資料『次世代半導体の今を説く～SiC・GaN解説～』【進呈中！】

PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...

メーカー・取り扱い企業： ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカ アンド カンパニー】

各種ウェハ高速加熱処理装置『HEATPULSE』

PR“サセプタ不用"の高スループットSiCウェハアニール！4-8…

『HEATPULSE』は、サセプタ不要のSiCウェハアニールが可能な 高速加熱処理(RTP/RTA)装置です。 独自技術により高温プロセスも効率化。 パワーデバイス関連、およびその他の半導体業界、または高温高速 加熱処理が必要な方に好適な装置です。 【特長】 ■独自技術により、サセプタ無しでのSiCアニールを実現 ■パージ効率、昇温レートの向上により、約1.5倍の高スルー...

メーカー・取り扱い企業： プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

応力分布測定＜顕微レーザーラマン分光分析＞

半導体に用いられるSiCにつけた圧痕周辺の応力分布の測定例！可視光レー…

当社では、応力分布測定＜顕微レーザーラマン分光分析＞を行っております。 残留応力は製品に変形や破壊などの様々な悪影響を及ぼします。 その測定方法はいくつかありますが、ラマン分光分析も有効な手段の一つです。 関連リンク先では、半導体に用いられるSiCにつけた圧痕周辺の応力分布の 測定例を、グラフや写真とともにご紹介しております。 【特長】 ■分析装置：RAMAN ■分析方法...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社大同分析リサーチ

パワーサイクル試験（パワーモジュールの信頼性評価）

パワーサイクル試験前後や試験途中における各種測定、観察、解析も一括で実…

チップの自己発熱と冷却を、短時間で繰り返す熱ストレスへの耐久性を 評価するために、「パワーサイクル試験」の重要性が増しています。 当社では、試験前後や試験途中における各種測定、観察、解析も一括で 実施しています。 また試験サービスだけではなく、試験装置の開発・販売も 行っておりますので、ご用命の際はお気軽にお問い合わせ下さい。 【特長】 ■複数のサンプルを同時に試験できる...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社クオルテック

走査型マイクロ波顕微鏡法_SMM

Scanning Microwave Microscopy

SMM は、導電性プローブを用いて計測試料を走査し、その凹凸形状を観察します。同時に、マイクロ波を探針から試料に照射して、その反射応答を計測することで、特に半導体の場合にはキャリア濃度に相関した信号を得ることができる手法です。SMM 信号の強度はキャリア濃度に線形に相関するため、定量性が高いことが特徴です。 ・Si デバイスの場合、1015～1020cm-3程度のキャリア濃度に感度がある ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

顕微鏡外観検査

最小で350μmの製品を取り扱っており、検出の難しい100μm以下の不…

顕微鏡検査においては8倍～50倍の顕微鏡と、80倍までの顕微鏡、 300倍までの顕微鏡と3種類で検査をしております。 検査をしている製品の大きさは、最小で350μmの製品を取り扱っており、 顕微鏡でしか検出の難しい100μm以下の不良を検出。 特殊品顕微鏡検査の認定取得が大変難しいため、社内でも30％の 人員しか取得していない難易度の高い検査となります。 【特長】 ■主要...

メーカー・取り扱い企業： サイトー電子株式会社 赤坂事業場