各種ウェハ高速加熱処理装置『HEATPULSE』

PR“サセプタ不用"の高スループットSiCウェハアニール！4-8…

『HEATPULSE』は、サセプタ不要のSiCウェハアニールが可能な 高速加熱処理(RTP/RTA)装置です。 独自技術により高温プロセスも効率化。 パワーデバイス関連、およびその他の半導体業界、または高温高速 加熱処理が必要な方に好適な装置です。 【特長】 ■独自技術により、サセプタ無しでのSiCアニールを実現 ■パージ効率、昇温レートの向上により、約1.5倍の高スルー...

メーカー・取り扱い企業： プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

資料『次世代半導体の今を説く～SiC・GaN解説～』【進呈中！】

PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...

メーカー・取り扱い企業： ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカ アンド カンパニー】

SiC半導体製造用機能部品

2000℃以上のSiCプロセスに対応可能な単結晶成長およびCVD用部品…

Momentiveの『タンタルカーバイドコーティング』は、SiC単結晶成長炉、エピタキシャル装置の部品として多くの実績を有しており、『静電チャック』はSiやSiC半導体プロセスの高温イオン注入、スパッタリング工程で使用されています。 【特長】 ■タンタ...

メーカー・取り扱い企業： モメンティブ・テクノロジーズ・ジャパン株式会社

大型高精度SiCプレートによる改善事例

最大□800ｘ40tのSiCセラミックス製品を高精度で提供します。装置…

金属製プレートは重く、熱変形により精度維持が困難です。SiCセラミックスへの代替により様々な問題を解決します。 【仕様】 ■最大寸法　□800(Φ800)ｘ40t ■平面度1~5μm　平行度2~10μm　面粗さRa0.4μm 　※精度は寸法や形...

メーカー・取り扱い企業： 日本ファインセラミックス株式会社

研磨技術『SiC ウエハー』

革新的研磨技術を確立！短時間・低コストで究極の面粗さとTTVを実現しま…

電子部品製造・加工業を行うTDCでは、次世代パワーデバイス材料 『SiC ウエハー』の革新的研磨技術を確立しました。 SiCは大変優れた材料特性から、次世代パワーデバイス材料として有望視 されていますが、研磨プロセスのコストが障壁となっていました。 そこ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ティ・ディ・シー

SiC半導体評価装置「SemiScope」

フォトルミネッセンス(PL)イメージング法を用いたSiC半導体評価装置

定することができるPLイメージング装置です。 試料を移動させながらイメージング測定を行うタイリング機能を用いることで、約33億画素の解像度で6インチウェハ全面のPL画像を得ることができます。 SiCウェハの結晶欠陥を可視化。非接触・非破壊検査がPLイメージング法で短時間測定可能です。 【特徴】 ○SiC半導体評価装置 ○SiCウェハの結晶欠陥を可視化 ○非接触、非破壊検査 ○P...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社フォトンデザイン

SiCウェハボート

高温での使用が可能で1350℃まで対応可能！主要装置メーカーの認定を取…

高純度で高温での使用も可能なウェハボートです。 主要装置メーカーの認定を取得しており、パーティクル発生を抑制します。 【特長】 ■ 高純度 ■ 高温での使用が可能（～1350℃） ■ パーティクル発生を抑制 ■ 主要装置メーカーの認定を取得 ※詳しくはカタログをダウンロードして頂くか、お気軽にご連絡ください...【用途】 拡散／LP-CVDプロセス用ウェーハキャリア ...

メーカー・取り扱い企業： クアーズテック株式会社

【用途例】スパッタリングターゲット　複合材料SiC/Si

SiC/Si複合材料をターゲット材としてご使用頂いております。

Si合金にSiCセラミックス粒子を含有させた複合材です。 結晶性Siよりも曲げ剛性が高く、使用途中の割れ、チッピング等の発生がなく最後まで安定した成膜が可能となります。 結晶性Siターゲットの1.3倍...

メーカー・取り扱い企業： 日本ファインセラミックス株式会社

Mg-SiC複合材料市場アナリストレポート 2023-2029

本レポートは、世界のMg-SiC複合材料市場について詳細かつ包括的に分…

当社（Global Info Research）の最新調査によると、世界のMg-SiC複合材料市場規模は2022年に600万米ドルと評価され、レビュー期間中にCAGR 6.0％で2029年までに800万米ドルの再調整サイズになると予測されます。市場規模を推定する際には、COVID-...

