資料『次世代半導体の今を説く～SiC・GaN解説～』【進呈中！】

PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...

メーカー・取り扱い企業： ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカ アンド カンパニー】

各種ウェハ高速加熱処理装置『HEATPULSE』

PR“サセプタ不用"の高スループットSiCウェハアニール！4-8…

『HEATPULSE』は、サセプタ不要のSiCウェハアニールが可能な 高速加熱処理(RTP/RTA)装置です。 独自技術により高温プロセスも効率化。 パワーデバイス関連、およびその他の半導体業界、または高温高速 加熱処理が必要な方に好適な装置です。 【特長】 ■独自技術により、サセプタ無しでのSiCアニールを実現 ■パージ効率、昇温レートの向上により、約1.5倍の高スルー...

メーカー・取り扱い企業： プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

LT・SiC等2〜6インチ小径ウェハ両面同時薬液スクラブ洗浄装置

ワーク表裏面に触れない搬送・乾燥と異物、金属汚染の除去を可能にした薬液…

ポリッシュ後の研磨スラリーをディスクスクラブ洗浄で除去し、薬液スプレー、メガソニックスポットシャワー、スピン乾燥できる枚葉洗浄装置です。 強固着物の除去と薬液スプレーによる金属汚染除去が可能で、オプションで端面同時のスクラブ洗浄も対応できます。 ■表裏側面を同時に洗浄可能 ■被洗浄対象ウエハ　：　シリコン、石英、酸化物、化合物等 ■対応ウエハ口径　 ：φ2”～φ4”　厚みについては応相...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社テクニカルフィット

シングルチャンバー型「ウェハ用多目的スピン・スクラブ洗浄装置」

1チャンバーで異物・金属汚染を取り除く省スペースな洗浄装置！洗浄方法の…

レー、メガソニックスポットシャワー、スピン乾燥までの工程を１つのチャンバーで行う枚葉装置 ◇　シングルチャンバーで完結する省スペース型 ◇　Si（シリコン）、LT（リチウムタンタレート）やSiC（炭化ケイ素）他、 　　各種ウェハに対応 ◇　異物（有機物・無機物）の除去、金属イオンの除去 ◇　洗浄項目・装置構成の変更に柔軟に対応 ※詳しくはお問い合わせいただくか、カタログをダウ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社テクニカルフィット

小径ウェハ（LT・SiC等2〜6インチ）両面同時スクラブ洗浄装置

ワーク表裏面に触れずに搬送・乾燥が可能なスクラブ洗浄装置！独自機構の表…

ポリッシュ後の研磨スラリーを界面活性剤、純水によるスクラブ後、メガソニックスポットシャワーによるリンス、スピン乾燥までを行う枚葉装置。ワーク表裏面に触れずに搬送、洗浄、乾燥が可能。同時に端面のスクラブ洗浄も行います。 ■表裏側面を同時に洗浄可能 ■被洗浄対象ウエハ　：　シリコン、石英、酸化物、化合物等 ■対応ウエハ口径　 ：φ2”～φ8”　厚みについては要相談 ■透明ウエハにも対応 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社テクニカルフィット