各種ウェハ高速加熱処理装置『HEATPULSE』

PR“サセプタ不用"の高スループットSiCウェハアニール！4-8…

『HEATPULSE』は、サセプタ不要のSiCウェハアニールが可能な 高速加熱処理(RTP/RTA)装置です。 独自技術により高温プロセスも効率化。 パワーデバイス関連、およびその他の半導体業界、または高温高速 加熱処理が必要な方に好適な装置です。 【特長】 ■独自技術により、サセプタ無しでのSiCアニールを実現 ■パージ効率、昇温レートの向上により、約1.5倍の高スルー...

メーカー・取り扱い企業： プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

【お役立ち情報】アルミナ代替　複合材料SA701

PR大型アルミナ部品でお困りのお客様へ － その問題、セラミックス複合材料…

半導体製造装置関連の市場拡大に伴い、セラミックスの調達問題が発生しております。特に大型アルミナ部品は供給元が限られ、長納期化により装置開発スケジュールに影響がでております。 セラミックス金属複合材料SA701は、アルミナに比べヤング率や曲げ強度は若干劣りますが、破壊靭性値が高く割れにくい材料であり、ハンドリングが容易です。密度はアルミナの約3/4と軽く、直ネジを加工できるため、金属ブッシュを必要...

メーカー・取り扱い企業： 日本ファインセラミックス株式会社

粉体試料の合成に好適 SiC製容器対応 Monowaveシリーズ

小～中規模の合成（有機・無機）用のリアクターです。反応容器のオプション…

うすればいいでしょうか？ Q : 合成時に使用している溶媒がマイクロ波の吸収がなく、急速合成できない場合はどうすればいいでしょうか？ A : アントンパールには　反応容器に炭化ケイ素（SiC）容器　があります。 　炭化ケイ素（シリコンカーバイド）製の容器はマイクロ波エネルギーを効率的に吸収し、内部をマイクロ波放射から保護します。これにより、マイクロ波は容器を直接加熱し、試料（固...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アントンパール・ジャパン

高温簡易雰囲気電気炉(SICヒーター) FT-1700-SIC

拡張性に優れた加熱実験用電気炉。CADによる標準設計、標準部品の採用、…

最大1650℃・常用(RT→1600℃)までのN2/Ar/O2/Air雰囲気が手軽に実現！ 各種オリジナルパーツ開発・一貫生産によるコストダウンによる低価格・高性能が実現！ オプション選択で酸素分圧の測定が出来、酸化雰囲気及び還元雰囲気におけるPO2調整することで最適値での安定した各種実験が可能。各種実験に対応している。 16プログラム×16セグメントの大容量を持つ高性能プログラム・...

メーカー・取り扱い企業： フルテック株式会社

常圧焼結SiCセラミックスガス炉用チューブ『CERASIC-B』

1400°C以上でも強度劣化がなく、安定して使用することが可能

『CERASIC-B』は、金属製では使用できない1400°C以上の高温域でも 強度劣化がなく安定して使用することが可能な、常圧焼結SiCセラミックスです。 これによりセラミックラジアントバーナー用チューブや 熱電対用保護管などがあります。 セラミック材料の中では最大クラスといえる1mを超える大型サイズ (プレート：...

メーカー・取り扱い企業： クアーズテック株式会社

炭化ケイ素 (SIC) 電気発熱体の世界市場シェア2024

炭化ケイ素 (SIC) 電気発熱体の世界市場：メーカー、地域、タイプ、…

グローバル市場調査レポート出版社であるQYResearchは「世界の炭化ケイ素 (SIC) 電気発熱体の供給、需要、主要メーカー、2024 ～ 2030 年レポート」レポートには、世界市場、主要地域、主要国における炭化ケイ素 (SIC) 電気発熱体の販売量と販売収益を調査しています。同時に、炭化ケイ素 (SIC) 電気発熱体の世界主要メーカー（ブランド）、市場シェア、売上、価格、収入、および収入の...

メーカー・取り扱い企業： QY Research株式会社 QY Research

マイクロ波合成リアクター Monowave 200

モノウェーブ200は、小規模から中規模のマイクロ波合成（有機合成・無機…

マイクロ波加熱は「局所」を「選択的」に「迅速」に加熱する特性を有します。マイクロ波吸収性の極性基を持つ被反応物は直接加熱されます。 サンプル容器には、標準のガラスバイアルと並んで、炭化ケイ素（SiC）容器も選択が可能です。炭化ケイ素（シリコンカーバイド）製の容器はマイクロ波エネルギーを効率的に吸収し、内部をマイクロ波放射から保護します。これは、選択的吸収によって引き起こされるマイクロ波効果を...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アントンパール・ジャパン

BHシリーズ【超高温薄膜実験用基板加熱ヒーター】Max1800℃

【UHV対応 真空薄膜実験用 面状加熱ヒーター】 大学・研究機関のお…

３種類のサイズ（Φ1, 2, 4inch）、豊富なヒーター素線バリエーション（Kanthal, Graphite, C/C Composite, SiC coating, W）、部品在庫を持つことにより短納期・安価な価格を実現しました。 【特徴】 ● 予備ヒーター素線との交換が容易 ● 取り扱いが簡単（M6スタッドボルト、支柱） ...

メーカー・取り扱い企業： テルモセラ・ジャパン株式会社

各種ウェハ高速加熱処理装置『HEATPULSE』

“サセプタ不用"の高スループットSiCウェハアニール！4-8インチウェ…

『HEATPULSE』は、サセプタ不要のSiCウェハアニールが可能な 高速加熱処理(RTP/RTA)装置です。 独自技術により高温プロセスも効率化。 パワーデバイス関連、およびその他の半導体業界、または高温高速 加熱処理が必要...

