SIC | イプロスものづくり

PR拡散接合により、内部に流路を有する複雑形状が実現可能！石英ガラス、純モ…

拡散接合は材料同士を直接接合させる技術です。接着剤、ロウ材を使用しないため、不純物による汚染問題が起きません。また、塑性変形の発生を抑えることもできます。拡散接合を用いることで、通常の切削加工では実現できない中空構造や、内部流路、真直度の良い深穴を形成可能です。ヘリウムリークテスターを保有しておりますので、リークテストの実施も可能です。【拡散接合実績材質】・アル...

メーカー・取り扱い企業：株式会社トップ精工

【カタログ進呈！】高性能オシロスコープ　PicoScope

PR先端デバイスの開発など、優れた信号解析性能が要求されるアプリケーション…

高性能オシロスコープPicoScope 6428E-Dは、既存のPicoScope 6000Eシリーズの性能を拡張したもの。高エネルギー物理学、LIDAR、VISAR、分光分析、加速器、および他の高速信号解析に取り組む科学者や研究者にとって理想的なツールです。【特徴】・周波数帯域３ GHｚ・最高サンプリング速度 10 GS/s ・分解能可変8－12ビット・メモリ４GS ・アナロ...

メーカー・取り扱い企業： Pico Technology Ltd.

SiCウェハー・SiCウエハー（６インチ/８インチ）

絶縁破壊電界強度はシリコンウェハーに対して約10倍！SiCウェハー・S…

『SiCウェハー・SiCウエハー』とは、電子部品を構成する材料であるウェハーの1種です。 SiCとは珪素と炭素の化合物である「炭化珪素」。より高度な半導体デバイスを製造するために生み出された当製品は、一般的なシリコンウェハーよりもはるかに優秀な特性を持っています。また、電子が存在することのできない「バンドギャップ」がシリコンウェハーの約3倍！SiCウェハー・SiCウエハーの価...

メーカー・取り扱い企業：エムシーオー株式会社

SiCウエハ（6インチ/8インチ) / SiC MOSFET

SiCウエハーのみならず原料、プロダクトデザイン、SiCパワーデバイス…

Qingdao JZLEAP Semiconductor Co., Ltdは中国Jiazhan Holding Groupと台湾LEAP Semiconductor Co.により2021年に中国　青島に設立された会社です。SiC基板の研究開発、製造、販売を行っています。ヨーロッパ、アメリカの研究機関と共にSiC製品チェーンの問題改善に努め研究開発へ継続的に投資してきました。SiC材料のコストはデバ...

メーカー・取り扱い企業：武蔵野物産株式会社

SiC (MOSFET/SBD) モジュール

装置の小型化、高効率に貢献　SiCパワーモジュール

(株)三社電機製作所のパワーモジュール技術とパナソニック(株)の SiC (炭化ケイ素)パワートランジスタ技術により、小型高信頼性SiC パワーモジュールを共同開発 SiC(シリコンカーバイド)パワーデバイスは低損失、高速動作が可能となり大電流、高電圧用途での省エネ化に貢献新開発Techno Block(*1)パッケージ技術により、信頼性、低損失、小型化を実現 =特長= ■ ...

メーカー・取り扱い企業：旭テック株式会社大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

超高純度CVD-SiC「ソリッド SiC」

半導体装置に最も適した材料！様々な用途で発揮されるソリッド SiC

ソリッド SiCは、CVD法により製造される超高純度CVD-SiC製品群であり、高強度・耐熱性・耐プラズマ性・耐薬品性に優れており、半導体に最も適した材料と信頼されています。ソリッド SiCは、東海カーボン独自のCVD技術を応用し開発されました。半導体装置に最適化され、半導体の可能性を拡げる材料として期待されています。【特徴】 ○CVD法により製造される超高純度CVD-SiC製品...

