタログあり

    特殊寸法の製作も可能!SUS304LのICFミニフランジ

    【ラインアップ】 ■固定フランジ  《規格:製品コード》  ・CF34:SICF34-FH  ・CF34:SICF34-6.4FH  ・CF34:SICF34-9.6FH  ・CF34:SICF34-12.8FH  ・CF34:SICF34-17.3FH  ・CF...(つづきを見る

  • SiC基板におけるSSDP-SIMS分析の製品画像ですカタログあり

    SiC基板側からドーパント濃度プロファイルを取得可能

    SiCパワーMOS FET(図1)において、ゲートパッド部下のSiC中にてドーパント元素であるAlの濃度分布を素子表面側から及び裏面側からSIMSで評価しました(図2)。 分析を進める方向に関係なく深さ約0.5μm以降の分布もよく一致することから、Alの濃度分布の広がりは測定起因でなく実際の元素分布を反映しているものと考えられます。 SiCなどの加工の難しい硬質基板でも、SSDP-SIMS分析...(つづきを見る

  • カタログあり

    専用コントローラと組み合わせることで、実験環境の構築が短期間で整います

    SiCデバイス搭載インバータユニット 「MWINV-1044-SIC/MWINV-5044-SIC」は、ローム株式会社製SiC-MOSFETを用いた実験用インバータユニットです。 ゲートドライバを搭載し、外部信号だけで、スイッチング周波数200kHzのインバータ...(つづきを見る

  • BD7682FJ-LB

    SiC-MOSFETの性能を最大限に引き出し産業機器の省電力化、小型化…

    大電力(高電圧×大電流)を扱うインバータやサーボなどの産業機器で採用が進むSiC-MOSFET駆動用AC/DCコンバータ制御IC「BD7682FJ-LB」を開発。 SiC-MOSFET搭載AC/DCコンバータを容易に実現可能。省電力化、小型化が求められるAC/DCコンバータ市場に新たな価値を提供し、SiCパワー半導体の普及による社会の省電力化、小型化に貢献。 一般的なSi-MOSFET搭載のA...(つづきを見る

  • カタログあり

    高耐酸化、高耐食、高耐薬品性!!高純度な黒鉛製品が求められる半導体製品…

    半導体製品の急速な高集積化に伴い、炭素材料表面の脱ガス量、発塵量や不純物量の低減など高純度な黒鉛製品が求められ、等方性黒鉛表面にCVD法にてSiC[炭化ケイ素]を被覆したPERMA KOTE(R)が半導体産業分野を中心に活躍しています。 *詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをダウンロードしてください。...【主な特長】 ○耐酸化性、耐食性、耐薬品性に優れた炭化ケイ素(SiC)膜です。...(つづきを見る

  • SiCウエハー各種取り扱っております。

    SiCウエハー:4HーN型、6HーN型、6HーSI サイズ 2”、3”、4” 詳細につきお気軽にお問い合わせください。...SiC シリコンカーバイド 炭化ケイ素 ウエハー タイプ:4H n-type, 6H n-type, 6H semi-insulting サイズ:2” 3” 4”...(つづきを見る

  • 炭化ケイ素(SiC) ロイセラム-HSカタログあり

    高純度・高強度・低熱膨張のセラミックス

    AGCの炭化ケイ素(SiC:Silicon Carbide 製品名:ROICERAM-HS)は高純度・高強度・低熱膨張という特長をもち、耐酸性・耐熱性に優れています。主に高温で使用される半導体製造装置の部材として、30年以上の実績があり、そこで培われた様々な技術[1.複雑な構造を実現する接合技術 2.ミクロンオーダーの精度を実現する精密加工技術 3.気相成長(CVD)法によるSiC成膜技術]を活か...(つづきを見る

  • 単結晶SiCウエハ

    パワーLSI用の材料として注目されている単結晶SiCウエハ・SiCイン…

    ●タンケブルー社の代理店として多くの国内顧客へSiCウエハ、SiCインゴットを販売中。 ●サファイアウエハ、シリコンウエハも販売中。 ●各膜つきウエハ販売。...他社製品と比較して圧倒的に短納期、安価なサービスを提供中です。 お気軽に御連絡ください。...(つづきを見る

  • カタログあり

    SiCウェーハ等の内部に存在する結晶欠陥や内部歪みを、高感度かつリアル…

    XS-1はパワーデバイス用半導体として注目されているSiCウェーハなどの内部に存在する結晶由来の欠陥(マイクロパイプ、貫通刃状転位、貫通螺旋転位、基底面転位、積層欠陥、インクルージョンなど)を高感度でリアルタイムに可視化する装置です。可視光領域を使用するレーザー検査装置あるいは偏光顕微鏡では捉える事ができない様々な原子レベルの結晶欠陥を観察することが可能です。 【特長】 ■SiCウェーハ等...(つづきを見る

  • カタログあり

    高強度・高熱伝導・耐熱衝撃性や耐摩耗性に優れ、酸化膨張が少ない!大型板…

    株式会社アコーセラミックの『SiC(炭化珪素)』は高強度、高熱伝導、耐熱衝撃性、耐摩耗性、特に酸化膨張が少なく、 プッシャー炉のレール台板、大型キルンの棚板、ローラー棒、ストラクチャー等トラブルを軽減し、高い評価を頂いております。 【特徴】 ■高強度 ■高熱伝導率 ■耐熱衝撃性、耐摩耗性に優れている ■酸化膨張が少ない ■φ1,200mm程の大型板の製造も可能 R-SiC(...(つづきを見る

  • カスタマイズ基板の実績例(ASIC I/Oボード)の製品画像ですカタログあり

    カスタマイズ基板の実績例(ASIC I/Oボード)

    基板開発:カスタマイズ基板の実績例 TDG社がユーザーからの要望、仕様によりカスタマイズ作成した 基板のご紹介です。 ■□■ASIC I/Oボード■□■ ■印刷機用基板 ・特殊用途向のI/O基板 ・外部ROM 256kbyte ・外部RAM 256kbyte ・出力 88点(モニタLED付) ・入力 44点...(つづきを見る

  • SiC中ドーパント元素の深さ方向分析1の製品画像ですカタログあり

    SiC中B,Al,N,P,Asについて、高感度で深さ方向分布の評価が可…

    SiCはその物性からパワーデバイス材料として用いられていますが、Siとは異なりイオン注入後の熱処理によるドーパントの拡散が困難なため、多段イオン注入により深さ方向への分布を制御する必要があります。SIMS分析は高感度(ppm以下)で深さ方向の不純物濃度を評価することができるため、SiC中のドーパント元素の分布評価に適しています。また、軽元素(H,C,O,Fなど)の分布についても評価可能です。評価し...(つづきを見る

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