【お役立ち情報】アルミナ代替　複合材料SA701

PR大型アルミナ部品でお困りのお客様へ － その問題、セラミックス複合材料…

半導体製造装置関連の市場拡大に伴い、セラミックスの調達問題が発生しております。特に大型アルミナ部品は供給元が限られ、長納期化により装置開発スケジュールに影響がでております。 セラミックス金属複合材料SA701は、アルミナに比べヤング率や曲げ強度は若干劣りますが、破壊靭性値が高く割れにくい材料であり、ハンドリングが容易です。密度はアルミナの約3/4と軽く、直ネジを加工できるため、金属ブッシュを必要...

メーカー・取り扱い企業： 日本ファインセラミックス株式会社

資料『次世代半導体の今を説く～SiC・GaN解説～』【進呈中！】

PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...

メーカー・取り扱い企業： ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカ アンド カンパニー】

超高純度CVD-SiC「ソリッド SiC」

半導体装置に最も適した材料！様々な用途で発揮されるソリッド SiC

ソリッド SiCは、CVD法により製造される超高純度CVD-SiC製品群であり、高強度・耐熱性・耐プラズマ性・耐薬品性に優れており、半導体に最も適した材料と信頼されています。 ソリッド SiCは、東海カーボン独自のCVD技術を応用し開発されました。 半導体装置に最適化され、半導体の可能性を拡げる材料として期待されています。 【特徴】 ○CVD法により製造される超高純度CVD-SiC製品...

メーカー・取り扱い企業： 東海カーボン株式会社

SiCダミーウェハ「超高純度、高耐熱性、高耐摩耗性を実現」

独自のCVD-SiCで製作され、超高純度、高耐食性、高耐酸化性、高耐熱…

超高純度で耐食性及び耐熱性に優れているSiCダミーウェハは、長期のリサイクル使用が可能で、LP-CVD、高温拡散、CMP工程にてご使用頂けます。 ◆コストダウンに貢献 　・長期のリサイクル使用が可能 　・超高純度で耐食性及び耐熱性に優れている 　・長期使用頂く事で、シリコンウェハの節約、ダミーウェハの交換や洗浄等管理工数削減につながる 【特徴】 　・高純度（純度はppmレベル）...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社渡辺商行

SiCパワー半導体『SiC-SBDシリーズ』

シリコン製からの置換えに！高温でも高速スイッチングを維持し、電力損失を…

『SiC-SBDシリーズ』は、SiC（シリコンカーバイド）を材料に用いたショットキーバリアダイオードです。低抵抗かつ高速スイッチングに対応し、スイッチング損失を低減できます。また高温でも安定的に動作でき、電源機器の小型化が図れます。PFC回路・モータードライブ回路・インバータ回路などの高速スイッチング用途で活躍します。 【特長】 ■高速スイッチング特性によるスイッチング損失の低減 ■電源...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社オリナス 東京営業所、名古屋営業所、京都営業所、大阪営業所、香港

常圧焼結SiCセラミックス (CERASIC)

優れた耐食性と物理特性がラインの信頼性を築きます！

CERASIC常圧焼結SiCセラミックスは耐磨耗・耐食性が要求される機械部品に最適な材料です。 半導体及びFPD製造用部材としても様々な用途開発が進められており、高純度品としてCVD被膜を施した製品の供給も可...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社渡辺商行

三安半導体(Sanan)： SiCパワー半導体製品

中国のSiC(シリコンカーバイド)とGaN(ガリウムナイトライド）のパ…

湖南三安半導体有限責任公司（Hunan Sanan Semiconductor Co.,Ltd.）は 中国 湖南省　長沙市に本社を置く、SiC(シリコンカーバイド)とGaN(ガリウムナイトライド）のパワー半導体製造会社です。 LEDチップの開発・製造において世界シェアトップ企業である三安光電(Sanan Optoelectronics）グループに属し、通信・車載・産業向けのパワー半導体、中でも...

