• 資料『次世代半導体の今を説く~SiC・GaN解説~』【進呈中!】 製品画像

    資料『次世代半導体の今を説く~SiC・GaN解説~』【進呈中!】

    PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに!

    エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく! ...

    メーカー・取り扱い企業: ジェルグループ【株式会社ジェルシステム/株式会社ナカ アンド カンパニー】

  • 解説資料 開発元監修『見積段階から機械動作を可視化する3D構想』 製品画像

    解説資料 開発元監修『見積段階から機械動作を可視化する3D構想』

    PR複雑する装置仕様を見える化!受注率UPと手戻り削減に貢献する3DCAD…

    機械設計向け3次元CAD「iCAD SX」の開発元が監修しました。 複雑化する装置仕様の摺合せが難しい理由や問題点を洗い出し、 "装置仕様(動き)の可視化"について解説した資料を無料進呈中です。  【資料概要】   ■製造業を取り巻く環境と、装置の複雑化   ■仕様説明時における取組と課題、目指す姿   ■打ち合わせ初期から一連の動作フローを可視化する効果   ※ 本ページのPDFダウンロード...

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    メーカー・取り扱い企業: i CAD株式会社 - 機械設計向け3DCAD(3次元CAD)開発元 -

  • TO-220/TO-247各パッケージに対応可能なソケット! 製品画像

    TO-220/TO-247各パッケージに対応可能なソケット!

    高温下でも使用可能!高耐圧・大電流のニーズに応えるTOパッケージ対応!

    『Cシリーズ』は、SiCやGaNなどを使用したパワーデバイスに求められる 高耐圧・大電流に対応可能な、耐熱設計のソケットです。 TO-220/TO-3P/TO-247の各パッケージに適合し、 TO-247向けは...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社SDK

  • ウエハ 開発サービス 製品画像

    ウエハ 開発サービス

    ELO(epitaxial lateral overgrowth)にも…

    当社では、GaN、Sapphire、SiC基板上へのMOCVDによるエピ成長に 対応できるウエハを開発しております。 高周波デバイスをはじめ、パワーデバイス、照明など 様々な用途にご利用頂けます。 ご要望の際はお気軽にご連絡く...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社パウデック

  • 【オンライン講座】パワーデバイスの基礎 製品画像

    【オンライン講座】パワーデバイスの基礎

    お客様からご要望が多かった講座を準備!現役エンジニアが講師を務めます!

    ありましたら、ご相談下さい。 【オンライン講座内容】 ■パワーデバイスの概要 ■ダイオード ■MOSFETとIGBTの基本機能・動作原理 ■パワーMOSFETとIGBTの諸特性 ■SiCデバイスの物性とパワーデバイスとしての優位点 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社Wave Technology

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