メーカー・取り扱い企業： GlobaI Info Research有限会社 Global Info Research

半導体装置向けAl-SiC金属マトリックス複合材料市場

アルミニウムシリコンカーバイド（AlSiC）は、熱膨張係数（CTE）が…

当社（Global Info Research）の最新調査によると、半導体装置向けAl-SiC金属マトリックス複合材料の世界市場規模は2022年に1600万米ドルと評価され、レビュー期間中にCAGR 5.1％で2029年までに2300万米ドルの再調整規模になると予測されます。COVID-1...

メーカー・取り扱い企業： GlobaI Info Research有限会社 Global Info Research

排気回収機構を設けた「SiCウエハ用ベルヌーイチャック」

クリーンルームにて使用可能「SiCウエハ用ベルヌーイチャック」

排気回収機構を具え、クリーンルームへの排気の排出を減少させ、クリーンルーム内での使用を可能にした「SiCウエハ用ベルヌーイチャック」 ...

メーカー・取り扱い企業： 有限会社ソーラーリサーチ研究所 大阪事業所

ウェハ用移載装置『Sicホルダー移載機』

コンパクトな小口径薄物ウェハ用移載装置

『Sicホルダー移載機』は、横型酸化/拡散炉用のウェハーボートから プロセスカセットへの移し替え装置です。 受注後3ヶ月と立上調整3日でご提供いたします。 ご要望の際はお気軽に、お問い合わせください。 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。...【仕様】 ■ウェハスペック：5インチ　210～600μm ■カセット：50枚　ピッチ：2.38mm　PFA ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ECP

SiC/Al複合材料　φ450円盤治具（18インチ）

φ450（18インチ）治具　Siウェハと同等の比重、ヤング率！　低価格…

半導体φ450mm（18インチ）ウェハ対応装置向けとして φ450（18インチ）治具を準備致しました。 通常のSiウェハはまだまだ高額、破損リスクもあるので なかなか自由に使えないとお困りの方はお問い合わせください。 搬送テスト用・吸着テスト用の治具として、複合材料をお試しください。...ＳＡ３０１ ・Siウェハに近い特性 　　比重　2.8　　ヤング率　125GPa ・φ450m...

メーカー・取り扱い企業： 日本ファインセラミックス株式会社

SiC・GaN基板研磨加工サービス『CARE-TEC(R)』

SiC・GaN基板をCARE法で加工します！

『CARE-TEC(R)』は、究極の平坦面とダメージフリー化により、 デバイス性能を飛躍的に向上できる技術です。 加工液は環境に配慮した純水のみを使用しております。 ご要望の際はお気軽に、お問い合わせください。 【特長】 ■原子レベルの平坦性が得られる ■加工ダメージ（内部の潜傷）を除去可能 ■リーク電流を低減できる ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わ...

メーカー・取り扱い企業： 東邦エンジニアリング株式会社

SiC用円筒研磨機

次世代のパワー半導体として期待されているSiC用円筒研磨を開発！

シリコン用円筒研磨機で培った技術をベースに、 SiC用円筒研磨機を開発しました。 次世代のパワー半導体として期待されているSiCは、 加工難易度が高く、多くの課題を乗り越え量産用設備として完成しました。 ...

メーカー・取り扱い企業： 齊藤精機株式会社

LT・SiC等2〜6インチ小径ウェハ両面同時薬液スクラブ洗浄装置

ワーク表裏面に触れない搬送・乾燥と異物、金属汚染の除去を可能にした薬液…

ポリッシュ後の研磨スラリーをディスクスクラブ洗浄で除去し、薬液スプレー、メガソニックスポットシャワー、スピン乾燥できる枚葉洗浄装置です。 強固着物の除去と薬液スプレーによる金属汚染除去が可能で、オプションで端面同時のスクラブ洗浄も対応できます。 ■表裏側面を同時に洗浄可能 ■被洗浄対象ウエハ　：　シリコン、石英、酸化物、化合物等 ■対応ウエハ口径　 ：φ2”～φ4”　厚みについては応相...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社テクニカルフィット

高性能枚葉式常圧CVD(APCVD)装置 (A200V)

少量・多品種向け　NSG(SiO2)/PSG/BPSG膜成膜用　枚葉式…

縁膜・拡散/インプラマスクの成膜に好適 　・枚葉式Face-down成膜による低パーティクル成膜 　・密閉式チャンバーによる高い安全性と成膜安定性 　・ウェハ反り矯正機能（特許取得済）によるSiCウェハ対応 　・低負荷・長周期メンテナンス 　・コンパクト筐体とミラータイプとの隣接設置による省スペース対応 　・低CoO(低ランニングコスト) 【用途】 　・パワー半導体用層間絶縁膜(...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社渡辺商行

