• MRI室対応 LED マグルミナンス<ITEM2024 出展> 製品画像

    MRI室対応 LED マグルミナンス<ITEM2024 出展>

    PR国際医用画像総合展(ITEM2024)に出展します MRI室対応LED…

    当社は、2024年4月12日(金)~14日(日)に開催される 「国際医用画像総合展 ITEM2024」に出展いたします。 【出展製品】 ・MRI室対応LED照明 マグルミナンス ・MRI室対応LED非常用照明 マグルミナンス ・高輝度LED照明 カテックス 他 ※PDFダウンロードよりご覧いただけます。 展示会の詳細は下記基本情報をご覧ください。...【展示会出展情報】 会期:2024年4月...

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    メーカー・取り扱い企業: 東京計器アビエーション株式会社 EMC営業部

  • USB/CANインターフェイス『Kvaser U100』 製品画像

    USB/CANインターフェイス『Kvaser U100』

    PR【納期1週間!】ガルバニック絶縁、IP67のシングルチャンネルCAN/…

    『Kvaser U100』は、進化する自動車開発市場のニーズに真正面から対応する 強化されたガルバニック絶縁を備えた堅牢なシングルチャネルCAN/CANFD-USBインターフェイスです。 独自の電気回路の保護を強化し、防振、耐衝撃、落下防止のハウジング、高品質の ケーブルを利用して、CANインターフェース設計の新しい基準を確立。 J1939、CANopen、NMEA2000R、SocketCA...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社Renas

  • InGaN/GaN量子ドットLEDシミュレータ 製品画像

    InGaN/GaN量子ドットLEDシミュレータ

    InGaN/GaN量子ドットLEDのデバイス解析ツール

    LEDデバイスを例に量子ドット(quantum dots)のモデルを解説。量子ドットサイズごとの発光スペクトル(EL spectrum)をシミュレーション。また、実験結果とも比較。量子輸送の有無によるI-V特性をシミュレーション、結果を比較。また、実験結果とも比較。量子効率の解析、比較。量子ドットの密度の違いによる量子効率や発光スペクトルを比較。また、量子ドット(quantum dots)と量子井...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • CADによるGaN LEDの設計ツール 製品画像

    CADによるGaN LEDの設計ツール

    コンピュータ支援設計(CAD)によるGaN材料を用いたLEDの設計ツー…

    クロスライトのCAD製品のデバイスシミュレーターでLEDデバイスを例に2D/3Dのシミュレーションを紹介。多重量子井戸(MQW)モデル、キャリア輸送モデル、光線追跡などの物理モデルや機能を用いて計算。分極の有無によるバンド、IQEドループ(IQE droop)をシミュレーション、分析。超格子(Super Lattice)のデザインについて紹介。InGaN LEDの典型的な2DシミュレーションやIT...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 有機LEDのシミュレータ 製品画像

    有機LEDのシミュレータ

    様々なタイプの有機LEDを例に計算のための物理モデルや解析

    クロスライトのデバイスシミュレーターAPSYS(アプシス)で様々な有機LED(Organic Light-Emitting Diodes)のシミュレーションを紹介。有機半導体(organic semiconductor)に対する量子移動拡散(quantum drift-diffusion)モデルと解析。3D光線追跡(3D ray-tracing)による光抽出(non-microcavity mod...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • クロスライトのLEDシミュレータ 製品画像

    クロスライトのLEDシミュレータ

    青色発光ダイオードにおける分極電荷の効果とデバイス構造最適化のための解…

    様々な物理モデル。(ウルツ鉱材料に応じた多重量子井戸(Multiple Quantum Wells)モデルに基づくk.p.理論。表面分極電荷(polarization surface charge)/自己無撞着モデル(self-consistent model)。量子井戸(quantum wells)または量子ドット(quantum dots)のための多体(Manybody)利得(gain)/自然...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • FDTDによるサファイア基板LEDのデバイスシミュレータ 製品画像

    FDTDによるサファイア基板LEDのデバイスシミュレータ

    2つの異なる表面構造を持つLEDのFDTD法解析ツール

    異なる表面形状を持った2種類のLEDデバイス構造をAPSYSでFDTD法を用いてシミュレーションし、角度に依存する発光強度分布が得られた。表面形状の違いが発光強度に反映。2Dと同じ方法で3D構造のFDTDシミュレーションが可能。...<主な特徴> ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア ■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能 ■シリコン、化合...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • GaN基板LEDの3D TCADシミュレータ 製品画像

