チェックしたものをまとめて:

  • S&T出版書籍【SiCパワーデバイスの開発と最新動向】カタログあり

    普及が加速するSiCパワーデバイス技術。 トランジスタ、ダイオード、…

    第1 章 SiC パワーデバイス最新技術と今後の展開  1. シリコンパワーデバイスの最新動向  2. SiC パワーデバイス開発の現状と将来動向  3. SiC パワーデバイスを支える周辺技術 第2 章...(つづきを見る

  • カタログあり

    SIMSやGDMSによる不純物評価を長年に渡って行い、高い評価を獲得!

    近年、従来のSiパワー半導体に比べて省エネルギー性能に優れたSiCパワー半導体が注目されています。SiCパワーデバイスは、2001年に初めて海外でショットキーバリアダイオードが市販されました。現在では、漸くMOSFETが一部で市販される状況にあります。これらの背...(つづきを見る

  • S&T出版書籍【SiCパワーデバイス最新技術】カタログあり

    次世代パワーエレクトロニクスの大本命!

    第1章.SiCパワーデバイス技術動向・課題と今後の展開 第2章.SiC単結晶成長技術(昇華法) ~高品質化・大口径化~ 第3章.SiC単結晶ウェーハの開発動向 第4章.SiCバルク結晶の溶液成長技術 第...(つづきを見る

  • カタログあり

    SiC成膜技術で未来をひらく!独自の化学蒸着法で製作されたSiC製品

    独自の CVD - SiC( 化学蒸着法)で製作されたアドマップの SiC 製品は、 超高純度・高耐食性・高耐酸化性・高耐熱性・高耐摩耗性の特性を備えています。 半導体をはじめ、産業機械、原子力、航空宇宙分野など、...(つづきを見る

  • カタログあり

    SiC成膜技術で未来をひらく!独自の化学蒸着法で製作されたSiC製品

    独自の CVD - SiC( 化学蒸着法)で製作されたアドマップの SiC 製品は、 超高純度・高耐食性・高耐酸化性・高耐熱性・高耐摩耗性の特性を備えています。 半導体をはじめ、産業機械、原子力、航空宇宙分野など、...(つづきを見る

  • カタログあり

    特殊寸法の製作も可能!SUS304LのICF穴あきフランジ(固定)

    『ICF穴あきフランジ(固定)』の材質はSUS304Lです。 ボルト穴は、キリ穴とタップ穴から指定ができます。 また、特殊寸法の製作も対応いたします。 詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。...【ラインアップ】  《規格:製品コード》 ■CF70  ・SICF70-27.2FH  ・SICF70-27.2FT  ・SICF70-34FH  ・SICF70...(つづきを見る

  • SiCシリコンカーバイド基板の製品画像です

    ワイドギャップ半導体材料のシリコンカーバイド基板

    結晶材料の製造、販売、精密加工を行っている オプトスター社が取り扱う 『ワイドギャップ半導体材料のシリコンカーバイド基板』 【特徴】 ○シリコンカーバイド(SiC: 炭化珪素)基板製のデバイスは、  シリコン(Si)基板製のデバイスに比べて優れた高周波性能や  高温・高耐圧特性があり、今後の発展が期待される ○現在はNタイプ基板のみ供給しているが...(つづきを見る

  • カタログあり

    サーマルショックやシール性能低下にお困りの生産技術・開発者必見!独自技…

    モルガナイトのSiC(シリコンカーバイト)製品は、独自技術である遊離グラファイト(黒鉛)を混合させることで、従来のSiC製品での問題点である『サーマルショックによる割れ』や『ドライランニング』を解決しました。 基材...(つづきを見る

  • SiCショットキーバリアダイオードカタログあり

    低損失で高耐圧・大電流回路に最適な次世代パワー半導体 SiCショット…

    高耐圧・大電流回路に最適なSiC(シリコンカーバイド)材料を用いたショットキーバリアダイオードを開発しました。高速スイッチング特性によるスイッチング損失の低減で、機器の動作周波数を向上させます。 【SiCショットキーバリア...(つづきを見る

  • カタログあり

    半導体、産業機械、原子力、航空宇宙分野に最適!高性能な化合物“SiC

    SiC(Silicon Carbide :炭化ケイ素)はシリコン(Si)と炭素(C)が1対1で結合した化合物で、隕石中にわずかに確認されているだけで、天然にはほとんど存在しません。 SiCはセラミックスに分類され、その高硬度、耐酸化性、化学的安定性、耐熱性などの特徴から、古くから研磨剤や耐火材、発熱体などに用いられてきました。近年では半導体素子製造工程で用いられるウェハボートやチューブ、シリコンウェハ...(つづきを見る