【HTシリーズ基板加熱ヒーターMax1900℃】Φ1〜8inch

プレート最高温度Max1900℃。HV, UHVほか過酷なプロセス環境…

対応可能サイズ Φ1〜8inch用、及び最大150mm角まで 超高温・超高真空対応フルカスタムメイド基板加熱ステージ ◉ヒーターエレメント： ・C/Cコンポジット Max1700℃ ・SiC3（炭化珪素）コーティンググラファイト Max1300℃ ・TiC3（チタン・カーバイド）コーティンググラファイト Max1900℃ 高純度・耐熱性・高耐蝕性を要求される過酷なプロセス環境...

メーカー・取り扱い企業： テルモセラ・ジャパン株式会社

SiCウェーハ厚さ測定機　(TME-05型)

ガラス板に貼り付けられたSiCウェーハの厚みと接着剤の厚み測定及び、S…

・厚さは、光学式プローブ/センサにて非接触測定します。 ・ポーラスチャック式ウェーハステージを採用し、薄いウェーハを均一に保持します。 ・測定データは、付属パソコンのモニタ表示の他、CSV形式で保存します。またグラフィカル表示も可能です。 ...・カメラによる外観撮像が可能です。(オプション） ・Siウェーハ（テープ付含む）の厚み測定も可能です。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ジャステム

高田工業所製超音波カッティング装置『CSX-400シリーズ』

SiC・LTCCなどの難切材からガラス・樹脂などの複合材など多様な材料…

『CSX-400シリーズ』はSiC、LTCC、ガラス、樹脂などの難切材・複合材をはじめとする広範囲な材料を高品質に切断し、ブレードライフの向上により高い生産性とコストパフォーマンスを実現した超音波カッティング装置です。 ■特...

メーカー・取り扱い企業： JFE商事エレクトロニクス株式会社 プロセスソリューション営業部 実装プロセス営業室

ステップアライメント処理サービス

算術平均粗さ（Ra）を0.06nmまで低減可能です

『ステップアライメント処理』は、単結晶 SiC ウエハ表面 （エピ表面を含む）の平滑化を促進する前処理（または後処理）です。 単結晶SiCのSi面に対して顕著な平滑化の効果を発揮し、 微傾斜基板に対してはステップ間隔の均一化を促進。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社CUSIC

高田工業所製超音波カッティング装置『CSX501』

全自動&装置機能UP&遠隔監視機能を搭載！ダイシング工程の生産性向上に…

向上や新たな機能を追加した超音波カッティング装置です。 装置監視機能を追加し、不測のトラブルが発生した際も遠隔サポートにて最小限の装置停止時間での復旧が可能となりました。 ■特長 ・SiC、アルミナ、PZTなどの難切材からガラス、樹脂などの複合材など広範囲な材料の高速で高品質な切断を実現！ ・ブレード切断に超音波を付加することで、ブレードの摩耗量を大幅に減少させることが可能！ ...

メーカー・取り扱い企業： JFE商事エレクトロニクス株式会社 プロセスソリューション営業部 実装プロセス営業室

高生産性連続式常圧CVD(APCVD)装置 (AMAX800V)

量産向け　NSG(SiO2)/PSG/BPSG膜成膜用　高生産性　連続…

成膜を目的とした、連続式常圧CVD装置(APCVD装置)です。 【特徴】 　・最大100枚/hの高生産性 (対応ウェハサイズ: ～8インチ) 　・真空・プラズマ不要 (熱CVD) 　・SiCトレー採用による重金属汚染(メタルコンタミネーション)対策 　・シンプルメンテナンス 　・低CoO(低ランニングコスト) 【用途】 　・エピタキシャル(Epitaxial)ウェハ用バックシ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社渡辺商行

ウェハ搬送移載装置「ピッチ変換」「Face to Face移載」

カセット内のウエハを異なるカセットへ自動移載、2カセット同時やピッチ変…

ウェハ搬送移載装置は、オープンカセット内のウェハを別のオープンカセット・石英(SiC)ボート等へ自動移載する装置です。 【特徴】 　・4インチ～8インチウェハ用移載機 　・CR内でのウェハの自動移載が可能 　・2カセット同時やピッチ変換・Face to Face (B...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社渡辺商行