メーカー・取り扱い企業： 岡谷鋼機株式会社 名古屋本店

SiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価

ディスクリートパッケージ内部の構造を非破壊で立体的に観察

他社品調査や異常品検査では、まず内部構造の調査が必要です。X線CTでは、非破壊で試料内部の透過像を取得し、三次元構築することが可能です。本資料では、製品調査の一環としてSiCチップが搭載されたディスクリートパッケージをX線CTで観察した事例をご紹介します。 X線CTによる構造確認後、MSTで実施している物理分析（破壊分析）をご提案します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

SiCモジュール『EOシリーズ』

電気自動車チャージ、高速電動コンプレッサ等用のSiCモジュール

『EOシリーズ』は、電気自動車チャージ、高速電動コンプレッサー等用に 開発された SiCモジュールです。 銀焼結およびSi3N4セラミック低熱抵抗基板を使用しており、 高い信頼性と長寿命設計が特長です。 【特長】 ■Tjmax=175℃ ■Half-Bridge,H-Bridge回路 ■Pressfit端子 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合...

メーカー・取り扱い企業： エルピーエステック株式会社

SiCモジュール『HPDシリーズ』

高信頼性・長寿命設計の三相水冷式SiCモジュール

『HPDシリーズ』は、電気自動車、燃料電池車用に開発された 三相水冷式SiCモジュールです。 銀焼結及びSi3N4セラミック低熱抵抗基板を使用しております。 また、厚銅フレームによる内部チップ接続で低接続抵抗（RDC≦0.1mΩ）を 実現します。 【特長】 ■Tjmax=175℃ ■3Phase Full-Bridge回路、大電流出力能力 ■銅Pinfin水冷構造 ■...

メーカー・取り扱い企業： エルピーエステック株式会社

IGBT/SiC/GaNゲート駆動フォトカプラACFL-3161

出力ピーク電流10A。ノイズが多い環境での高速スイッチングを実現。※参…

『ACFL-3161』は、出力ピーク電流が10Aのゲート駆動フォトカプラです。 モーターやインバーターなど、高い絶縁性能が求められ、 搭載スペースに制約のある産業用アプリケーションで活躍します。 100kV/μsを超えるコモンモード過渡耐性(CMTI)を備えており、 ノイズの多い環境でのゲート駆動の誤動作を防止。 さらに、伝搬遅延は95ns未満のため高速スイッチングが可能になり、...

メーカー・取り扱い企業： ブロードコム（アバゴ・テクノロジー株式会社）

炭化ケイ素(SiC)半導体デバイス市場調査レポート

SiCデバイス市場は、2023－2035年の予測期間中に30％のCAG…

SiCデバイス市場は、2023年に10億米ドルの市場価値から、2035年までに110億米ドルに達すると推定されています。シリコンに比べて、低いオン抵抗、高電圧、高温、および高周波性能を備えた技術的に開発された半導体は、炭化ケイ素デバイスとして知られています。家庭用電化製品での使用増加がSiCデバイス市場の成長につながっています。SiC デバイスは、高い温度、電圧、周波数しきい値などの利点により、家...

メーカー・取り扱い企業： SDKI Inc.

SiCモジュール『ED3Sシリーズ』

「ED3パッケージ」の2/3サイズに、ED3同等のパワーを提供

『ED3Sシリーズ』は、モータ制御やDC-DCコンバータ等用に開発された SiCモジュールです。 「ED3パッケージ」の3分の2のサイズながら、同等のパワーを提供可能。 また、低寄生インダクタンス設計による高速スイッチングが行えます。 【特長】 ■銀焼結及び高性能Si3N4セラミック低熱抵抗基板を使用 ■Tjmax=175℃ ■Half-Bridge,H-Bridge,Dua...