メーカー・取り扱い企業：東海カーボン株式会社

SiCダミーウェハ「超高純度、高耐熱性、高耐摩耗性を実現」

独自のCVD-SiCで製作され、超高純度、高耐食性、高耐酸化性、高耐熱…

超高純度で耐食性及び耐熱性に優れているSiCダミーウェハは、長期のリサイクル使用が可能で、LP-CVD、高温拡散、CMP工程にてご使用頂けます。 ◆コストダウンに貢献　・長期のリサイクル使用が可能　・超高純度で耐食性及び耐熱性に優れている　・長期使用頂く事で、シリコンウェハの節約、ダミーウェハの交換や洗浄等管理工数削減につながる【特徴】　・高純度（純度はppmレベル）...

メーカー・取り扱い企業：株式会社渡辺商行

SiCパワー半導体『SiC-SBDシリーズ』

シリコン製からの置換えに！高温でも高速スイッチングを維持し、電力損失を…

『SiC-SBDシリーズ』は、SiC（シリコンカーバイド）を材料に用いたショットキーバリアダイオードです。低抵抗かつ高速スイッチングに対応し、スイッチング損失を低減できます。また高温でも安定的に動作でき、電源機器の小型化が図れます。PFC回路・モータードライブ回路・インバータ回路などの高速スイッチング用途で活躍します。【特長】 ■高速スイッチング特性によるスイッチング損失の低減 ■電源...

メーカー・取り扱い企業：株式会社オリナス東京営業所、名古屋営業所、京都営業所、大阪営業所、香港

窒化ガリウム（GaN）、SiC（炭化ケイ素）ウェハー

当社は6インチSiC基板ウェーハ、6インチGaN-on-Si HEMT…

売れ筋商品：6インチGaN-on-Si HEMT RFエピウェーハ、6インチGaN-on-Si HEMT Dmodeパワーエピウェーハ、6インチGaN-on-Si HEMT Emodeパワーエピウェーハ、6インチSiC基板ウェーハ、SiC基板ウェーハ（直径150mmのn型基板）など研究開発実験用品に適しています。コスパに優れています。...6インチGaN-on-Si HEMT RFエピウェ...

メーカー・取り扱い企業：インターケミ株式会社

常圧焼結SiCセラミックス (CERASIC)

優れた耐食性と物理特性がラインの信頼性を築きます！

CERASIC常圧焼結SiCセラミックスは耐磨耗・耐食性が要求される機械部品に最適な材料です。半導体及びFPD製造用部材としても様々な用途開発が進められており、高純度品としてCVD被膜を施した製品の供給も可...

メーカー・取り扱い企業：株式会社渡辺商行

資料『次世代半導体の今を説く～SiC・GaN解説～』【進呈中！】

次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...

メーカー・取り扱い企業：ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカアンドカンパニー】

研磨技術『SiC ウエハー』

革新的研磨技術を確立！短時間・低コストで究極の面粗さとTTVを実現しま…

電子部品製造・加工業を行うTDCでは、次世代パワーデバイス材料『SiC ウエハー』の革新的研磨技術を確立しました。 SiCは大変優れた材料特性から、次世代パワーデバイス材料として有望視されていますが、研磨プロセスのコストが障壁となっていました。そこで当社では、東北大学多元物質科学研究所との共同研究、産業技術総合研究所のご指導の下、自社独自の研磨技術を開発し、短時間・低コス...

メーカー・取り扱い企業：株式会社ティ・ディ・シー

三安半導体(Sanan)： SiCパワー半導体製品

中国のSiC(シリコンカーバイド)とGaN(ガリウムナイトライド）のパ…

湖南三安半導体有限責任公司（Hunan Sanan Semiconductor Co.,Ltd.）は中国湖南省　長沙市に本社を置く、SiC(シリコンカーバイド)とGaN(ガリウムナイトライド）のパワー半導体製造会社です。 LEDチップの開発・製造において世界シェアトップ企業である三安光電(Sanan Optoelectronics）グループに属し、通信・車載・産業向けのパワー半導体、中でも...

