資料『次世代半導体の今を説く～SiC・GaN解説～』【進呈中！】

PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...

メーカー・取り扱い企業： ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカ アンド カンパニー】

【カタログ進呈！】高性能オシロスコープ　PicoScope

PR先端デバイスの開発など、優れた信号解析性能が要求されるアプリケーション…

高性能オシロスコープPicoScope 6428E-Dは、 既存のPicoScope 6000Eシリーズの性能を拡張したもの。 高エネルギー物理学、LIDAR、VISAR、分光分析、加速器、 および他の高速信号解析に取り組む科学者や研究者にとって理想的なツールです。 【特徴】 ・周波数帯域 ３ GHｚ ・最高サンプリング速度 10 GS/s ・分解能可変8－12ビット ・メモリ４GS ・アナロ...

メーカー・取り扱い企業： Pico Technology Ltd.

ホイールダイヤモンドソー

高速回転する切断ホイールで金属やセラミックスなどを精密切断します。

φ２５０ｍｍのSic切断ホイール、又はダイヤモンドホイールを使って切断します。...ホイール回転数：２８００ｒｐｍ 切断ホイール：Sicブレードφ２５０ｍｍまたはダイヤモンドホイール 最大サンプルサイズ：３０ｍｍｘ３０ｍｍ 寸法：　６５０ｘ４５０ｘ４００ｍｍ 重さ：６０ｋｇ...

メーカー・取り扱い企業： 有限会社オーリー

ＳｉＣコーティング装置（ＡＦ－ＩＰ装置）

緻密で耐摩耗性と耐酸化性に優れたＳｉＣ（シリコンカーバイド）膜をＰＶＤ…

新開発アークフィラメント型イオンプレーティング法により従来に無かったＰＶＤ法による」ＳｉＣ成膜を実現。 ４００℃以下の低温で緻密で耐摩耗性・耐酸化性に優れたＳｉＣ膜を形成可能とした新成膜技術を採用。 個体シリコンを出発材料としたイオンプレーティング法のためシンプルで環境負荷の少ないクリーンなプロセスを実現。 膜厚や膜質の制御性も高くＣＶＤに比べ、排ガス処理・メンテナンス性・設置面積・ランニン...

メーカー・取り扱い企業： 神港精機株式会社 東京支店

微細レーザー加工機 ABLASER

独自技術の光学ヘッドにより、高精度高能率な加工を実現。φ0.05～0.…

レーザービームを任意の穴径に調整して回転させるプリズムローテータをヘッドに採用、シャープなエッジをもつ形状加工を実現しました。 また、ストレート、テーパ、逆テーパ、鼓型など、任意の断面形状の穴加工も可能です。 シリコンウエハ、SiC、マシナブルセラミック、プラチナ、ステンレス、石英ガラスなど、多種多様な材質に対応しています。...詳しくは、当社ウェブサイトをご覧ください。 ▼微細レーザ...

メーカー・取り扱い企業： ニデックマシンツール（前：日本電産マシンツール）株式会社 本社・本工場