  • SCS210AG/AMカタログあり

    業界最小、VF=1.35Vを実現したSiCショットキーバリアダイオード…

    デバイス構造の改善により、SiCならではの高速スイッチングを維持したまま、従来品より順方向電圧を10%低減。太陽光発電用パワーコンディショナーや産業機器など、各種機器の低消費電力化に貢献! 【SCS210AG/AMの特長】...(つづきを見る

  • カタログあり

    半導体装置に最も適した材料!様々な用途で発揮されるソリッド SiC

    ソリッド SiCは、CVD法により製造される超高純度CVD-SiC製品群であり、高強度・耐熱性・耐プラズマ性・耐薬品性に優れており、半導体に最も適した材料と信頼されています。 ソリッド SiCは、東海カーボン独...(つづきを見る

  • 炭化ケイ素(SiC)

    SiCは共有結合性が強いセラミックスで、アルミナを上回る硬度があります…

    硬度が高いため、摺動摩耗に強い特性も兼ね備えています。  熱伝導率も高いです。  炭化珪素(SiC)は、半導体製造装置やLED製造装置などのチャンバー内部品、エッチング装置用基板トレーや、焼成用治具(コンデンサー他) などに使われています。  炭化珪素(SiC)は、耐熱(1,000度以上でも)...(つづきを見る

  • SiCウェハー/炭化珪素/シリコンカーバイド/SiC Waferの製品画像ですカタログあり

    高品質・低価格な単結晶SiCウェハー★1枚から対応♪

    高品質と価格競争力を両立した中国製SiC基板をご提供いたします。...(つづきを見る

  • BSM300D12P2E001

    1200V/300A対応で大電力アプリケーションへの搭載を実現

    産業機器や太陽光発電パワーコンディショナー等のインバータ、 コンバータ向けに1200V/300A定格のフルSiCパワーモジュール「BSM300D12P2E001」を開発。300A定格を実現することで、産業機器用の大容量電源など、より大電力アプリケーションへの検討が可能となります。 また、一般的なIGBTモジ...(つづきを見る

  • カタログあり

    優れた純度!耐食性・耐酸化性・耐熱性・耐摩耗性が高いSiC

    三井造船で培った独自のCVD-SiCで製作されたアドマップのSiC製品は、 超高純度・高耐食性・高耐酸化性・高耐熱性・高耐摩耗性の特性を備えており、 あらゆるフィールドで使用されております。 【特徴】 ○超高純度 ○高...(つづきを見る

  • SiC-MOSモジュールBSM180D12P2C101カタログあり

    ショットキーダイオードレスのSiC-MOSモジュール! 1200V…

    ボディダイオードの通電劣化を解消した第2世代のSiC-MOSFETを採用することにより、整流素子であるダイオードを必要としないフルSiCパワーモジュール(SiC-MOSモジュール)の開発に成功。一般的なインバータで使用されているSi-IGBTに比べ...(つづきを見る

  • カタログあり

    世界で初めてSiC-SBDとSiC-MOSFETを1パッケージ化。 …

    一般的なインバータで使用されているSi-IGBTに比べて、動作時の損失を70%以上削減。低損失化を実現するとともに50kHz以上に高周波化することで、周辺部品の小型化にも貢献します。 【SiC-MOSFET SCH2080KEの特長】 ・SiC-MOSFETとSiC-SBDを1パッケージ内に同梱 ・立ち上がり電圧がなく優れた電流・電圧特性 ・順方向電圧を70%以上低減し、損失およ...(つづきを見る

  • 拡張性に優れた加熱実験用電気炉。CADによる標準設計、標準部品の採用、…

    最大1650℃・常用(RT→1600℃)までのN2/Ar/O2/Air雰囲気が手軽に実現! 各種オリジナルパーツ開発・一貫生産によるコストダウンによる低価格・高性能が実現! オプション選択で酸素分圧の測定が出来、酸化雰囲気及び還元雰囲気におけるPO2調整することで最適値での安定した各種実験が可能。各種実験に対応している。 16プログラム×16セグメントの大容量を持つ高性能プログラム・...(つづきを見る

  • SiCインラインヒーター ACCUHEATの製品画像ですカタログあり

    SiCインラインヒーター ACCUHEAT

    HF/KOH/溶剤等の昇温に最適 SiCインラインヒーター 【特徴】 ○IMTEC社製 ○フッ酸・アルカリ液(KOH、TMAH)対応 ○SiCチューブを使用 ○ヒーターを直接貼ることにより、   最適な効率で高精度な温度...(つづきを見る

  • カタログあり

    SiC製品の代表特性値、不純物濃度など各種物性値を紹介!