メーカー・取り扱い企業： エルピーエステック株式会社

高温イオン注入・高温アニール受託サービス【SiC、GaN等】

SiC等のデバイス作製に適した高温イオン注入や、ドーパント活性化のため…

SiC（シリコンカーバイド）、GaN（窒化ガリウム、ガリウムナイトライド）等の化合物半導体では、デバイス作製に適した高温イオン注入やドーパント活性化のための高温アニールが必要とされます。弊社では、高温イオン注入や高温アニールのリクエストにお応えします。 また、アニール時の温度が高温のため、アニール前のキャップ膜による表面保護が必要になります。弊社では高温アニールだけでなく、PBII（Plas...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

SiC / 単結晶炭化ケイ素 / シリコンカーバイド

高品質・低価格な単結晶SiCウェハー★1枚から対応♪

高品質と価格競争力を両立した中国製SiC基板と国内加工のカスタマイズ 製品をご提供いたします。...■　品名：単結晶SiC基板（シリコンカーバイド、炭化ケイ素） ■　ポリタイプ：4H ■　タイプ：N-type（窒素ドープ）、半絶縁（Semi-insulating） ■　サイズ：Φ2"、Φ3"、Φ4"、Φ6"、Φ8” ■　厚さ：330μm、350μm、500μm（特殊厚み指定可能） 　　...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社同人産業

高純度黒鉛製品「半導体をはじめ様々な産業で活躍」

半導体をはじめ様々な産業で活躍 　高密度/高純度な特殊炭素材料 　Si…

高純度黒鉛材料は、半導体製造工程で幅広く使用されています。 さらに、厳選された黒鉛基材の表面にSiCコーティングを施したクリアーカーボンは、エピタキシャル用サセプターや各種治具で使用されており、その優れた特性は国内外で高く評価されています。 【特徴】 　・半導体をはじめ様々な産業で利用（特殊な処理により灰分を3ppm以下に抑えています） 　・特殊炭素材料：高密度／高均熱特性／高耐酸化性...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社渡辺商行

ゲート駆動フォトカプラ『ACPL-355JC』

出力ピーク電流10A。IGBT/SiC/GaNモジュール駆動に。保護機…

『ACPL-355JC』は、10Aのピーク出力電流と広い動作電圧に対応したゲート駆動フォトカプラです。 高い同相ノイズ除去特性（100kV/μs）によりモーター制御およびインバーターアプリケーションにおけるIGBT、SiC/GaN MOSFETなどのモジュール駆動に適しています。 優れたタイミングスキュー性能を持ち、伝搬遅延時間は140ns。 過電流からモジュールを保護し、コントローラー...

メーカー・取り扱い企業： ブロードコム（アバゴ・テクノロジー株式会社）

CZ/高抵抗FZ 各種ウェーハ販売(評価・開発・テスト用)

少量ウェーハに対応！研究・テスト用途に便利なウェーハ販売サービス！ ハ…

【取扱商品】 ＊CZ・FZ・拡散ウェーハ・SiC・SOI・EPI・GaAs・SiGe・GaSb・サファイア・ゲルマニウムなど様々な半導体用ウェーハを扱っております。 ＊プライム・テスト・モニター用ベアウェーハ(高精度ウェーハ・パーティクルチェック用・COP対策品等） ＊SOIウェーハ：高抵抗デバイス層、基板も対応可、ウェーハを支給していただきSOIウェーハへ加工することも可能です。 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エナテック 東京本社

パワー半導体デバイス

脱炭素社会の実現に貢献するパワー半導体デバイス

三菱電機は、家電、産業機器、鉄道、自動車などのあらゆるパワーエレクトロニクス機器の大幅な省エネ化を実現し、脱炭素社会の実現と豊かな生活の両立に貢献するパワー半導体デバイスを提供しています。 ●パワー半導体モジュール、SiCパワー半導体デバイス 　 モーター制御や電力変換などのパワーエレクトロニクス機器のインバータ化により効率化や省エネ化に最適です。 DIPIPM、IGBTモジュール...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社カナデン 本社

CZウェーハ　成膜加工

2インチから12インチウェーハへの成膜が可能です。

株式会社エナテックのCZウェーハ 成膜加工は、膜種により2インチから450ｍｍウェーハへの成膜が可能です。 酸化膜系：熱酸化、RTO、LP-TEOS、HDP-USG、P-TEOS、PSG、BPSG、BSG、LP-CVD、PE-CVD 窒化膜系： HCD-SiN、DCS-SiN、P-SiN、LP-SiN 、LP-CVD、PE-CVD 金属膜系： TaN、Ta、Cu、Al、AlN、...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エナテック 東京本社

DC-DCコンバーター『REF-DAB11KIZSICSYS』

リファレンスデザイン！双方向のパワーフロー機能を有したSiC DC-D…

『REF-DAB11KIZSICSYS』は、EV充電およびESSアプリケーション向けの SiC DC-DCコンバーターです。 本リファレンスデザインは、11kW、最大800Vの双方向DC-DCコンバータを 迅速に実現す...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

制御ソフトウェア開発用コントローラボード　HECS-B/A

コンパクトサイズに多彩な機能を搭載

12 本のゲート信号出力を搭載し、TI 製高性能マイコンとXilinx 製 FPGA により多彩なパルスパターンが生成可能で、三相インバータな ら２台同時に駆動が可能なコントローラボードです。フットプリントA6 サイズ以下のコンパクト設計で開発用にも組込用にも適しています。 12 ビットAD 変換、CAN 通信機能も搭載しています。 【特長】 ■コンパクトサイズに多彩な機能を搭載 ...

メーカー・取り扱い企業： ヘッドスプリング株式会社

半導体材料『酸化ガリウム』

日本発の新しい半導体材料！世界中の研究・開発機関へ優れた材料を届けます

『酸化ガリウム』は、融液成長法でバルク結晶の製造を行うため、 高速な成長が可能な半導体材料です。 気相成長法でバルク結晶を製造するGaNやSiCと比べ、基板の低コスト化が 可能とされています。 また、絶縁破壊電界強度がGaNやSiCより大きいことが予測されており、 スイッチング損失を小さく保ったまま、6000V以上の大きな耐圧を持つ パワーデバイスを作製できることが期待されてい...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ノベルクリスタルテクノロジー 本社

ワイドギャップ半導体

SiC、GaNなど半導体技術・製品の提供

当社では、SiCウエハ、GaNウエハ、DLTS測定装置などの 「ワイドギャップ半導体」を取り扱っております。 シリコン半導体を凌ぐポテンシャルを持つ、半導体である ワイドバンドギャップ半導体の製品・サービスを幅広く提供。 その他、欧州partner各社のガラス溶解エンジニアリングに 必要な種々の部材、装置、技術を国内顧客に提案しております。 【2つの事業】 ■半導体部門：...

メーカー・取り扱い企業： セラミックフォーラム株式会社

ゲートドライバファミリー『2L-SRC Compact』

ゲート抵抗の調節が可能！入力フィルター内蔵のため、外付けのフィルターが…

『2L-SRC Compact（1ED32xx）』は、2レベルのスルーレート制御により、 オンザフライでゲート抵抗を調整できる、コンパクトなシングルチャネル 絶縁型ゲートドライバファミリーです。 当製品は、2ピンを使ったデュアル出力タイプで、シングルあるいはデュアルを 制御することでゲート抵抗の調節が可能。最大ピーク出力電流は18A（typical）です。 当ドライバーICは、幅...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

モジュール『HybridPACK Drive』

コンパクトなデザイン！車載用SiC-MOSFET 1200V Hybr…

『HybridPACK Drive』は、非常にコンパクトな6パックモジュールです。 チップ数の異なる1200V/400Aと1200V/200Aの2種類があり、 ハイブリッド車や電気自動車に好適。 当パワーモジュールには、電動ドライブトレイン用に最適化された 新製品「CoolSiC Automotive MOSFET 1200V」が実装されています。 シリコンからシリコンカーパ...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

シリコンカーバイドパワー半導体市場の調査レポート

炭化ケイ素パワー半導体市場は、予測期間2022年から2031年にわたっ…

パンデミックの流行は、世界中の中小企業に経済的混乱をもたらしました。さらに、(ウイルスの蔓延を最小限に抑えるために)世界中の政府によって課された国ごとの封鎖は、製造業の大部分が生産性を高めるために協力しながら密接に接触している工場現場での作業を含むため、世界中のサプライチェーンと製造業務に打撃を与え、混乱をもたらしました SiC(炭化ケイ素)は、広いバンドギャップにより、高出力アプリケーショ...

メーカー・取り扱い企業： SDKI Inc.

GaN RF半導体デバイス市場の調査レポート

GaN RF半導体デバイス市場は、予測期間(2021-2026)にわた…

COVID-19の流行は、さまざまな業界の供給ラインに影響を与え始めており、通信業界にも例外はありません。通信業界にとって、COVID-19は5Gの普及を大幅に妨げると予想されています。この危機的な状況では、消費者は携帯電話の使用をやめないことが期待されていますが、彼らのほとんどはまだ初期段階にある技術にもっと投資することができないかもしれません。モノのインターネット(IoT)の成長により、5Gネ...

メーカー・取り扱い企業： SDKI Inc.

短絡耐量評価・解析レポート

短絡耐量性を測定し、故障メカニズムを明らかにします！

株式会社エルテックは『短絡耐量評価・解析レポート』を販売しています。 短絡故障の瞬間に爆発する他のSiC MOSFETと比較して、 INFINEON CoolSiC MOSFETは爆発することなくソフトに故障します。 このレポートでは、短絡耐量性を測定し、故障メカニズムを明らかにしています。 【特長】 ■試験測定データの結果と先端SiCトランジスタの短絡耐量を制限する 　物...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エルテック

次世代型パワーモジュール汎用パッケージ 【FLAP】

SiC・GaN・Ga203のような高性能デバイス搭載向けの次世代型パワ…

通常のパワーモジュール汎用パッケージでは、SiC・GaN・Ga203のような、高性能デバイスでの使用には不向きでした。 弊社が開発した次世代型パワーモジュール汎用パッケージFLAPは、これらの問題を解決し、体積・熱抵抗・パッケージインダクタンスなどの指標において従来品より大きく改善いたしました。...外形寸法　[mm] 91%減 　従来構造モジュール 147×60×18 　FLAP ...

メーカー・取り扱い企業： 大分デバイステクノロジー株式会社

平面度　30nm【超精密ラップ】【鏡面研磨

極限の平面度を追求します！

◆平面度　30nm以下◆ 弊社独自の超精密ラップ加工により、極限の平面度を実現いたします。 例えば50φの領域において平面度30ナノの精度が実現可能です。 この技術は特に高度な平面が要求される半導体装置部品や吸着プレート、精密ステージなどでも役立てられています。 ex) 平面度0.1um（φ100エリア） ...～対応材質～ 金属：ステンレス、ニッケル、銅、アルミ、モリブデン、...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ティ・ディ・シー

低オン抵抗領域の1200V CoolSiC MOSFET

容易な設計および実装！ゲートドライバー技術で最高クラスのパフォーマンス…

TO247パッケージの『CoolSiC 1200V SiC MOSFET』に新たに登場した 「低オン抵抗領域7mΩ/14mΩ/20mΩ」は、最適化された先端のトレンチ 半導体プロセスに基づいて構築され、性能と信頼性を両立した製品です。 放熱性能15％向上し、単一デバイスで最高レベルの出力密度を実現。 実績済みの強化パッケージによる堅牢性で高信頼性を提供します。 また、設計が容易で...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

車載用1200V CoolSiC MOSFET

温度に依存しないターンオフスイッチング損失！自動車業界の高い要求条件に…

車載用「CoolSiC MOSFETファミリー」は、ハイブリッド車や 電気自動車の車載充電器やDC/DCアプリケーションにおいて、 優れた性能、品質、信頼性を発揮します。 このファミリ品は、信頼性、品質、性能に関する自動車業界の 高い要求条件に合わせて設計されています。 電力密度の向上、高周波化を実現し、冷却処理を減らすことが可能です。 【特長】 ■革新的な半導体素材：シ...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

電源装置『高電圧半導体スイッチ』

スイッチング素子としてSiC-MOSFETを採用し、電力損失を大幅低減

『高電圧半導体スイッチ』は、高電圧で 高速なパルスを発生させる、電源装置です。 FETを90段直列に接続し、最大90kVのスイッチングを実現しました。 運転周波数は直流から5kHzまでのパルス運転が可能です。 また、低オン抵抗や高速スイッチング等の利点があり、 90kVのスイッチユニットを給電・放電用の2台内臓しております。 スイッチユニット基板の設計・開発、製作・調整や ...

メーカー・取り扱い企業： 東京電子株式会社

アナログおよびデジタルドライバファミリー『EiceDRIVER』

X3 Compactファミリーに、VDE 0884-11に準拠した強化…

『EiceDRIVER』は、強化絶縁を有するX3アナログおよび デジタルドライバファミリーです。 従来の製品と同様に小型の8ピンパッケージに、ソース・シンクの 出力が個別に配置されたタイプのものか、出力を共有し、残りのピンを ミラークランプとして使うものかを選択頂くことが可能で、新たに VDE-0884-11を取得して既存のラインアップを拡充しています。 このファミリーはシンク...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

【電源IC】ゲートドライバ　ラインアップ一覧

パスイッチング回路の出力段をシンプルに構成したい時に使われる電子回路で…

『ゲートドライバIC』(ゲート駆動回路)は、MOSFETやIGBT、SiCデバイス などの駆動制御を行う電子回路です。 MOSFETやIGBTのゲート電圧を制御することで、オン・オフの切り替えが可能。 パスイッチング回路の出力段をシンプルに構成したい時に使われます。 MOSFETやIGBTで高電圧／大電流のスイッチングを行なう場合、低損失かつ 高速動作をさせるためには論理信号の入...

メーカー・取り扱い企業： アールエスコンポーネンツ株式会社

ダイシング加工　半導体加工事業

高品質なサービスを低コストで実現！ご要望等を是非お聞かせください！

藤田デバイス株式会社は、ウェハを”切ること”ダイシングをメインとして 半導体加工事業に関わってまいりました。 目指すものは価格以上の高品質なサービス。これを提供し続けることを モットーにお客様からの支持をいただき歩んでまいりました。 バックグラインド・ダイシングなどの加工、ピックアップ、そして 外観検査に至る各作業に対応可能です。 【対応材料】 ■Siウェハ、ガラエポ基板...

メーカー・取り扱い企業： 藤田グループ

モジュール『Easy 1B, 2B』

高効率なため運用コストも削減可能。高い電力密度をもつパワーモジュール

Infineon Technologies社の『Easy 1B, 2B』は、SiC MOSFETを搭載した パワーモジュールです。 低浮遊インダクタンスの標準となったEasyパワーモジュールの特長と、 インフィニオンの1200V CoolSiC MOSFETチップの特長を組み合わせる ことで、システムコストおよび運用コストを削減できます。 短絡耐性が求められるアプリケーションです...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

EiceDRIVER X3 Compact(1ED31xx)

コンパクト且つ設計が容易！40Vの絶対最大出力電源電圧のゲートドライバ…

『EiceDRIVER X3 Compact(1ED31xx)』は、ミラークランプ機能を搭載する オプションもあるゲートドライバファミリです。 コンパクト且つ設計が容易。 以前発売されたゲートドライバファミリには、DSO-8 150ミルナローボディ パッケージが加わりました。 【特長】 ■IGBT(IGBT7含む)、SiC、Si、MOSFET用 ■出力電流14A、伝播遅延...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

パワー半導体デバイスの調査レポート、トレンド分析

パワー半導体デバイス市場は、2023－2035年の予測期間中に4％のC…

パワー半導体デバイス市場は、2022年に410億米ドルの市場価値から、2035年までに約680億米ドルに達すると推定されます。パワー半導体デバイスは、複数のフェーズでエネルギーをある形式から別の形式に変換するパワーエレクトロニクス回路マシンで使用される部品です。これらのコンポーネントは、ゲルマニウム、炭化ケイ素 (Sic)、窒化ガリウム (GaN) などの原材料で構成されています。パワー半導体デバ...

メーカー・取り扱い企業： SDKI Inc.

