資料『次世代半導体の今を説く～SiC・GaN解説～』【進呈中！】

PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...

メーカー・取り扱い企業： ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカ アンド カンパニー】

【カタログ進呈！】高性能オシロスコープ　PicoScope

PR先端デバイスの開発など、優れた信号解析性能が要求されるアプリケーション…

高性能オシロスコープPicoScope 6428E-Dは、 既存のPicoScope 6000Eシリーズの性能を拡張したもの。 高エネルギー物理学、LIDAR、VISAR、分光分析、加速器、 および他の高速信号解析に取り組む科学者や研究者にとって理想的なツールです。 【特徴】 ・周波数帯域 ３ GHｚ ・最高サンプリング速度 10 GS/s ・分解能可変8－12ビット ・メモリ４GS ・アナロ...

メーカー・取り扱い企業： Pico Technology Ltd.

ICSシリーズ(SiC_SBD)

SiCによる高電流、高耐圧特性と、高速リカバリ特性により電源の高効率化…

弊社のICSシリーズは、SiCを材料としたショットキーバリアダイオードです。 SiCを材料とすることで、シリコンでは実現できなかった高電流、高耐圧特性とショットキーバリアダイオードの高速リカバリ特性を両立しております。 電源回路のPFC(力率改善回路)やインバータ回路のフリーホイールダイオードに使用することにより、電源の高効率化に貢献し、スイッチング時の余分な消費電力を抑えます。 弊社比較にて、高...

メーカー・取り扱い企業： イサハヤ電子株式会社

SiC (MOSFET/SBD) モジュール

装置の小型化、高効率に貢献　SiCパワーモジュール

(株)三社電機製作所のパワーモジュール技術とパナソニック(株)の SiC (炭化ケイ素)パワートランジスタ技術により、小型高信頼性SiC パワーモジュールを共同開発 SiC(シリコンカーバイド)パワーデバイスは低損失、高速動作が可能となり大電流、高電圧用途での省エネ化に貢献 新開発Techno Block(*1)パッケージ技術により、信頼性、低損失、小型化を実現 =特長= ■ ...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

資料『次世代半導体の今を説く～SiC・GaN解説～』【進呈中！】

次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...

メーカー・取り扱い企業： ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカ アンド カンパニー】

SiC ショットキーバリアダイオード

低スイッチング損失を実現するSiC ショットキーバリアダイオード

当社が取り扱う『SiC ショットキーバリアダイオード(SBD)』をご紹介します。 当製品の特長である高速逆回復時間(trr)だけでなく、JBS(ジャンクション バリア ショットキー)構造を採用。 スイッチング電源に要求される低リーク電流(Ir)と高サージ電流を実現した 650Vの製品を提供しています。 【特長】 ■高い逆電圧 ■JBS(ジャンクション バリア ショットキー...

メーカー・取り扱い企業： 東芝デバイス&ストレージ株式会社

【資料】しるとくレポNo.12　＃ダイオードの種類と特長

SiCデバイスを使って電源を効率化！ダイオードの種類と特長について簡単…

★★しるとくレポ　知って得するお役立ち情報★★ 半導体材料をSiからSiC(炭化ケイ素)にすることで、ショットキーバリア ダイオード(SBD)の耐電圧が向上し、PCSのDC/DCコンバータで 使用できるようになりました。 SiCにすると性能は良くなるのですが、これまではコスト面の課題で なかなか使用するまでには至りませんでした。 しかし、ここ1、2年でコストの課題も改善し、使用...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社Wave Technology

【研磨加工素材】化合物材料　研磨加工

弊社では化合物半導体結晶の研磨加工が可能です。定形品に限らず、少量から…

化合物の場合、シリコン・酸化物と異なり非常に軟質な材料であり、薄くする事は困難と云われておりますが、日本エクシードではパターン形成済み化合物ウエーハについても薄く仕上げる事が可能となり、お客様への納品方法を含め対応が可能です。 「臭素を含まない研磨剤による鏡面研磨の開発」として1996年に特許を取得。 定形品に限らず、少量から量産加工まで幅広く対応しています。 パワーデバイスなどに用...

メーカー・取り扱い企業： 日本エクシード株式会社

DACO SEMICONDUCTOR

1994年に設立されたDACOは、IGBT、SiC（炭化ケイ素）ダイオ…

1994年に設立されたDACOは、IGBT、SiC（炭化ケイ素）ダイオード、SiC（炭化ケイ素）MOSFET、シリコンダイオード、ショットキー、シリコンMOSFETなどのディスクリート部品とモジュールを含む優れた半導体製品の設計、製造を行う台湾のウェハおよびモジュールデバイス組立のパイオニアで革新的なメーカーです。...最先端技術と性能。 DACOの創業者は台湾の国家科学委員会半導体研究センター...

メーカー・取り扱い企業： リバウンドエレクトロニクス株式会社 本社

Microsemi社　シリコンカーバイド製品ラインアップの紹介

使用環境（温度、湿度、負荷）異常時においても性能を維持する頑強さ！

Microsemi社は、Silicon Carbide（シリコンカーバイド）チップを独自開発 しています。 ラインナップはMOSFET（700V、1200V、1700Vクラス）およびSCHOTTKY DIODE（650V、1200V、1700V）です。 使用環境（温度、湿度、負荷）異常時においても性能を維持する頑強さがあ り、また高周波動作においても優れた動作性能を発揮します。 【特長】...

メーカー・取り扱い企業： リチャードソン・アールエフピーディー・ジャパン株式会社

Yangjie Electronic Technology

ディスクリート半導体チップの設計と生産、半導体部品の組み立てとテスト.

ディスクリート半導体チップの設計と生産、半導体部品の組み立てとテスト、および市場の販売とサービスを統合した、中国では数少ない優れたIDMメーカーの1つであります。私達はディスクリート半導体チップ、mosfets、IGBT&パワーモジュール、SiC、整流器、保護装置および小さい信号等を含むプロダクト ラインの広い範囲を持っています。これは私達が私達の顧客に総プロダクト解決を提供することを可能にします...

メーカー・取り扱い企業： リバウンドエレクトロニクス株式会社 本社

半導体カタログ 2021-2022

確かな経験と蓄積された技術により開発！各種整流ダイオードや高圧ツェナー…

当カタログでは、当社で取り扱う半導体をご紹介しております。 小型薄型で、実装面積が小さい「一般整流ダイオード」をはじめ、 通信工業用として高い信頼性を有する「シリコンバリスタ」等を掲載しています。 高耐圧ダイオードモジュールは医療機器市場に、大電流ダイオードモジュールや スナバーモジュールは鉄道や産業機器に、表面実装ダイオードはカメラ・ 携帯機器・通信機器に、そしてカスタムモジュ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社オリジン 半導体デバイス部

【資料】しるとくレポNo.99＃SiCのMOSFETについて

MOSFETの性能はFoMといわれる性能指数で比較！メーカによって測定…

★★しるとくレポ　知って得するお役立ち情報★★ SiC MOSFETはSiと比べても高い耐圧を持ちながら、抵抗も小さいという 特長を持っています。 この特長を活かして、高耐圧のIGBTをSiCのMOSFETに置き替える製品が 多く見られます。 今回はMOSFETについて、お話ししたいと思います。 SiCのダイオードについて知りたい方はしるとくレポNO.12をご覧ください。 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社Wave Technology