メーカー・取り扱い企業：岡谷鋼機株式会社名古屋本店

SiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価

ディスクリートパッケージ内部の構造を非破壊で立体的に観察

他社品調査や異常品検査では、まず内部構造の調査が必要です。X線CTでは、非破壊で試料内部の透過像を取得し、三次元構築することが可能です。本資料では、製品調査の一環としてSiCチップが搭載されたディスクリートパッケージをX線CTで観察した事例をご紹介します。 X線CTによる構造確認後、MSTで実施している物理分析（破壊分析）をご提案します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

SiCウェーハ

SiC、SiCウェーハ、SiCインゴット、炭化ケイ素、silicon …

SiC（炭化ケイ素、シリコンカーバイド）は、ケイ素（シリコン、Si）と炭素（C）で構成される化合物半導体です。SiCはセラミックスの一種であり、非常に優れた機械的特性、化学的安定性、耐熱性などの特徴から、従来は研磨剤などに多く用いられてきました。しかし近年では結晶成長の技術が高まり、Siなどの従来の半導体と比較して効率よく電力を交換でき、さらに発生する熱量も少ないため、シリコンに代わるパワー半導体...

メーカー・取り扱い企業：株式会社豊港半導体材料事業部

SiCモジュール『EOシリーズ』

電気自動車チャージ、高速電動コンプレッサ等用のSiCモジュール

『EOシリーズ』は、電気自動車チャージ、高速電動コンプレッサー等用に開発された SiCモジュールです。銀焼結およびSi3N4セラミック低熱抵抗基板を使用しており、高い信頼性と長寿命設計が特長です。【特長】 ■Tjmax=175℃ ■Half-Bridge,H-Bridge回路 ■Pressfit端子 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合...

メーカー・取り扱い企業：エルピーエステック株式会社

【株式会社トリニティー】SiCウエハー

次世代パワー半導体　SiCウエハー

【次世代パワー半導体】 SiCウエハは従来のSiウエハより電力損失や熱の発生が少ない為、近年ではパワー半導体としての需要がますます高まっています。大きな電圧、電流にも耐えられるため、EV自動車への搭載や鉄道車両、冷蔵庫やLED電球等の身近なところにも活用されています。【トリニティーでは】トリニティーではSiCウエハを扱っております。複数メーカーから調達が可能でございます。また...

メーカー・取り扱い企業：株式会社トリニティー

SiCモジュール『HPDシリーズ』

高信頼性・長寿命設計の三相水冷式SiCモジュール

『HPDシリーズ』は、電気自動車、燃料電池車用に開発された三相水冷式SiCモジュールです。銀焼結及びSi3N4セラミック低熱抵抗基板を使用しております。また、厚銅フレームによる内部チップ接続で低接続抵抗（RDC≦0.1mΩ）を実現します。【特長】 ■Tjmax=175℃ ■3Phase Full-Bridge回路、大電流出力能力 ■銅Pinfin水冷構造 ■...

メーカー・取り扱い企業：エルピーエステック株式会社

IGBT/SiC/GaNゲート駆動フォトカプラACFL-3161

出力ピーク電流10A。ノイズが多い環境での高速スイッチングを実現。※参…

『ACFL-3161』は、出力ピーク電流が10Aのゲート駆動フォトカプラです。モーターやインバーターなど、高い絶縁性能が求められ、搭載スペースに制約のある産業用アプリケーションで活躍します。 100kV/μsを超えるコモンモード過渡耐性(CMTI)を備えており、ノイズの多い環境でのゲート駆動の誤動作を防止。さらに、伝搬遅延は95ns未満のため高速スイッチングが可能になり、...

メーカー・取り扱い企業：ブロードコム（アバゴ・テクノロジー株式会社）

炭化ケイ素(SiC)半導体デバイス市場調査レポート

SiCデバイス市場は、2023－2035年の予測期間中に30％のCAG…

SiCデバイス市場は、2023年に10億米ドルの市場価値から、2035年までに110億米ドルに達すると推定されています。シリコンに比べて、低いオン抵抗、高電圧、高温、および高周波性能を備えた技術的に開発された半導体は、炭化ケイ素デバイスとして知られています。家庭用電化製品での使用増加がSiCデバイス市場の成長につながっています。SiC デバイスは、高い温度、電圧、周波数しきい値などの利点により、家...

メーカー・取り扱い企業： SDKI Inc.

