ピコ秒（ps）分解能で長い時間差を作る／測る

PRT560 ディレイ／パルス発生器で時間差を作り、MCS8A マルチスト…

◆T560 ディレイ／パルス発生器 　・ディレイ時間とパルス幅が4チャンネル個別に指定でき、10ps刻みで最大10 秒まで設定可能 　・入出力遅延（インサーション・ディレイ）：21ns 　・最大トリガ・レート：16MHz ◆MCS8A マルチストップTDC/TOF 　・複数のイベントタイムを記録できる8入力のデジタイザ 　・STARTとSTOPの間の時間差を、80psの分解能で最大8....

メーカー・取り扱い企業： 大栄無線電機株式会社

防爆スポットクーラー　DGR-1A/3A-SP/SPS

PR産業安全技術協会（TIIS）検定合格品でゾーン１（第一類危険箇所）とゾ…

防爆スポットクーラーは、危険場所のうちゾーン１（第一類危険箇）とゾーン2（第二類危険箇所）で使えます。 電源は三相200V、単相100Vの2種類。 冷媒回路は内圧防爆構造、制御回路は耐圧防爆構造、ユニットの装置はすべて防爆構造。 装置下部にドレンタンクを装備。 オプションにて電源コードの長さの変更可能(標準3ｍ)本体の移動や固定に便利なキャスター・ストッパー付きです。 【特徴】 ○ゾーン１（第一...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社大同工業所 楠根工場

【分析事例】分子動力学計算を用いたアモルファスSiNx膜構造解析

シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です

アモルファスSiNx（a-SiNx）膜は、N/Si比などの組成変化によって半導体から絶縁体まで物性が大きく変化することから、トランジスタ用ゲート絶縁膜など幅広い用途で用いられています。一方、結晶性のないアモルファス構造の材...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】XPSによる単結晶Si表面のダメージ評価

高分解能測定と波形解析を利用してc-Siとa-Siの状態別定量が可能

うことがあります。その中で、単結晶Si表面に不活性元素のイオンを照射することで構造の損傷が生じ、アモルファス層が形成されることが知られています。 高分解能なXPSスペクトルではc(単結晶)-Siとa(アモルファス)-Siが異なったピーク形状で検出されることを利用して、この損傷由来のa-Siをc-Siと分離して定量評価した事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST