高性能の伸縮可能でフレキシブルな電子デバイスと機能性電子材料を特集！

『Material Matters 12-3』は、材料科学研究者の方々のための季刊ニュース レターです。 テーマ「ソフトエレクトロニクス」にもとづいて、世界各国の第一線の研究者が 研究結果やその...（つづきを見る）

製造中止品に対応! ASI社製ハイパワートランジスタ

インナップ。 ◆パルスレーダー用　RFパワートランジスタ パルスレーダー用トランジスタはパルス幅の長いものから短いものまで ラインナップしています。 ◆CW Microwave RFパワートランジスタ GHz帯連続波用途パワートランジスタのラインナップ。 ◆放送局向　RFパワートランジスタ TV放送用送信機に必要な高いリニアリティを実現し...（つづきを見る）

高耐圧　パワー　MOSFET　　ラインナップ　増加！ 　Nchシング…

ニコセミコンダクター（台湾）はMOSFET専業メーカで、従来の低・中耐圧クラス【～400V】程度からさらに耐圧を増やした　700V　の　パワー　MOSFET　をリリース。今後は既存の高耐圧製品のラインナップを日本市場へ投入していく。 最大1200V製品まで現在計画中。　　 ...NIKO Semiconductorは台湾のMOSFETメーカーです。 パソコンマザーボードでの搭載実績が多く...（つづきを見る）

インバータの高効率化・実装面積の低減に貢献。 高速trr／高耐圧MO…

SS(V)：500/600 ■ID(A)：8～46 ■RDS(on)Typ.(Ω)VGS=10V：0.075～0.72 ■trr[ns] Typ.：67～145 ■パッケージ：CPT（D-Pak）/TO-220FM/ LPTS（D2-Pak） /TO-3PF/TO-247 ...（つづきを見る）

低オン抵抗・低Qｇで大好評！「高速スイッチング・高耐圧MOSFETシリ…

■SOP8 ・PD(W)：2・Polarity：Nch・VDSS(V)：500・ID(A)：0.5 ・RDS(on) Typ.(Ω)VGS=10V：9 ■CPT3（D-Pak） ・PD(W)：40・Polarity：Nch・VDS...（つづきを見る）

パルスレーダー用RFパワートランジスタ

○パルスレーダー用トランジスタはパルス幅の長いものから短いものまで ラインナップしています。 《UHFレーダ用》 ・周波数：400 - 500MHz 米国ASI Semiconductor, Inc.（ASI）社は、RFパワートランジスタ、 高周波ダイオードのメーカーです。 半永久的に製造する数多くのオリジナル製品をはじめ、 他社製品からの置き換えを目的とした部品を手掛け...（つづきを見る）

CWマイクロウェーブ　RFパワートランジスタ

○GHz帯連続波用途パワートランジスタのラインナップです。 米国ASI Semiconductor, Inc.（ASI）社は、RFパワートランジスタ、 高周波ダイオードのメーカーです。 半永久的に製造する数多くのオリジナル製品をはじめ、 他社製品からの置き換えを目的とした部品を手掛けています。 具体的にはRFパワートランジスタはモトローラ、フィリップス、 STマイクロエレク...（つづきを見る）

放送局向け　RFパワートランジスタ

○TV放送用送信機に必要な高いリニアリティを実現しています。 　・FM放送用 周波数 ：108MHz 　・TV用 周波数 ：225MHz 　・TV用 周波数 ：860MHz 米国アドバンスドセミコンダクタ（ASI）社は、 RFパワートランジスタ、高周波ダイオードのメーカーです。 半永久的に製造する数多くのオリジナル製品をはじめ、 他社製品からの置き換えを目的とした部品を手...（つづきを見る）

パワーデバイスをあらゆる角度から徹底評価、検証します

■パワーデバイスの信頼性試験 ・パワーサイクル試験 　定電流600A　max.(Vce=10V) 　同時に熱抵抗測定も可能 ・180℃対応　液槽熱衝撃試験 　温度範囲　-65℃～150℃、-40℃～180℃ 　液媒体　Galden D02TS/D03 　試料かご...（つづきを見る）

1W出力の1μm帯広帯域光増幅器！SOAならではの高い安定性とスペクト…

【仕様】 ■GainBand (>30dB):1000nm～1085nm　（900nm帯域もございます） ■高出力：＞1W (800 mW with Isolator) ■ファイバー結合（狭帯域）：>70% ...（つづきを見る）