SiCモジュール『ED3Sシリーズ』

「ED3パッケージ」の2/3サイズに、ED3同等のパワーを提供

『ED3Sシリーズ』は、モータ制御やDC-DCコンバータ等用に開発された SiCモジュールです。「ED3パッケージ」の3分の2のサイズながら、同等のパワーを提供可能。また、低寄生インダクタンス設計による高速スイッチングが行えます。【特長】 ■銀焼結及び高性能Si3N4セラミック低熱抵抗基板を使用 ■Tjmax=175℃ ■Half-Bridge,H-Bridge,Dua...

メーカー・取り扱い企業：エルピーエステック株式会社

ICSシリーズ(SiC_SBD)

SiCによる高電流、高耐圧特性と、高速リカバリ特性により電源の高効率化…

弊社のICSシリーズは、SiCを材料としたショットキーバリアダイオードです。 SiCを材料とすることで、シリコンでは実現できなかった高電流、高耐圧特性とショットキーバリアダイオードの高速リカバリ特性を両立しております。電源回路のPFC(力率改善回路)やインバータ回路のフリーホイールダイオードに使用することにより、電源の高効率化に貢献し、スイッチング時の余分な消費電力を抑えます。弊社比較にて、高...

メーカー・取り扱い企業：イサハヤ電子株式会社

高温イオン注入・高温アニール受託サービス【SiC、GaN等】

SiC等のデバイス作製に適した高温イオン注入や、ドーパント活性化のため…

SiC（シリコンカーバイド）、GaN（窒化ガリウム、ガリウムナイトライド）等の化合物半導体では、デバイス作製に適した高温イオン注入やドーパント活性化のための高温アニールが必要とされます。弊社では、高温イオン注入や高温アニールのリクエストにお応えします。また、アニール時の温度が高温のため、アニール前のキャップ膜による表面保護が必要になります。弊社では高温アニールだけでなく、PBII（Plas...

メーカー・取り扱い企業：株式会社イオンテクノセンター

パワーデバイス（SiC）をチップ化

ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ＆ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム（GaN）、アルミナ(Al2O3)　、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素（Si3N4）、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工（個片化）する技術です。　 MDI独自技術であるSnB「スクライブ＆ブレーク」によっ...

メーカー・取り扱い企業：三星ダイヤモンド工業株式会社

SiC ショットキーバリアダイオード

低スイッチング損失を実現するSiC ショットキーバリアダイオード

当社が取り扱う『SiC ショットキーバリアダイオード(SBD)』をご紹介します。当製品の特長である高速逆回復時間(trr)だけでなく、JBS(ジャンクションバリアショットキー)構造を採用。スイッチング電源に要求される低リーク電流(Ir)と高サージ電流を実現した 650Vの製品を提供しています。【特長】 ■高い逆電圧 ■JBS(ジャンクションバリアショットキー...

メーカー・取り扱い企業：東芝デバイス&ストレージ株式会社

SiCインゴット

SiC、SiCインゴット、炭化ケイ素、silicon carbide

昇華法によって生産された単結晶SiCインゴットは、高精密加工（Wafering）と高精密洗浄、ファイナル検査を経て、単結晶SiCウェーハとなります。...SiCインゴット製品 4インチ 4H-N 6インチ 4H-N 8インチ 4H-N...

メーカー・取り扱い企業：株式会社豊港半導体材料事業部

SiC / 単結晶炭化ケイ素 / シリコンカーバイド

高品質・低価格な単結晶SiCウェハー★1枚から対応♪

高品質と価格競争力を両立した中国製SiC基板と国内加工のカスタマイズ製品をご提供いたします。...■　品名：単結晶SiC基板（シリコンカーバイド、炭化ケイ素） ■　ポリタイプ：4H ■　タイプ：N-type（窒素ドープ）、半絶縁（Semi-insulating） ■　サイズ：Φ2"、Φ3"、Φ4"、Φ6"、Φ8” ■　厚さ：330μm、350μm、500μm（特殊厚み指定可能）　　...