    三井造船で培った独自のCVD-SiCで製作されたアドマップのSiC製品は、 超高純度・高耐食性・高耐酸化性・高耐熱性・高耐摩耗性の特性を備えており、 あらゆるフィールドで使用されております。 【不純物拡散係数(cm2 / ...(つづきを見る

  • トランスポンダー集積回路 SIC7888 の製品画像ですカタログあり

    トランスポンダー集積回路 SIC7888

    非接触リード/ライトRFIDシステムに使われる多種多様な RFID製品を可能とする『トランスポンダー集積回路 SIC7888 』 ■□■特徴■□■ ■非接触支払いシステム・キーカードアクセス・工場自動化・   図書管理・家畜管理・ロジスティックス、車のイモビライザーなどを  含む様々なアプリケーションに対応 ■大量生産に最適 ■ISO11784/85に対応しているSICのブ...(つづきを見る

  • カタログあり

    フォトルミネッセンス(PL)イメージング法を用いたSiC半導体評価装置

    定することができるPLイメージング装置です。 試料を移動させながらイメージング測定を行うタイリング機能を用いることで、約33億画素の解像度で6インチウェハ全面のPL画像を得ることができます。 SiCウェハの結晶欠陥を可視化。非接触・非破壊検査がPLイメージング法で短時間測定可能です。 【特徴】 ○SiC半導体評価装置 ○SiCウェハの結晶欠陥を可視化 ○非接触、非破壊検査 ○P...(つづきを見る

  • カタログあり

    シリコン製からの置換えに!高温でも高速スイッチングを維持し、電力損失を…

    SiC-SBDシリーズ』は、SiC(シリコンカーバイド)を材料に用いたショットキーバリアダイオードです。低抵抗かつ高速スイッチングに対応し、スイッチング損失を低減できます。また高温でも安定的に動作でき、...(つづきを見る

  • SiCエッチング装置の製品画像です

    SiCエッチングに特化した装置です。

    ●高温MEMSや次世代パワーデバイスで注目されるSiCエッチングで世界最高レベルの高速エッチングを実現 ●エッチ底部においてラウンド形状のエッチングが可能 ●研究開発~量産まで対応可能 ...(つづきを見る

  • SiCナノパウダー画像カタログあり

    純度が高く(純度99.9999%の試作に成功!)、15nm~100nm…

    ゴム、樹脂、成形品、研磨材などの様々な用途で評価していただいております。 SiCの特性である高硬度性 、耐熱性 、高熱伝導性 、低熱膨張性 、化学的安定性は最先端分野で非常に期待されており、今後も様々な用途向けに提供してまいります。また、お客様のご希望に合わせた仕様やその他無...(つづきを見る

  • SICヒーター、炭化珪素ヒーター、炭化珪素発熱体、中国産高品質

    中国産高品質、長寿命SICヒーター、SIC発熱体、炭化珪素発熱体 ...SIC発熱体(炭化ケイ素ヒーター)は加熱部品として最高温度1650℃まで加熱するのは可能です。通常炉内温度600℃-1600℃の範囲で加熱する時によく使われています。 弊社が取り扱っている中国産SIC発熱体は独自の技術と先進製造工程で作られています。 主な特徴: 冷端部の抵抗が小さい       発熱部が発熱均一 ...(つづきを見る

  • ★シリコンとは異なる耐薬品に優れたSICにマッチする洗浄剤、研磨剤はど…

    講 師 第1部 同志社大学 理工学部機能分子・生命化学科 教授 田坂 明政 氏 第2部 日本エクシード株式会社 常務取締役 森澤 祐二 氏 対 象 SiC、加工・材料に関心のある研究者・担当者など 会 場 川崎市教育文化会館 第2学習室【神奈川・川崎市】 JRもしくは京急線 川崎駅 下車 徒歩12分 日 時 平成23年8月25日(木) 1...(つづきを見る