高生産性連続式常圧CVD(APCVD)装置 (AMAX1200)

量産向け　NSG(SiO2)/PSG/BPSG膜成膜用　高生産性　連続…

の成膜を目的とした、連続式常圧CVD装置(APCVD装置)です。 【特徴】 　・～56枚/hの高生産性 (対応ウェハサイズ: ～12インチ) 　・真空・プラズマ不要 (熱CVD) 　・SiCトレー採用による重金属汚染(メタルコンタミネーション)対策 　・シンプルメンテナンス 　・低CoO(低ランニングコスト) 【用途】 　・エピタキシャル(Epitaxial)ウェハ用バックシ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社渡辺商行

日新技研社　単結晶育成装置　総合カタログ

日新技研社〜単結晶育成装置〜総合カタログ　無料配布中！

・販売しております ◆◆掲載製品◆◆ 　　○トランジスタインバータ 　　○酸化物単結晶引上装置 　　○自動直径制御装置 　　○μ-PD装置 　　○超小型単結晶引上装置 　　○SiC-CVD装置 　　○Gap.InP高圧合成装置 　　○高温アニール装置 　　○SiC単結晶成長装置 ◆その他機能や詳細については、カタログダウンロード下さい◆...

メーカー・取り扱い企業： 日新技研株式会社

「切る技術」シングルワイヤーソーとは？

マルチワイヤーソーでは加工が困難な大口径材料や厚板品の加工が可能！高価…

イヤーを使用した固定砥粒方式を採用しておりますので高価な材料の加工ロスを大幅に削減できます。 【主な対応素材】 窒化アルミ AlN / アルミナ Al2O3 / サファイア /炭化ケイ素 SiC/ 銅 Cu/モリブデン Mo/タングステン　W/銅モリブデン/銅タングステン/ 石英ガラス / ニオブ酸リチウム LiNbO3 / タンタル酸リチウム LiTaO3 / チタン酸バリウム ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社新興製作所

半導体モールド金型用セルテスXコーティング

先進の真空プラズマ技術による低温PVDコーティングです。

【特長】 ○SiC ボールとの摩擦摩耗試験ではTiN コーティングの約10倍、DLCコーティングと同等の耐摩耗性を示す ○良好なトライボロジー特性を有する →SiCとの摩擦係数は0.29と低い摩擦係数を示す ...

メーカー・取り扱い企業： ナノコート・ティーエス株式会社 石川事業所

プラズマＣＶＤ成膜

ガスを化学反応させることで緻密な薄膜を形成！低温加工も可能です。

真空蒸着法に加え、 プラズマＣＶＤ法によるコーティングサービスも行っております。 現在、プラズマCVD法での対応膜種は、DLC（Diamond-Like Carbon）、SiO2、SiN、SiCの４膜種とさせていただいております。...

メーカー・取り扱い企業： 東邦化研株式会社

精密研磨装置『MA-150』

小さい試料を研磨する際に好適！1つの目的に対して1台を使用できるように…

EM等の横に設置し、1つの目的に対して1台を使用できるように 設計開発されております。 小型でスペースを占有しないため、小さい試料を研磨する際に適しており、 半導体ウェハー、サファイア、SiC、ガラス、セラミックスなどの研磨が可能。 試料に合わせた研磨盤・研磨剤を使用することでより良い研磨面が得られます。 【特長】 ■パーソナルタイプの研磨機 ■1つの目的に対して1台を...

メーカー・取り扱い企業： ムサシノ電子株式会社

株式会社ジャステム　事業紹介

測定機・加工機・専用機・自動化設備の製造販売の株式会社ジャステム

株式会社ジャステムでは、Si、SiC、サファイア等を対象とした、ウェーハ非接触厚さ測定機、ウェーハ厚さ仕分け機、ラップ・ポリシング加工機の自動化装置、ウェーハ移載機などウェーハ製造工程における自動化・省力化機械を独自技術開発により設...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ジャステム

立体物対応実験用プラズマCVD装置

対応可能膜種はDLC、アモルファスSiC等！基板加熱機構付き（最高設定…

当社で取り扱う『立体物対応実験用プラズマCVD装置』をご紹介いたします。 立体物に成膜可能で、対応可能膜種はDLC、アモルファスSiC等。 PC操作（シーケンサー制御）で、全自動、データロギングが可能です。 当社では実験装置から生産装置まで、お客様のご要望、ご予算に合わせて 装置を設計、製造いたします。ご用命の際はお気...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社DINOVAC