メーカー・取り扱い企業：株式会社同人産業

GaN基盤

バンドギャップの広さとスイッチングの速さ、オン抵抗が低いことも有利なポ…

当社では「GaN基盤」の製造販売を行っております。 GaN(窒化ガリウム)という半導体を使用した基盤。青色発光ダイオードの材料として世に広まりましたが、絶縁破壊電解強度や熱伝導率の高さが注目され、近年では先進パワー半導体の材料として応用されています。ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。【基本仕様(一部)】 ■直径：Φ2"、Φ3"、Φ4"、Φ6" ■...

メーカー・取り扱い企業：エムシーオー株式会社

ゲートドライバIC『1EDI302xAS/1EDI303xAS』

アプリケーションソフトウェアの再利用が可能！市場投入までの時間を短縮

『1EDI302xAS/1EDI303xAS』は、車載用の高耐圧ゲートドライバーです。インフィニオンのコアレストランスフォーマー技術を用いて、ガルバニック絶縁をまたいで信号伝達を行います。 IGBTやSiCパワー技術に最適化されたピン互換製品をラインアップ。非常にコンパクトなパッケージデザインと高度な機能集積により、貴重な基板スペースを節約することができます。【特...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

高純度黒鉛製品「半導体をはじめ様々な産業で活躍」

半導体をはじめ様々な産業で活躍　高密度/高純度な特殊炭素材料　Si…

高純度黒鉛材料は、半導体製造工程で幅広く使用されています。さらに、厳選された黒鉛基材の表面にSiCコーティングを施したクリアーカーボンは、エピタキシャル用サセプターや各種治具で使用されており、その優れた特性は国内外で高く評価されています。【特徴】　・半導体をはじめ様々な産業で利用（特殊な処理により灰分を3ppm以下に抑えています）　・特殊炭素材料：高密度／高均熱特性／高耐酸化性...

メーカー・取り扱い企業：株式会社渡辺商行

ゲート駆動フォトカプラ『ACPL-355JC』

出力ピーク電流10A。IGBT/SiC/GaNモジュール駆動に。保護機…

『ACPL-355JC』は、10Aのピーク出力電流と広い動作電圧に対応したゲート駆動フォトカプラです。高い同相ノイズ除去特性（100kV/μs）によりモーター制御およびインバーターアプリケーションにおけるIGBT、SiC/GaN MOSFETなどのモジュール駆動に適しています。優れたタイミングスキュー性能を持ち、伝搬遅延時間は140ns。過電流からモジュールを保護し、コントローラー...

メーカー・取り扱い企業：ブロードコム（アバゴ・テクノロジー株式会社）

CZ/高抵抗FZ 各種ウェーハ販売(評価・開発・テスト用)

少量ウェーハに対応！研究・テスト用途に便利なウェーハ販売サービス！ハ…

【取扱商品】＊CZ・FZ・拡散ウェーハ・SiC・SOI・EPI・GaAs・SiGe・GaSb・サファイア・ゲルマニウムなど様々な半導体用ウェーハを扱っております。＊プライム・テスト・モニター用ベアウェーハ(高精度ウェーハ・パーティクルチェック用・COP対策品等）＊SOIウェーハ：高抵抗デバイス層、基板も対応可、ウェーハを支給していただきSOIウェーハへ加工することも可能です。 ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社エナテック東京本社

【POTENS】600V以上高耐圧品　MOSFET相当品情報多数

汎用の低耐圧から1500V高耐圧MOSFETなど豊富なラインナップ！ …

POTENS(ポテンツ)は2012年9月に設立された台湾のFABレス、パワー半導体メーカーです。パワー半導体製品の開発を行っており、10V耐圧～1500V耐圧まで幅広くラインアップしております。高耐圧600V～1500V製品まで、クロスリファレンスを作成しました。是非、ダウンロードして頂き、新規、代替品検討、EOL対策や、セカンドソース準備、納期対策などにご活用ください。ク...

