資料『次世代半導体の今を説く～SiC・GaN解説～』【進呈中！】

PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...

メーカー・取り扱い企業： ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカ アンド カンパニー】

解説資料 開発元監修『見積段階から機械動作を可視化する3D構想』

PR複雑する装置仕様を見える化！受注率UPと手戻り削減に貢献する3DCAD…

機械設計向け3次元CAD「iCAD SX」の開発元が監修しました。 複雑化する装置仕様の摺合せが難しい理由や問題点を洗い出し、 "装置仕様（動き）の可視化"について解説した資料を無料進呈中です。 　【資料概要】 　　■製造業を取り巻く環境と、装置の複雑化 　　■仕様説明時における取組と課題、目指す姿 　　■打ち合わせ初期から一連の動作フローを可視化する効果 　　※ 本ページのPDFダウンロード...

メーカー・取り扱い企業： i CAD株式会社 - 機械設計向け3DCAD（3次元CAD）開発元 -

高温イオン注入・高温アニール受託サービス【SiC、GaN等】

SiC等のデバイス作製に適した高温イオン注入や、ドーパント活性化のため…

SiC（シリコンカーバイド）、GaN（窒化ガリウム、ガリウムナイトライド）等の化合物半導体では、デバイス作製に適した高温イオン注入やドーパント活性化のための高温アニールが必要とされます。弊社では、高温イオン注入や高温アニールのリクエストにお応えします。 また、アニール時の温度が高温のため、アニール前のキャップ膜による表面保護が必要になります。弊社では高温アニールだけでなく、PBII（Plas...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

成膜・熱処理装置ラインナップ

半導体などの工程加工に適した各種成膜、酸化膜形成、アニール処理に適した…

SiCのアニール前処理として最適なカーボン成膜をPBIIで、アニール処理をRTAで、アニール前後処理を弊社で行うことができます。...成膜 ・PBII（Plasma Based Ion Implantation) 　カーボン成膜が可能 ・スパッタ 　電極膜の成膜が可能 熱処理 ・RTA（Rapid thermal annealing） 　縦型高周波誘導加熱方式により、～1800度...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

Film Deposition&Heat Treatment

Equipped with various film depositi…

PBII is suitable for carbon film for pre-annealing of SiC, RTA is for annealing....Film formation ・ PBII (Plasma Based Ion Implantation) Carbon deposition ・ Sputter Possible to form elect...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

京セラの薄膜技術／薄膜成膜　1

卓越した高機能薄膜。その信頼性と実力は、四半世紀をこえる量産実績に裏付…

京セラでは各種デバイスの量産でつちかった技術をもちいて、各種の機能薄膜の開発品の提供を行なっています。 ＜高機能薄膜開発品の一例＞ ・圧電（ピエゾ）薄膜（PZT） 微小変位の制禦できる、圧電薄膜。 ・サーミスタ薄膜（Cr-Al） 温度による抵抗値変化が適当であり、測定しながら 細かな温度制禦ができる、サーミスタ特性をもつ薄膜。 ・高硬度薄膜（SiC,ダイヤモンドライクカーボン：DLC...

メーカー・取り扱い企業： 京セラ株式会社 プリンティングデバイス事業本部