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PR“サセプタ不用"の高スループットSiCウェハアニール!4-8…
『HEATPULSE』は、サセプタ不要のSiCウェハアニールが可能な 高速加熱処理(RTP/RTA)装置です。 独自技術により高温プロセスも効率化。 パワーデバイス関連、およびその他の半導体業界、または高温高速 加熱処理が必要な方に好適な装置です。 【特長】 ■独自技術により、サセプタ無しでのSiCアニールを実現 ■パージ効率、昇温レートの向上により、約1.5倍の高スルー...
メーカー・取り扱い企業: プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社
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資料『次世代半導体の今を説く~SiC・GaN解説~』【進呈中!】
PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに!
エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく! ...
メーカー・取り扱い企業: ジェルグループ【株式会社ジェルシステム/株式会社ナカ アンド カンパニー】
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SiC試料の顕微鏡画像をカメラで撮影、リアルタイムLCD出力
『SCM-100』は、あらかじめプログラムされた電流をSiC試料の トランジスタの内蔵ダイオードに印可する機能を持った SiC顕微観察装置です。 電流印可時に電流が流れない箇所(欠陥)は発光しないため 顕微鏡に取り付けたカメラで撮影して欠陥を見つけることが可能です。 【特長】 ■撮影間隔3秒~24時間で最大撮影枚数999枚、SDカードに保存可能 ■出力電圧・出力電流・ステータ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社フォトサイエンス
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SiCウェーハ等の内部に存在する結晶欠陥や内部歪みを、高感度かつリアル…
XS-1はパワーデバイス用半導体として注目されているSiCウェーハなどの内部に存在する結晶由来の欠陥(マイクロパイプ、貫通刃状転位、貫通螺旋転位、基底面転位、積層欠陥、インクルージョンなど)を高感度でリアルタイムに可視化する装置です。可視光領域を使用するレーザー検査装置あるいは偏光顕微鏡では捉える事ができない様々な原子レベルの結晶欠陥を観察することが可能です。 【特長】 ■SiCウェーハ等...
メーカー・取り扱い企業: Mipox株式会社
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『TEMの基礎』『TEMの応用と事例』※希望者全員にプレゼント
高分子や半導体など、幅広い分野の研究開発に活躍するTEM(透過電子顕微…
TEM(透過電子顕微鏡法)は、薄片化した試料に電子を照射し、 試料を透過した電子や散乱した電子を結像し、高倍率で観察する手法です。 MSTでは、TEMの特徴や試料作製方法など基礎知識を掲載した『TEMの基礎』と 代表的な分析事例や他手法との複合解析例などを掲載した『TEMの応用と事例』を進呈中! 写真や図を用いてわかりやすく紹介した資料です。 【掲載内容(一部)】 <TEM...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【アルミナ研磨紙】試料研磨用『耐水研磨紙』☆無料サンプル配布中☆
試料研磨機向けのアルミナ砥粒の耐水研磨紙です。労働安全衛生法にも該当し…
鉄鋼、非鉄金属、基板、樹脂等の粗研磨、面出しに。 【特長】 〇#80~1200までの砥粒サイズが御座います。 〇直径サイズは以下の通り。 ・φ200mm ・φ203mm ・φ223mm ・φ250mm ・φ300mm ・φ305mm 〇各種糊無し、糊付きをご用意。...試料研磨機の研磨でご使用頂けます。ご使用の研磨盤に合わせてサイズをお選び下さい。Sic研磨紙の代替...
メーカー・取り扱い企業: ハルツォク・ジャパン株式会社
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セラミックス・樹脂を中心とした材料のレーザー加工はお任せください
当社は、レーザー加工を加工法の一つと考え、形状や材料に合わせた工法を提案いたします。 社内での他の工法との組み合わせも可能で様々な形状に対応いたします。 "これまで出来なかった加工"ではなく"こんなことも出来る加工"を提案。 【当社のレーザー加工】 ・材料に合わせた最適な光学系、発振器、周辺技術を提案し加工 ・当社が販売しているレーザー加工装置を複数台保有し実際に加工 ・いわる...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アルプスエンジニアリング
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【測定事例】<LED材料>窒化ガリウムGaNの熱的評価【TM3】
青色LEDや半導体の材料で知られる窒化ガリウムを熱的に評価!!
■微小サイズ(3μm~)の粒子を評価 ■薄膜の熱伝導率を評価 ■サブミクロンオーダーでの測定が可能...窒化ガリウム(GaN)は、青色LED材料のほか、 シリコンカーバンド(SiC)と同様に、 次世代の「ワイドバンドギャップ半導体材料」として注目されています。 GaN は、Si や SiC のように単体のウエハーで作成されるわけではなく、 Si やサファイア上にエピタキシャル成長で...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社ベテル ハドソン研究所
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