メーカー・取り扱い企業：株式会社セイワ

パワー半導体デバイス

脱炭素社会の実現に貢献するパワー半導体デバイス

三菱電機は、家電、産業機器、鉄道、自動車などのあらゆるパワーエレクトロニクス機器の大幅な省エネ化を実現し、脱炭素社会の実現と豊かな生活の両立に貢献するパワー半導体デバイスを提供しています。 ●パワー半導体モジュール、SiCパワー半導体デバイス　モーター制御や電力変換などのパワーエレクトロニクス機器のインバータ化により効率化や省エネ化に最適です。 DIPIPM、IGBTモジュール...

メーカー・取り扱い企業：株式会社カナデン本社

CZウェーハ　成膜加工

2インチから12インチウェーハへの成膜が可能です。

株式会社エナテックのCZウェーハ成膜加工は、膜種により2インチから450ｍｍウェーハへの成膜が可能です。酸化膜系：熱酸化、RTO、LP-TEOS、HDP-USG、P-TEOS、PSG、BPSG、BSG、LP-CVD、PE-CVD 窒化膜系： HCD-SiN、DCS-SiN、P-SiN、LP-SiN 、LP-CVD、PE-CVD 金属膜系： TaN、Ta、Cu、Al、AlN、...

メーカー・取り扱い企業：株式会社エナテック東京本社

DC-DCコンバーター『REF-DAB11KIZSICSYS』

リファレンスデザイン！双方向のパワーフロー機能を有したSiC DC-D…

『REF-DAB11KIZSICSYS』は、EV充電およびESSアプリケーション向けの SiC DC-DCコンバーターです。本リファレンスデザインは、11kW、最大800Vの双方向DC-DCコンバータを迅速に実現す...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

制御ソフトウェア開発用コントローラボード　HECS-B/A

コンパクトサイズに多彩な機能を搭載

12 本のゲート信号出力を搭載し、TI 製高性能マイコンとXilinx 製 FPGA により多彩なパルスパターンが生成可能で、三相インバータなら２台同時に駆動が可能なコントローラボードです。フットプリントA6 サイズ以下のコンパクト設計で開発用にも組込用にも適しています。 12 ビットAD 変換、CAN 通信機能も搭載しています。【特長】 ■コンパクトサイズに多彩な機能を搭載 ...

メーカー・取り扱い企業：ヘッドスプリング株式会社

半導体材料『酸化ガリウム』

日本発の新しい半導体材料！世界中の研究・開発機関へ優れた材料を届けます

『酸化ガリウム』は、融液成長法でバルク結晶の製造を行うため、高速な成長が可能な半導体材料です。気相成長法でバルク結晶を製造するGaNやSiCと比べ、基板の低コスト化が可能とされています。また、絶縁破壊電界強度がGaNやSiCより大きいことが予測されており、スイッチング損失を小さく保ったまま、6000V以上の大きな耐圧を持つパワーデバイスを作製できることが期待されてい...

メーカー・取り扱い企業：株式会社ノベルクリスタルテクノロジー本社

ワイドギャップ半導体

SiC、GaNなど半導体技術・製品の提供

当社では、SiCウエハ、GaNウエハ、DLTS測定装置などの「ワイドギャップ半導体」を取り扱っております。シリコン半導体を凌ぐポテンシャルを持つ、半導体であるワイドバンドギャップ半導体の製品・サービスを幅広く提供。その他、欧州partner各社のガラス溶解エンジニアリングに必要な種々の部材、装置、技術を国内顧客に提案しております。【2つの事業】 ■半導体部門：...

メーカー・取り扱い企業：セラミックフォーラム株式会社

ゲートドライバファミリー『2L-SRC Compact』

ゲート抵抗の調節が可能！入力フィルター内蔵のため、外付けのフィルターが…

『2L-SRC Compact（1ED32xx）』は、2レベルのスルーレート制御により、オンザフライでゲート抵抗を調整できる、コンパクトなシングルチャネル絶縁型ゲートドライバファミリーです。当製品は、2ピンを使ったデュアル出力タイプで、シングルあるいはデュアルを制御することでゲート抵抗の調節が可能。最大ピーク出力電流は18A（typical）です。当ドライバーICは、幅...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

モジュール『HybridPACK Drive』

コンパクトなデザイン！車載用SiC-MOSFET 1200V Hybr…

『HybridPACK Drive』は、非常にコンパクトな6パックモジュールです。チップ数の異なる1200V/400Aと1200V/200Aの2種類があり、ハイブリッド車や電気自動車に好適。当パワーモジュールには、電動ドライブトレイン用に最適化された新製品「CoolSiC Automotive MOSFET 1200V」が実装されています。シリコンからシリコンカーパ...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

Alpha Power Solutions

アルファ・パワー・ソリューションズ（APS）は、中華圏初の6インチ炭化…

シリコンウェーハ工場とSiC専用ウェーハ工場の両方で稼働する当社独自のSiCプロセスを用いて、最適化されたSiC製品を顧客に提供し、様々なのグリーンエネルギーに貢献することです。...アルファ・パワー・ソリューションズ（APS）は、中華圏初の6インチ炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスメーカーです。シリコンウェーハ工場とSiC専用ウェーハ工場の両方で稼働する当社独自のSiCプロセスを用いて、最適...

メーカー・取り扱い企業：リバウンドエレクトロニクス株式会社本社

シリコンカーバイドパワー半導体市場の調査レポート

炭化ケイ素パワー半導体市場は、予測期間2022年から2031年にわたっ…

パンデミックの流行は、世界中の中小企業に経済的混乱をもたらしました。さらに、(ウイルスの蔓延を最小限に抑えるために)世界中の政府によって課された国ごとの封鎖は、製造業の大部分が生産性を高めるために協力しながら密接に接触している工場現場での作業を含むため、世界中のサプライチェーンと製造業務に打撃を与え、混乱をもたらしました SiC(炭化ケイ素)は、広いバンドギャップにより、高出力アプリケーショ...

メーカー・取り扱い企業： SDKI Inc.

高周波デバイス（GaNonSiC、GaAs）をチップ化

ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ＆ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム（GaN）、アルミナ(Al2O3)　、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素（Si3N4）、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工（個片化）する技術です。　 MDI独自技術であるSnB「スクライブ＆ブレーク」によっ...

メーカー・取り扱い企業：三星ダイヤモンド工業株式会社

GaN RF半導体デバイス市場の調査レポート

GaN RF半導体デバイス市場は、予測期間(2021-2026)にわた…

COVID-19の流行は、さまざまな業界の供給ラインに影響を与え始めており、通信業界にも例外はありません。通信業界にとって、COVID-19は5Gの普及を大幅に妨げると予想されています。この危機的な状況では、消費者は携帯電話の使用をやめないことが期待されていますが、彼らのほとんどはまだ初期段階にある技術にもっと投資することができないかもしれません。モノのインターネット(IoT)の成長により、5Gネ...

メーカー・取り扱い企業： SDKI Inc.

【資料】しるとくレポNo.12　＃ダイオードの種類と特長

SiCデバイスを使って電源を効率化！ダイオードの種類と特長について簡単…

★★しるとくレポ　知って得するお役立ち情報★★ 半導体材料をSiからSiC(炭化ケイ素)にすることで、ショットキーバリアダイオード(SBD)の耐電圧が向上し、PCSのDC/DCコンバータで使用できるようになりました。 SiCにすると性能は良くなるのですが、これまではコスト面の課題でなかなか使用するまでには至りませんでした。しかし、ここ1、2年でコストの課題も改善し、使用...

メーカー・取り扱い企業：株式会社Wave Technology

【研磨加工素材】化合物材料　研磨加工

弊社では化合物半導体結晶の研磨加工が可能です。定形品に限らず、少量から…

化合物の場合、シリコン・酸化物と異なり非常に軟質な材料であり、薄くする事は困難と云われておりますが、日本エクシードではパターン形成済み化合物ウエーハについても薄く仕上げる事が可能となり、お客様への納品方法を含め対応が可能です。「臭素を含まない研磨剤による鏡面研磨の開発」として1996年に特許を取得。定形品に限らず、少量から量産加工まで幅広く対応しています。パワーデバイスなどに用...

メーカー・取り扱い企業：日本エクシード株式会社