メーカー・取り扱い企業： プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

Φ4対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-100

GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…

適な、 卓上型真空プロセス高速加熱炉です。 Φ4インチ対応、専用サセプタにより小片サンプルのプロセスも可能です。 最大到達温度1200℃で多彩なガスパージ環境に対応。 GaNやSiCなどの新材料の結晶成長やペースト材料の焼結など、 多目的にお使い頂けます。 【特長】 ■窒素ガス、酸素ガス、フォーミングガス（水素＋窒素）パージの他、 　高濃度水素ガスパージにも対応 ...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社

マイクロ波合成リアクター Monowave 400R ラマン分光

小規模から中規模のマイクロ波合成（有機合成・無機合成）用に設計されたラ…

直接加熱されます。 Monowaveは、化学反応全体の溶媒比較に理想的な機器です。最後に、ガラスバイアルに適さない化学物質（フッ素化剤またはアルカリ性サンプル）でさえ、化学的に不活性で堅牢なSiC容器で処理できます。 工具不要で再利用可能な消耗品により、時間、支出、および環境を節約します 各反応バイアルはツール不要で、再利用可能なバイアル、セプタム、およびキャップを使用して、所有コ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アントンパール・ジャパン

アニール炉『ANNEALウエハーアニール装置』

Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"、又は6"基板…

ロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター：Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ） ・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）...

メーカー・取り扱い企業： テルモセラ・ジャパン株式会社

浸漬ヒーター『L型浸漬ヒーター』

低い溶湯レベルでも高出力パワー！樋などに起こる熱源不足問題を簡単解決！

溶湯レベルでのアルミニウム溶湯でも、レシゲルヒーターの高出力なパワーを提供する事ができます。 【特徴】 ■熱効率99％以上 ■浅い溶湯レベルにも対応 ■一般的な加熱方法（ガスバーナー、SiCヒーター、加熱蓋、加熱ロッド）に比べ50％エネルギー削減 ■温度誤差±2℃で温度管理が可能 ■迅速かつ容易に加熱可能 ■素早く取り付けられ、簡単にメンテナンス可能 ※詳しくはPDFをダ...

メーカー・取り扱い企業： レシゲルジャパン株式会社

高温クリーンガス加熱装置『Jet II』

最高900℃のクリーン過熱水蒸気の発生が可能！

スを 発生させることができる高温クリーンガス加熱装置です。 また本装置は、最高900℃の各種クリーンガス及びクリーン過熱水蒸気を 発生させることができます。 【特長】 ■発熱体(SiC)は赤外線ランプ集光加熱器により1000℃まで高速超高温加熱が可能 ■ガス接液部は全て石英ガラスであり、不純物の溶出のないガス加熱が可能 ■金属では腐食するような酸・アルカリ溶液をベーパーにす...

メーカー・取り扱い企業： ワイエイシイメカトロニクス株式会社 つくば事業所　PV事業部

マイクロ波合成リアクター Monowave 400 / 450

小規模から中規模のマイクロ波合成（有機合成・無機合成）用に設計されたマ…

イクロ波加熱は「局所」を「選択的」に「迅速」に加熱する特性を有します。マイクロ波吸収性の極性基を持つ被反応物は直接加熱されます。 サンプル容器には、標準のガラスバイアルと並んで、炭化ケイ素（SiC）容器も選択が可能です。炭化ケイ素（シリコンカーバイド）製の容器はマイクロ波エネルギーを効率的に吸収し、内部をマイクロ波放射から保護します。これは、選択的吸収によって引き起こされるマイクロ波効果を...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アントンパール・ジャパン

アニール炉『MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉』

SiC3, TiC3コーティングヒーター採用：様々なプロセス環境に対応…

◉Max2000℃（真空中1x10-5Torr, N2, Ar） ◉3種類のヒーター材質： ・高純度グラファイト：Φ6〜Φ8inch ・SiC3（炭化珪素）コーティング：Φ4〜Φ8inch ・TiC3（チタン・カーバイド）コーティング：Φ4〜Φ8inch ◉使用雰囲気： ・真空・不活性ガス（グラファイト） ・還元雰囲気（TiC3...

メーカー・取り扱い企業： テルモセラ・ジャパン株式会社

Φ12対応　高速アニール加熱システム VPO-1000-300

GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…

真空プロセス高速加熱炉です。 Φ12インチ・Φ6インチ・4インチ対応、専用サセプタにより小片サンプルの プロセスも可能。 最大到達温度1000℃で多彩なガスパージ環境に対応。GaNやSiCなどの 新材料の結晶成長やペースト材料の焼結など、多目的にお使い頂けます。 【特長】 ■窒素ガス、酸素ガス、フォーミングガス（水素＋窒素）パージの他、 　高濃度水素ガスパージにも対応 ...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社

Φ6対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-150

GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…

『RTP-150』は、業界最小クラス、研究開発及び試作開発に好適な、 卓上型真空プロセス高速加熱炉です。 最大到達温度1000℃で多彩なガスパージ環境に対応。 GaNやSiCなどの新材料の結晶成長やペースト材料の焼結など、 多目的にお使い頂けます。 【特長】 ■窒素ガス、酸素ガス、フォーミングガス（水素＋窒素）パージの他、 　高濃度水素ガスパージにも対応 ...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社