• 成形機用パージ材『TSスーパークリーン』 ※サンプル進呈 製品画像

    PR高洗浄力で色替え、樹脂替え時の段取時間の短縮!生産性向上&品質向上に!

    『TSスーパークリーン』は、高い耐熱性に加えて、 強力洗浄を実現したプラスチック成形機用パージ材です。 シリンダー温度を変更する事も少なく、使用可能。 各グレードごとに、特殊(独自)配合してあり、成形機内の汚れを手早く除去する事ができ、 色替え、樹脂替え時の作業時間を大幅に短縮可能です。 耐熱性を持つエンプラ系樹脂に適した「SXタイプ」やオレフィン系汎用樹脂に適した「SPタイ...(つづきを見る

  • 自動低負荷試料作製システム『IS-POLISHER』 製品画像

    PR低負荷・低荷重の研磨機。資料に過度な負荷を与えずに自動研磨を実現。

    『IS-POLISHER』は、従来の研磨作業で課題とされていた、 精度出しや、結果が得られるまでの時間を解決した研磨作製システムです。 「小さい試料や、軟らかい試料を研磨したい」「人によるバラつきをなくしたい」 「再現性を高めたい」などでお困りの方は、お気軽にお問い合わせください! 【特長】 1.低負荷で研磨    独自の「荷重調整機構」 2.削りすぎを防止   「研磨...(つづきを見る

  • GaAsPD-TIAレシーバーKPGX 2GB/4G-LR33S 製品画像カタログあり

    高信頼性 PDモニタ電流取り出し端子付き5ピンパッケージ

    京セミ株式会社 が開発・製造する光通信用フォトダイオードやモジュール製品は、光波長多重伝送(DWDM)による幹線・メトロポリタンネットワークおよび加入者系/FTTX(FTTH、FTTB、FTTP等々)システムにも対応しており、DWDM中継、光増幅器、端末装置(ONU、ONT)、ルータ、レシーバー、トランスミッターなどに組み込まれております。 それ故、これらのデバイスは、インターネットネットやLA...(つづきを見る

  • シリコンフォトダイオード 製品画像

    シリコンフォトダイオード

    OSPD50シリーズは、高感度・高速応答性に優れた大面積汎用Si PINフォトダイオードです。端子間容量6pF、遮断周波数25MHz以上を実現しました。アクティブエリアは標準で0.8mmx0.8mm, 1...(つづきを見る

  • 650nm ピンフォトダイオード(650nm Pin PD) 製品画像

    アクティブエリア3.6 mm²の650nm Pin Photo Dio…

    高感度・高速応答性に優れた大面積汎用Si PINフォトダイオードです。 アクティブエリアは標準で1.9mmx1.9mmを用意。 パッケージサイズは小型で5.2x4.8x1.43mmになります。 お客様のご要求仕様へのカスタマイズ対応も検討します。 お気軽にお問い合わせください。...Features • 1.9 mm x 1.9 mm active area • opt. band ...(つづきを見る

  • 長波長赤外線センサ(InGaAsフォトダイオード) 製品画像カタログあり

    用途に応じた豊富なラインナップ

    インジウムガリウムヒ素(InGaAs)を材料とした 長波長の赤外線(波長0.9〜2.7μm)を検知するフォトダイオード...【ラインナップ】 ■KPDE0301M51  検出波長0.9〜1.7μm、受光感度1.0A/W(λ=1.55μm)  受光径φ0.3mm、φ3mm砲弾型樹脂モールドタイプ ■KPDF030F22-H8  検出波長1.2〜2.3μm、受光感度1.2A/W(λ=...(つづきを見る

  • 100G集積コヒーレントレシーバ OIF type2 製品画像カタログあり

    100G集積コヒーレントレシーバ【C-band 及び L-band/O…

    CPRV2b22Aシリーズは、偏波分離機能、バランスドフォトディテクタ、90度光ハイブリッド、リニアなトランスインピーダンスアンプ、などの多機能部品を集積化した小型の偏波多重コヒーレントレシーバです。C-band及びL-band品の双方を製造しています。またOIF Type1のコヒーレントレシーバとは異なり、入力シグナル側にモニタ用のPDやVOAが内蔵されております。 3dB周波数帯域>25...(つづきを見る

  • シリコンPINフォトダイオードチップ 製品画像

    『PD Chipシリーズ』の安価提供を開始しました。15種類のChip…

    低速から100MHz対応のChipまで15種類以上のChipを準備しております。 下記は100MHz対応製品の主な仕様です。 Device No. OSPD-1233 Design for irda transmission systems requirement. Low applied voltage/low junction capacit...(つづきを見る

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