    GaN基板LEDの3D TCADシミュレータ

    プロセス/デバイスシミュレーション統合環境(TCAD)でのLED 3D…

    プロセスシミュレーター(CSuprem)とデバイスシミュレーター(APSYS)を統合したTCADで多重量子井戸(MQW)構造LEDの解析を紹介。ポテンシャル、電流密度、温度とキャリア分布をシミュレートし結果を3Dで表示。デバイス断面構造の設定にはGUIインターフェイスを持ったLayerBuilder(標準付属)を使用。電極などレイアウトパターンは、GDSフォーマット対応の、MaskEdior(標準...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 表面構造を持つ多重量子井戸LEDの3Dデバイスシミュレータ 製品画像

    表面構造を持つ多重量子井戸LEDの3Dデバイスシミュレータ

    表面構造を持ったInGaN/GaN MQW LEDの3D解析ツール

    プロセスシミュレータCSupremで3D構造デバイスを構築。APSYSとFDTDの組合せによる表面構造(textured surface)のモデリング手順を紹介。電気特性と光学特性をAPSYSと3D光線追跡を用いて計算。(FDTDデータで3D光線追跡を行い光パワーを抽出)クロスライトソフトウェアのいくつかのモジュールを組合わせることで表面構造を持つLEDを正確に計算可能。...<主な特徴> ■半...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 蛍光体LED光線追跡シミュレータ 製品画像

    蛍光体LED光線追跡シミュレータ

    蛍光体をコーティングしたLEDの光線追跡シミュレーション解析ツール

    解析手順のテクニックを紹介。光線追跡を解析、得られた結果のプロットを表示。(LED出力の角度配布。黄色/赤色の蛍光体における、吸収されたパワー密度のプロファイル。全ての光出力のスペクトラム。)...<主な特徴> ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア ■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能 ■シリコン、化合物から成るデバイスの設計に用いること...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • ナノワイヤー/ナノチューブLEDの3Dデバイスシミュレータ 製品画像

    ナノワイヤー/ナノチューブLEDの3Dデバイスシミュレータ

    GaN基板のナノワイヤまたはナノチューブデバイスの数値解析ツール

    デバイスシミュレーター(APSYS)で、GaN基板のナノワイヤ(nanowire)やナノチューブ(nanotube)構造のLEDを効率よく解析。デバイスのモデリングとシミュレーション例を紹介。試験的に15,000メッシュポイント(mesh points)の量子井戸(quantum well)を1個有する単体のナノチューブ(single tube)を計算。典型的なI-V特性計算に、OS:Window...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 共振器型LEDのデバイスシミュレータ 製品画像

    共振器型LEDのデバイスシミュレータ

    RCLEDデバイスを例にクロスライトのデバイスモデリングと解析

    RCLEDの様々なタイプの解析例を紹介。(InGaAs/AlGaAs RCLEDを例に実験結果と比較。VCSELと似た構造をもちGaAs/AlGaAs材料の多重量子井戸(MQW)のRCLED。離調DBR(detuned DBR)を持つRCLED。長い共振器をもつRCLED)デバイスシミュレーターAPSYSはオールインワンの解析とデザインアプローチを可能にする。...<主な特徴> ■半導体デバイス...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • LED可視光シミュレータ『Iris』 製品画像

    LED可視光シミュレータ『Iris』

    対象セルを均一に照射!電力消費も大幅に抑えられるLED可視光シミュレー…

    『Iris』は、光源部の新設計の工学エンジンで、有効スペクトル帯域を カバーする複数の発光ダイオードの光を合成して、対象セルを均一に 照射できるLED可視光シミュレータです。 任意のスペクトル分布を発生できるため、太陽光照射環境のみならず、 室内照明下や特殊な照明条件を再現することができます。 さらに、高効率な電光変換により電力消費が大幅に抑えられることに加え、 熱線帯域の光の...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社セルシステム

  • LEDの多重量子障壁の有無比較ツール 製品画像

    LEDの多重量子障壁の有無比較ツール

    LEDの多重量子障壁の有無比較のためのツール

    多重量子障壁(MQB: Multiple Quantum Barriers)超格子(SL: superlattice)のトンネリングモデルを解説。超格子の有無をシミュレーション比較。(バンド図(band diagram)、L-I特性、内部量子効率(IQE)、電子リーク(electron leakage)など)多重量子障壁は電子のポテンシャルバリアを増加し電子リークをより効果的にブロック。...<主...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 【解析事例】産学連携によるLEDの放熱研究 製品画像

    【解析事例】産学連携によるLEDの放熱研究

    LED寿命を評価し、その寿命と照明装置のコストの両方を考慮した好適化が…

    北九州市立大学様が産学連携によるLEDの放熱研究に 「FloTHERM・FloTHERM XT」、『modeFRONTIER』をご活用いただいた事例を ご紹介いたします。 LEDは温度が10℃下がると、寿命が2倍になると言われることがあるように、 放熱性能とLED照明の寿命は密接に関連しています。 そこで、投光器の運用条件を考慮したLED寿命を評価し、その寿命と照明装置の コストの...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社IDAJ