石英ガラス 高純度アニール炉

熱源はSiCヒーターを採用！高いクリーン性能を実現した高純度アニール炉

大口径化、長尺化に対応するべく炉体の大型化を進めており、 お客様のご要望に応じて専用設計いたします。 【特長】 ■ステンレス炉体と高純度断熱材を採用し、高いクリーン性能を実現 ■熱源はSiCヒーターを採用し温度分布性能の向上を図る ■対象製品の大きさに合わせて専用設計が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： アドバンエンジ株式会社

フラッシュランプアニーリング装置　FLA

半導体など各種材料に！数ミリ秒から数百ミリ秒の超短時間でアニーリング可…

y Siの結晶性の向上 ○インクジェットによる半導体材料、超薄金属膜、シリコンナノ粒子のアニーリング処理 ○Si、Ge、Sn等のナノクリスタルの形成 ○ローカルメルティング-再結晶化／FLASiC(SiC on Si) ○ドーパントの活性化（SiC/GaAs） ウルトラシャロージャンクション（Si） ●詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社マツボー

「磨く」技術のご紹介！両面研磨・片面研磨が可能※加工事例進呈

ラッピング加工、ポリシング加工（鏡面研磨法）の2つの手法を用いてご希望…

を用いて ご希望の表面粗さに仕上げさせて頂きます。 【当社の磨く技術の特徴】 ■幅広い難削材の加工に対応可能 ■数千～数万個を同時に加工OK ■パワー半導体市場でニーズが拡大しているSiC単結晶は外形加工・切断加工から鏡面研磨加工まで一貫対応可能 ※詳しくはPDF資料をダウンロードいただくかお気軽にお問合せください。 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社新興製作所

【ホットステージ】超高温基板加熱ステージ Max1800℃

超高温基板加熱ステージに、基板昇降・回転、RF/DC基板バイアスの全て…

基板回転 ◉ RF(1KW)/DC(800V)バイアス印加（逆スパッタ） ◉ 使用環境に応じたエレメントの選択： グラファイト, CCコンポジット, ハロゲンランプヒーター, グラファイト/SiCコーティング, グラファイト/PBNコーティング, PGコーティング, AlNヒーター ◉ 各種真空フランジ接続：ICF, ISO(KF/LF), JIS(VG/VF)フランジ ◉ K, C,...

メーカー・取り扱い企業： テルモセラ・ジャパン株式会社

MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉2000℃

SiC3, TiC3コーティングヒーター採用：様々なプロセス環境に対応…

■Max2000℃（真空中1x10-5Torr, N2, Ar） ■3種類のヒーター材質： ・高純度グラファイト：Φ6〜Φ8inch ・SiC3（炭化珪素）コーティング：Φ4〜Φ8inch ・TiC3（チタン・カーバイド）コーティング：Φ4〜Φ8inch ■使用雰囲気： ・真空・不活性ガス（グラファイト） ・還元雰囲気（TiC3...

メーカー・取り扱い企業： テルモセラ・ジャパン株式会社

製品カタログ　半導体製造装置用セラミックス製品

ウェハ製造プロセス・デバイス製造プロセスで用いられるセラミックス製品を…

種産業機械部品を取り扱う 橋本理研工業株式会社の「半導体製造装置用セラミックス製品」を 掲載している製品カタログです。 ウェハ製造プロセスで用いられる「ウェハポリシングプレート」や 「SiC製ウェハポリッシングプレート」の他、 様々な製品を掲載しています。 【掲載内容】 ■ウェハ製造プロセス ■デバイス製造プロセス ■セラミックス応用技術 ※詳しくはPDFをダウン...

メーカー・取り扱い企業： 橋本理研工業株式会社

ICP エッチング装置

ヨーロッパ 発の技術から生まれた汎用性の高い装置！

iN、pGaN、AlGaN層の特別処理が可能； pGaNの高エッチング選択比を実現、AlGaN層に低損失制御； 超低出力工程に対応 ・Pishow D： DRIE技術をベースに、Si、SiCの深掘りに対応； ガスの切り替え速度＜1s； BOSOH工程に対応可能 ...