  • カタログあり

    PCD 1.3φによる炭化ケイ素(SiC)加工事例です。

    自社工具による加工事例 「炭化ケイ素(SiC)の階段彫り」は、PCD 1.3φによる炭化ケイ素(SiC)の階段彫り加工事例です。 有限会社三井刻印は、微細彫刻業で培ったノウハウを活かし、お客様の要望に沿った微細エンドミルを小ロットから製作...(つづきを見る

  • カタログあり

    加工が極めて難しい「SiC・ガラス等」を高速割断可能!EV普及に必須の…

    EV(電気自動車)の普及や、電子機器間のネットワーク接続など電力消費の増加に伴い、 より高出力・高電流に対応可能な半導体のニーズが高まっており、 SiCなどの次世代半導体材料を用いた「パワー半導体」が注目されています。 しかし、硬くて脆い「SiC」の加工には高い技術が求められます。 従来の機械・レーザー切断では、加工速度の遅さやチッピング...(つづきを見る

  • SiCパワーMOSFETのコンタクト電極評価の製品画像ですカタログあり

    コンタクト電極/SiC層の界面の相同定・元素分布評価

    市販のSiCパワーMOS FET素子の解析事例をご紹介します。 SiC材料では、SiだけでなくCを含めた系での材料制御が必須となり、従来のSi半導体の製造方法と違いがあります。コンタクト電極とSiC層のオー...(つづきを見る

  • SiC(炭化ケイ素シリコンカーバイド)カタログあり

    高耐圧次世代パワーデバイス材料として注目!

    SiC(炭化ケイ素,シリコンカーバイド)は、シリコンに比べてバンドギャップが約3倍(3.26eV)広く、熱伝導率も3倍以上(4.9W/cm・k)、絶縁破壊電圧にいたりましては約10倍(2.8MV/cm)という特性を持ち、Siと同じ10mΩ・cm2までオン抵抗を下げた時、耐圧は1200Vに達します。 【特徴】 ■小さなオン抵抗 ■短いスイッチング時間 ■高温動作 ≪サイズ、スペックにつき...(つづきを見る

  • カタログあり

    専用コントローラと組み合わせることで、実験環境の構築が短期間で整います

    SiCデバイス搭載インバータユニット 「MWINV-1044-SIC/MWINV-5044-SIC」は、ローム株式会社製SiC-MOSFETを用いた実験用インバータユニットです。 ゲートドライバを搭載し、外部信号だけで、スイッチング周波数200kHzのインバータ駆動が可能。 専用コントローラと組み合わせることで、実験環境の構築が短期間で整います。 【特徴】 ○実験に必要な機能が満載 ○保護...(つづきを見る

  • BD7682FJ-LB

    SiC-MOSFETの性能を最大限に引き出し産業機器の省電力化、小型化…

    大電力(高電圧×大電流)を扱うインバータやサーボなどの産業機器で採用が進むSiC-MOSFET駆動用AC/DCコンバータ制御IC「BD7682FJ-LB」を開発。 SiC-MOSFET搭載AC/DCコンバータを容易に実現可能。省電力化、小型化が求められるAC/DCコンバータ...(つづきを見る

  • カタログあり

    高腐食耐性及び耐摩耗性を必要とする用途に、優れた性能を発揮。

    腐食性が極めて強い化学薬品や、高圧下の流体による摩耗や、高作動温度が要求される用途まで、高度なスペック要望に対応。ピュアバイド常圧焼結SiCシリーズは、お客様のあらゆるご要望にお応えするエンジニアリング材料ソリューションです。 モルガンの摩擦と摩耗に関するノウハウを用い、遊離グラファイトで常圧焼結SiCの能力を増強させるという独...(つづきを見る

  • カタログあり

    高耐酸化、高耐食、高耐薬品性!!高純度な黒鉛製品が求められる半導体製品…

    半導体製品の急速な高集積化に伴い、炭素材料表面の脱ガス量、発塵量や不純物量の低減など高純度な黒鉛製品が求められ、等方性黒鉛表面にCVD法にてSiC[炭化ケイ素]を被覆したPERMA KOTE(R)が半導体産業分野を中心に活躍しています。 *詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをダウンロードしてください。...(つづきを見る

  • 多機能高周波トランスポンダーチップ SIC5600 HiRead-T(R) の製品画像ですカタログあり

    多機能高周波トランスポンダーチップ SIC5600 HiRead-T(…

    高性能&コスト削減! 多機能高周波トランスポンダーチップ SIC5600 HiRead-T(R) ■□■特徴■□■ ■ISO15693を完全に順守したEEPROM IC's ■アイテムレベルタグ・ロジスティック及びSCMアプリケーションに   おいて高速でアンチコリジョン機能で確実にR/Wデータ保存が可能 ■Zero-Gap Stackable Technology ■ラジ...(つづきを見る

  • カタログあり

    SiCの特徴を生かしたパワーデバイスソリューションの総合カタログです。

    米国Cree社は、世界最先端のシリコンカーバイト(SiC)技術、ガリウムナイトライド(GaN)技術をコアとし、Powerデバイス、LEDデバイス、LEDコンポーネント、RFデバイス等を製造しております。 Cree社のSiCパワーデバイスは、従来のシリ...(つづきを見る

  • SiC基板におけるSSDP-SIMS分析の製品画像ですカタログあり

    SiC基板側からドーパント濃度プロファイルを取得可能

    SiCパワーMOS FET(図1)において、ゲートパッド部下のSiC中にてドーパント元素であるAlの濃度分布を素子表面側から及び裏面側からSIMSで評価しました(図2)。 分析を進める方向に関係なく深さ約0.5μm以降の分布もよく一致することから、Alの濃度分布の広がりは測定起因でなく実際の元素分布を反映しているものと考えられます。 SiCなどの加工の難しい硬質基板でも、SSDP-SIMS分析が可能...(つづきを見る

  • カタログあり

    特殊寸法の製作も可能!SUS304LのICFミニフランジ

    『ICFミニフランジ』の材質はSUS304Lです。 「固定フランジ」と「回転フランジ」の2種類を取り扱っており、 ボルト穴は、キリ穴とタップ穴から指定ができます。 また、特殊寸法も製作可能です。 詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。...【ラインアップ】 ■固定フランジ  《規格:製品コード》  ・CF34:SICF34-FH  ・CF34:SICF3...(つづきを見る

  • SiCウエハー各種取り扱っております。

    SiCウエハー:4HーN型、6HーN型、6HーSI サイズ 2”、3”、4” 詳細につきお気軽にお問い合わせください。...(つづきを見る

  • 単結晶SiCウエハ

    パワーLSI用の材料として注目されている単結晶SiCウエハ・SiCイン…

    ●タンケブルー社の代理店として多くの国内顧客へSiCウエハ、SiCインゴットを販売中。 ●サファイアウエハ、シリコンウエハも販売中。 ●各膜つきウエハ販売。...(つづきを見る

  • カスタマイズ基板の実績例(ASIC I/Oボード)の製品画像ですカタログあり

    カスタマイズ基板の実績例(ASIC I/Oボード)

    基板開発:カスタマイズ基板の実績例 TDG社がユーザーからの要望、仕様によりカスタマイズ作成した 基板のご紹介です。 ■□■ASIC I/Oボード■□■ ■印刷機用基板 ・特殊用途向のI/O基板 ・外部ROM 256kbyte ・外部RAM 256kbyte ・出力 88点(モニタLED付) ・入力 44点(モニタLED付) ・A/D AO : 2チャンネル(...(つづきを見る

  • カタログあり

    SiCウェーハ等の内部に存在する結晶欠陥や内部歪みを、高感度かつリアル…

    XS-1はパワーデバイス用半導体として注目されているSiCウェーハなどの内部に存在する結晶由来の欠陥(マイクロパイプ、貫通刃状転位、貫通螺旋転位、基底面転位、積層欠陥、インクルージョンなど)を高感度でリアルタイムに可視化する装置です。可視光領域を使用する...(つづきを見る

  • SiC中ドーパント元素の深さ方向分析1の製品画像ですカタログあり

    SiC中B,Al,N,P,Asについて、高感度で深さ方向分布の評価が可…

    SiCはその物性からパワーデバイス材料として用いられていますが、Siとは異なりイオン注入後の熱処理によるドーパントの拡散が困難なため、多段イオン注入により深さ方向への分布を制御する必要があります。SIMS分析は高感度(ppm以下)で深さ方向の不純物濃度を評価することができるため、SiC中のドーパント元素の分布評価に適しています。また、軽元素(H,C,O,Fなど)の分布についても評価可能です。評価したい元...(つづきを見る

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