成膜・熱処理装置ラインナップ

半導体などの工程加工に適した各種成膜、酸化膜形成、アニール処理に適した…

SiCのアニール前処理として最適なカーボン成膜をPBIIで、アニール処理をRTAで、アニール前後処理を弊社で行うことができます。...成膜 ・PBII（Plasma Based Ion Implantation) 　カーボン成膜が可能 ・スパッタ 　電極膜の成膜が可能 熱処理 ・RTA（Rapid thermal annealing） 　縦型高周波誘導加熱方式により、～1800度...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

TAB用ボンディングツール

単結晶ダイヤモンドを使用したボンディングツールです。 優れた高温下で…

先端部の幅0.1mm以下も可能です。 単結晶ダイヤモンドの熱伝導率は、1000W/mK以上です。 他の熱伝導の高い素材に比べ格段の性能をダイヤモンドは持っています。 （参考）銀 420、銅 398、金 320、アルミニウム 236 ビッカーズ8,000以上という繰り返し使用するツールには 欠かせない高い硬度も兼ね備えております。 （参考）セラミック（SiC）約2,300、超...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社シンテック

半導体製造装置関連消耗部品

高品質、短納期、確かなサービスを提供いたします

当社では、半導体製造装置各種消耗部品をご提供しております。 QUARTZ (溶融石英/合成石英）部品をはじめ、SILICON部品、SIC部品等、 CERAMIC HEATER&MCA HEATERまで取り扱いしております。 また、半導体製造装置関連各種部品の修理、メンテナンスも 行いますので、ご要望の際はお気軽にお問い合...

メーカー・取り扱い企業： KAT株式会社

パワーモジュール動特性評価装置

IGBT、IPM、P-MOS FET、SiC、Diopeなどのパワーモ…

「パワーモジュール動特性評価装置」は低ストレーインダクタンスを実現したAC特性評価装置です。 高速遮断回路内蔵により、サンプル破裂時に装置を保護します。 ＜製品特長＞ １．低ストレーインダクタンスの実現 ２．高速遮断回路内臓 ３．大電流・大電圧対応 ※詳しくはPDFダウンロード、またはお問い合わせください。...※詳しくはPDFダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社日立ハイテク

株式会社フェローテックホールディングス　会社案内

【動画公開中！】フェローテックの製品は見えないところでビジネスやインフ…

フェローテックグループは、装置関連事業、太陽電池関連事業、電子デバイス事業 という製品用途と市場分野に応じた３つの事業セグメントで事業を展開し、 製造業として「ものづくりの精神」を世界中で展開しています。 マーケティングやR&Dが得意な米国、生産技術の得意な日本、量産展開の中国、 独自の開発力を有する欧州、インフラ技術が拡大するアジア。 製造と販売を見据えて世界各国に根を張る拠点...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社フェローテックホールディングス

導電性ダイヤモンド コーティング【※動画あり】

ダイヤモンドを成膜してみませんか？試作から量産まで対応！導電性ダイヤモ…

ダイヤモンドは絶縁体ですが、ホウ素をドープすることで導電性を付加することができます。 ダイヤモンドの化学的安定性・強度を保持したまま、大面積へ均一に導電性ダイヤモンドを成膜いたします。 ダイヤモンド電極は電位窓が広いので、酸化・還元反応により難分解性物質の分解や、合成が可能になります。 市水（水道水）をダイヤモンド電極で電気分解することにより直接高濃度のオゾン水を作ることができま...

メーカー・取り扱い企業： 松尾産業株式会社 東京支店

GaN RF半導体デバイス市場

GaN RF半導体デバイス市場は、2023－2035年の予測期間中に1…

GaN RF半導体デバイス市場は、2022年に30億米ドルの市場価値から、2035年までに約110億米ドルに達すると推定されます。GaN RF半導体デバイスは、RF（Radio Frequency）アプリケーションで使用される電子部品です。携帯電話やWi-Fiルーターなどの通信機器に使用され、従来のシリコン系部品に比べ、高い電力効率と性能を実現しています。5G対応デバイスの需要増加とモノのインター...

メーカー・取り扱い企業： SDKI Inc.