使用環境（温度、湿度、負荷）異常時においても性能を維持する頑強さ！

Microsemi社は、Silicon Carbide（シリコンカーバイド）チップを独自開発 しています。 ラインナップはMOSFET（700V、1200V、1700Vクラス）およびSCHOTTKY DIODE（650V、1200V、170...（つづきを見る）

Ｘ線リフローシミュレーター

対応機種　　　　：　Cheetah EVO に取付可能 加熱方式　　　　：　セラミックヒーター、熱風共用 設定温度　　　　：　MAX:400度 ユニット寸法　　：　650x510x140mm 対象製品サイズ　：　80x80...（つづきを見る）

計測制御用受光デバイス　 透明樹脂モールドタイプ・低暗電流

しています。 可視光線より短波長の領域ではV-A（315-380nm）のPDやLED、UV-B（280-315nm）の紫外線（UV）センサの開発を、一方の赤外線より長波長の領域では、近赤外線（Near Infrared）（1.0-2.5μm）のPDやLED、更には中赤外線（2.5-4μm）のフォトダイオードの開発も積極的に推し進め品揃えの充実を図っています。 詳しくはお問い合わせ、もしくはカ...（つづきを見る）

ウェアラブル機器に最適!超小型トランジスタパッケージ登場!

小信号トランジスタの基本性能を維持したまま世界最小のパッケージサイズを実現。さらなるセットの小型化のニーズに対応します。また、素子に新プロセスを採用することで、超小型トランジスタでは世界最高レベルの低オン抵抗を実現し、幅広い耐圧ラインアップも可能にしました。 【超小型トランジスタVML0604の特長】 ・世界最小で省スペース化に大きく貢献 ・端子間隔の確保により、実装性も良好 ・小型化...（つづきを見る）

ブリッジやダイアック&サイリスタなどの個別半導体を多数取扱い！

ド 　・ESD保護用ダイオード＆アレイ ■MOSFET 　・Super Junction [57] 　・Nチャンネル　他 ■Photocoupler 　・DC Input Phototransistor ■トランジスタ 　・NPNバイポーラトランジスタ 　・PNP バイポーラトランジスタ　他 ※詳しくはPDF(英語版）をダウンロードして頂くか、 　お気軽にお問い合わせ...（つづきを見る）

世界で初めてSiC-SBDとSiC-MOSFETを1パッケージ化。 …

■VDS [V]：1200 ■オン抵抗 (typ.)[mΩ]：80 ■ID [A]：40 ■PD [W]：262 ■ジャンクション温度 (Max.)[℃]：175 ■保存温度範囲[℃]：-55～＋175 ■パッケージ：TO-247...（つづきを見る）

高電流、高温に対応

サイリスタ、トライアック、MOSFET、IGBTなどのパワー半導体のテスト用ソケットです。...サイリスタ、トライアック、MOSFET、IGBTなどのパワー半導体のテスト用ソケットです。高電流、高温対応でTO-220,TO-3Pを含む多くのTOパッケージに使用できます。 定格電流：30A 使用温度範囲：-55～+150℃...（つづきを見る）

計測制御用受光デバイス　 可視光カットタイプ・気密パッケージ

しています。 可視光線より短波長の領域ではV-A（315-380nm）のPDやLED、UV-B（280-315nm）の紫外線（UV）センサの開発を、一方の赤外線より長波長の領域では、近赤外線（Near Infrared）（1.0-2.5μm）のPDやLED、更には中赤外線（2.5-4μm）のフォトダイオードの開発も積極的に推し進め品揃えの充実を図っています。 詳しくはお問い合わせ、もしくはカ...（つづきを見る）

計測制御用受光デバイス　 φ3セラミック エポキシ樹脂レンズパッケージ

しています。 可視光線より短波長の領域ではV-A（315-380nm）のPDやLED、UV-B（280-315nm）の紫外線（UV）センサの開発を、一方の赤外線より長波長の領域では、近赤外線（Near Infrared）（1.0-2.5μm）のPDやLED、更には中赤外線（2.5-4μm）のフォトダイオードの開発も積極的に推し進め品揃えの充実を図っています。 詳しくはお問い合わせ、もしくはカ...（つづきを見る）