資料『次世代半導体の今を説く～SiC・GaN解説～』【進呈中！】

PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...

メーカー・取り扱い企業： ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカ アンド カンパニー】

解説資料 開発元監修『見積段階から機械動作を可視化する3D構想』

PR複雑する装置仕様を見える化！受注率UPと手戻り削減に貢献する3DCAD…

機械設計向け3次元CAD「iCAD SX」の開発元が監修しました。 複雑化する装置仕様の摺合せが難しい理由や問題点を洗い出し、 "装置仕様（動き）の可視化"について解説した資料を無料進呈中です。 　【資料概要】 　　■製造業を取り巻く環境と、装置の複雑化 　　■仕様説明時における取組と課題、目指す姿 　　■打ち合わせ初期から一連の動作フローを可視化する効果 　　※ 本ページのPDFダウンロード...

メーカー・取り扱い企業： i CAD株式会社 - 機械設計向け3DCAD（3次元CAD）開発元 -

【分析事例】SiC基板表面および内部の不純物濃度測定

ICP-MS, GDMSにより基板表面と内部とを切り分けて分析

半導体材料に含まれる不純物は、リーク電流の発生やデバイスの早期故障等、製品の品質に影響する場合があります。従って、材料に含まれる不純物量を把握することは、製品の品質向上において重要です。本資料では、パワーデバイス材料として注目されているSiC基板について、基板表面に付着した不純物をICP-MS、基板中の不純物をGDMSで分析した事例をご紹介します。 測定法：ICP-MS・GDMS 製品分野：パ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

技術情報誌 201901-02 ナノメートルスケール局所構造解析

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

【要旨】 金属チップ先端などに局在化する近接場光を利用した分光分析技術はナノメートル領域の化学構造の解析を可能にする手法として強く期待されている。チップ増強ラマン分光法や近接場ラマン分光法はその代表的な手法であり、原理解明や応用に関する様々な研究が行われてきた。本稿ではそれらの材料分析への適用例を示し、材料解析に対する実用性について言及する。 【目次】 １．はじめに ２．TERSによるCN...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター

技術情報誌 201903-01 最先端SIMS分析装置

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

【要旨】 最先端の二次イオン質量分析（SIMS）装置であるNanoSIMS 50Lは、プローブ径約50 nmのイオンビームと、透過率の高い質量分析系の併用により、従来のSIMSに比べて約2桁高い空間分解能でイメージング測定を行うことが可能である。本稿では、NanoSIMS 50Lの装置の特徴と分析事例を紹介する。 【目次】 １．はじめに ２．分析装置の概要 ３．毛髪断面の分析事例 ４．...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター

【分析事例】発光寿命測定によるキャリアライフタイム評価

発光寿命からSiCのキャリアライフタイムについて知見が得られます

キャリアライフタイムとは、電子デバイスの動作の際に生じる過剰キャリアの内、少数キャリアが1/eになるまでの時間です。これを適切に制御することがデバイスの電気特性をコントロールする上で重要です。 一方、発光寿命とは試料からの発光強度が1/eになるまでの時間を示し、発光減衰曲線から算出可能です。少数キャリアの一部は再結合時に発光するため、発光寿命測定から間接的にキャリアライフタイムの評価が可能です。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

技術情報誌 201901-01 Ga2O3膜の分析評価技術

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

【要旨】 SiCやGaNより大きなバンドギャップを持つ酸化ガリウム（Ga2O3）は新たなパワーデバイス材料として注目されている。デバイス応用に向けた薄膜成長技術の発展とともに、Ga2O3薄膜の分析評価技術の重要性は益々高まると考えられる。本稿では、サファイア基板上に作製したGa2O3膜の結晶構造解析、および不純物、欠陥評価を行った事例について紹介する。 【目次】 １．はじめに ２．試料 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター

パワーサイクル試験（パワーモジュールの信頼性評価）

パワーサイクル試験前後や試験途中における各種測定、観察、解析も一括で実…

チップの自己発熱と冷却を、短時間で繰り返す熱ストレスへの耐久性を 評価するために、「パワーサイクル試験」の重要性が増しています。 当社では、試験前後や試験途中における各種測定、観察、解析も一括で 実施しています。 また試験サービスだけではなく、試験装置の開発・販売も 行っておりますので、ご用命の際はお気軽にお問い合わせ下さい。 【特長】 ■複数のサンプルを同時に試験できる...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社クオルテック

XPSによるバンドギャップの簡易測定

XPSを使用して簡易的に測定することが可能！酸化物系以外の半導体もお問…

アイテスでは、『XPSによるバンドギャップの簡易測定』を行っています。 半導体や絶縁物の中で、比較的バンドギャップが広い物質や薄膜の バンドギャップを、XPSを使用して簡易的に測定することが可能。 β-Ga2O3のバンドギャップをO1sのピークを使用して測定を行った際は、 O1sのピーク位置とバンドギャップによるエネルギー損失の端部との差より このβ-Ga2O3のバンドギャップは...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

走査型マイクロ波顕微鏡法_SMM

Scanning Microwave Microscopy

SMM は、導電性プローブを用いて計測試料を走査し、その凹凸形状を観察します。同時に、マイクロ波を探針から試料に照射して、その反射応答を計測することで、特に半導体の場合にはキャリア濃度に相関した信号を得ることができる手法です。SMM 信号の強度はキャリア濃度に線形に相関するため、定量性が高いことが特徴です。 ・Si デバイスの場合、1015～1020cm-3程度のキャリア濃度に感度がある ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

固体分析　新サービス開始 （GDMS）

「多くの元素を感度よく測りたい!」というご要望にお応えします。 主成…

グロー放電質量分析計(GDMS)による新サービスを5/15(月)より開始しました。 ・主成分からppbレベルの微量成分までの70元素以上の同時分析が可能 ・従来困難であったC,N,Oをppmレベルで検出 ・nm～数十µm以上の深さ方向分析が可能 ...ワイドギャップ半導体材料として用いられるSiCやGaNは耐薬性が高いため完全溶解することができず、化学分析での不純物分析が困難でした。 一方...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

X線単結晶方位測定

試料ホルダーの交換により、φ2.88mmチップ～φ6inchインゴット…

当社では、サファイア、SiC、LTGAなどの単結晶を、結晶軸に対する 切断方向結晶方位を測定いたします。 試料ホルダーの交換により、φ2.88mmチップ～φ6inchインゴットまで 測定可能。 受託測定もいたしますので、お気軽にお問い合わせください。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合...

メーカー・取り扱い企業： シンコー株式会社