メーカー・取り扱い企業： 日星産業株式会社

自動フォトレジスト塗布装置（スピンコーター）Coater

レジスト膜の面内均一性やウエハ間の平均膜厚の差が少ないコーターです。低…

トまで要求仕様に合わせてカスタムいたします。 ポジ・ネガレジスト、ポリイミド、SOG、WAX、シリコーンなど、多彩な薬液に実績があります。 Si（シリコン）、GaAs、InP、GaN、SiC、サファイア、セラミック、SiO2（ガラス）など多数の基板搬送実績もあります。 GaAs（厚み150um）、InP（厚み150um）、LT（厚み120um）など薄い基板の搬送実績も多数ありま...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エイ・エス・エイ・ピイ

レーザー加工機　『カスタマイズ可』『サンプル加工無償実施』

お客様の要望に合わせたレーザー発振器を選択し、さまざまなレーザー加工用…

◎取扱レーザー　波長：IR、SHG、THG、FHG　パルス幅：ナノ秒・ピコ秒・フェムト秒(超短パルスレーザ)　 ◎対象材料　Al2O3(アルミナセラミックス、窒化アルミ)、Si(シリコン)、SiC(炭化珪素)、 LT(リチウムタンタレイト)/LN(リチウムナイオベイト)、GaN(窒化ガリウム)、各種ガラス、ポリイミド、ペットなど ◎加工事例　スクライブ(溝堀)、切断、穴あけ、トリミ...

メーカー・取り扱い企業： 西進商事株式会社

自動塗布・露光・現像一貫プロセス装置（フルオートリソグラフィ）

レジスト塗布～露光～現像処理を一気通貫。自動で処理可能な装置です。フォ…

ラインナップしている当社だからこそ実現出来た装置です。 対応レジストは、ポジ・ネガレジスト、ポリイミド、など、多彩な薬液に実績があります。 Si（シリコン）、GaAs、InP、GaN、SiC、サファイア、セラミック、SiO2（ガラス）など多数の基板搬送実績もあります。 露光工程は、オートアライメント機能搭載可能 ポジ・ネガ反転工程にも最適です。 【特長】 ■フォトリソ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エイ・エス・エイ・ピイ

高田工業所社製試作用枚葉式ウェット処理装置『TWPmシリーズ』

リフトオフ・レジスト剥離プロセスによるウエハー表面処理を行う試作研究用…

■基本仕様 ・材質：Si , 化合物 ( GaAs , InP , Sapphire , SiC , GaN ) 等 ・サイズ： 2, 3, 4, 5, 6, 8インチ（２サイズ兼用可） ・洗浄チャンバー数：1 ・スクラブ処理：高圧ジェット／ 2 流体ジェット／超音波シャワー等 ・処...

メーカー・取り扱い企業： JFE商事エレクトロニクス株式会社 プロセスソリューション営業部 実装プロセス営業室

ドライアウト全自動ポリッシュ装置『6EZ』

Revasum社の枚葉処理装置！SiC基板とデバイスの歩留まり向上を提…

『6EZ』はSiC基板とデバイスの歩留まり向上を提供できる ドライアウト全自動ポリッシュ装置です。 Revasum社の7AF-HMGグラインダー装置と6ZEポリッシュ装置を同時に 使用することでプロセスの...

メーカー・取り扱い企業： ファーストゲート株式会社 本社、大阪オフィス、笹目倉庫

2サイズ兼用自動レジストコーター・デベロッパー（塗布・現像）

段取り替え不要、2サイズのウエハ兼用装置です。 低粘度～高粘度レジス…

自社で行っているので、低価格を実現しました！ ポジ・ネガレジスト、ポリイミド、SOG、WAX、シリコーンなど、多彩な薬液に実績があります。 Si（シリコン）、GaAs、InP、GaN、SiC、サファイア、セラミック、SiO2（ガラス）など多数の基板搬送実績もあります。 GaAs（厚み150um）、IｎP（厚み150um）、LT（厚み120um）など薄い基板の搬送実績も多数ありま...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エイ・エス・エイ・ピイ

アニール炉『ANNEALウエハーアニール装置』

Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"、又は6"基板…

ロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター：Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ） ・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）...

メーカー・取り扱い企業： テルモセラ・ジャパン株式会社

手動式ウェーハ厚さ測定機（STM-05型）

φ100mm～φ150mmのSi、SiC等ウェーハの厚さ測定

本機械は、φ100mm～φ150mmのSi、SiC等ウェーハの厚さ測定を、手動操作にて行う装置です。 厚さ測定は、高精度接触式デジタルセンサを用い、片側測定にて行います。 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ジャステム