• 金属を酸化させない水『サビZero』 製品画像

    PR金属研磨で活躍!アルミニウム、Cu、Tiなどの金属を酸化させず、研磨面…

    『サビZero』は、金属研磨中の研磨面の酸化膜発生を防ぎ 研磨時間を短縮する、金属を酸化させない水です。 金属(特にアルミニウム、Cu、Ti)の研磨作製時に効果を発揮します。 アルミニウム研磨で良く体験する、研磨面の黒化現象発生を防止します。 当製品は危険物、毒物、劇薬を含みません。 20倍以上に希釈すれば下水にそのまま捨てられるので、 廃液処理にかかるコストも大幅削減できま...(つづきを見る

  • バックアップ一元管理ツール『ActiveVisor』 製品画像

    PRシステム管理者の負担軽減に。Webブラウザで作業可能。障害発生時も迅速…

    『ActiveVisor』は、当社のエンタープライズ向けバックアップソフトである 「ActiveImage Protector」を一元・一括管理するためのツールです。 ネットワーク上のクライアントPCの「ActiveImage Protector」エージェントから 情報を収集し、統計情報の表示、クライアントの状態、バックアップ状況、 保存先の状態の監視、スケジュール配信等を行うことがで...(つづきを見る

  • GaAsPD-TIAレシーバーKPGX 2GB/4G-LR33S 製品画像カタログあり

    高信頼性 PDモニタ電流取り出し端子付き5ピンパッケージ

    京セミ株式会社 が開発・製造する光通信用フォトダイオードやモジュール製品は、光波長多重伝送(DWDM)による幹線・メトロポリタンネットワークおよび加入者系/FTTX(FTTH、FTTB、FTTP等々)システムにも対応しており、DWDM中継、光増幅器、端末装置(ONU、ONT)、ルータ、レシーバー、トランスミッターなどに組み込まれております。 それ故、これらのデバイスは、インターネットネットやLA...(つづきを見る

  • シリコンフォトダイオード 製品画像

    シリコンフォトダイオード

    OSPD50シリーズは、高感度・高速応答性に優れた大面積汎用Si PINフォトダイオードです。端子間容量6pF、遮断周波数25MHz以上を実現しました。アクティブエリアは標準で0.8mmx0.8mm, 1...(つづきを見る

  • 650nm ピンフォトダイオード(650nm Pin PD) 製品画像

    アクティブエリア3.6 mm²の650nm Pin Photo Dio…

    高感度・高速応答性に優れた大面積汎用Si PINフォトダイオードです。 アクティブエリアは標準で1.9mmx1.9mmを用意。 パッケージサイズは小型で5.2x4.8x1.43mmになります。 お客様のご要求仕様へのカスタマイズ対応も検討します。 お気軽にお問い合わせください。...Features • 1.9 mm x 1.9 mm active area • opt. band ...(つづきを見る

  • 長波長赤外線センサ(InGaAsフォトダイオード) 製品画像カタログあり

    用途に応じた豊富なラインナップ

    インジウムガリウムヒ素(InGaAs)を材料とした 長波長の赤外線(波長0.9〜2.7μm)を検知するフォトダイオード...【ラインナップ】 ■KPDE0301M51  検出波長0.9〜1.7μm、受光感度1.0A/W(λ=1.55μm)  受光径φ0.3mm、φ3mm砲弾型樹脂モールドタイプ ■KPDF030F22-H8  検出波長1.2〜2.3μm、受光感度1.2A/W(λ=...(つづきを見る

  • 100G集積コヒーレントレシーバ OIF type2 製品画像カタログあり

    100G集積コヒーレントレシーバ【C-band 及び L-band/O…

    CPRV2b22Aシリーズは、偏波分離機能、バランスドフォトディテクタ、90度光ハイブリッド、リニアなトランスインピーダンスアンプ、などの多機能部品を集積化した小型の偏波多重コヒーレントレシーバです。C-band及びL-band品の双方を製造しています。またOIF Type1のコヒーレントレシーバとは異なり、入力シグナル側にモニタ用のPDやVOAが内蔵されております。 3dB周波数帯域>25...(つづきを見る

  • シリコンPINフォトダイオードチップ 製品画像

    『PD Chipシリーズ』の安価提供を開始しました。15種類のChip…

    低速から100MHz対応のChipまで15種類以上のChipを準備しております。 下記は100MHz対応製品の主な仕様です。 Device No. OSPD-1233 Design for irda transmission systems requirement. Low applied voltage/low junction capacit...(つづきを見る

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