  • ホットオージェ電子のリークのデバイスシミュレータ 製品画像

    ホットオージェ電子のリークのデバイスシミュレータ

    量子井戸でオージェ再結合に起因するリークの解析ツール

    LEDの効率の低下に関する様々なモデルをAPSYSは提供可能。(分極電荷(polarization charge)起因の量子井戸と障壁のポテンシャルひずみ。量子障壁(quantum barrier)とEBL(electron blocking layer)を越えるコールドキャリアリーク。ホットキャリア(hot carrier)起因の非局所輸送(non-local transport)。熱電子放出経...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 【FloTHERM 採用事例】自動車分野の電子機器熱設計 製品画像

    【FloTHERM 採用事例】自動車分野の電子機器熱設計

    FloTHERMで自動車1台まるごと熱解析~自動車分野の電子機器熱設計…

    電子機器専用の熱設計支援ツール『FloTHERM』を活用した、 自動車分野の電子機器熱設計事例をご紹介します。 自動車には、パワーコントロールユニットやLEDバックライトといった 多くの電子機器が搭載されています。 IGBT構造の熱設計と冷却手法の検討をはじめ、車載用インパネの熱設計や ECU基板の構想段階の熱設計などを行うことが可能です。 【事例】 ■IGBT構造の熱設...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社IDAJ

  • 高応力GaNデバイスの研究ツール 製品画像

    高応力GaNデバイスの研究ツール

    高応力GaNデバイスの研究ツール

    高応力(higly stressed)がかかるGaN多重量子井戸(MQW)の理論モデルを解説。クロスライトのデバイスシミュレーターでシリコン上に任意の結晶方向(crystal orientations)に成長したGaNデバイスLEDについて次のような結果を得ることが可能。シリコン基板からの張力(tensile)は多重量子井戸(MQW)のバンドギャップ(band gap)を減少し波長が長くなる。多重...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 半導体プロセス&デバイスシミュレータ「NovaTCAD」 製品画像

    半導体プロセス&デバイスシミュレータ「NovaTCAD」

    2D/3Dのプロセスシミュレータとデバイスシミュレータを統合したクロス…

    <主な特徴> ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア「APSYS」 ■Stanford大学開発のSUPREMをクロスライトが独自に機能拡張した「CSUPREM」 ■マスク編集ツール(GDSII可) ■デバイス断面構造の入力・編集ツール ■シミュレーション結果をグラフィカルに表示 <デバイスシミュレーションのための多様な物理モデルや機能> ■電流-電圧(I...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 照明装置の性能評価ソフト『照明Simulator CAD』 製品画像

    照明装置の性能評価ソフト『照明Simulator CAD』

    簡単操作で高精度シミュレーション!CADインポート対応!しかも低価格!

    『照明Simulator CAD』は、LEDなどを利用した各種照明装置の性能評価に最適な 光学シミュレーションソフトの最新版です。 誰でも使えるカンタンな操作性とリーズナブルな価格。 3D CADデータのインポートによる自由曲面の扱いや、ノンシーケンシャル光線追跡を実現。 様々な形状を持つ光学部品を利用した照明光学系を評価できます。 図面などのデータから照度・輝度・光度を設計ステップで評...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社ベストメディア

  • VCSELシミュレータ 製品画像

    VCSELシミュレータ

    垂直共振器面発光レーザの解析ツール

    PICS3D内臓のVCSELモジュールにおける自己無撞着モデルの概要。基本的なVCSELモデリングを解説。また、次のような特徴を紹介。自動VCSEL共振器デザインモジュール(VCSEL cavity design module)、光ポンプVCSEL(optically pumped VCSEL)、多横モードの計算(multi-lateral models calculation)、EIM(effe...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 量子カスケードレーザのシミュレータ 製品画像

    量子カスケードレーザのシミュレータ

    量子カスケードレーザの解析ツール

    サブバンド構造計算(subband structure calculation)により、発光波長(emission wavelength)やミニバンドアライメント(miniband alignment)などのQCL(quantum cascade laser)の基本的なデザインが可能。微視的なレート方程式モデル(microscopic rate equation model)は、ローカル電流(lo...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 量子ドットデバイスの3Dシミュレータ 製品画像

    量子ドットデバイスの3Dシミュレータ

    量子ドットデバイスの3次元解析ツール

    量子ドット(quantum dots)デバイスのモデリングは、微視的なモデルを構築・解析しその結果を巨視的なモデルに取りこむ手順を経る。微視モデルは様々な矩形や円柱状の3次元量子ドットが可能。ひずみ効果(strain effect)も考慮。GaN基板のウルツ鉱構造(wurtzite structure)も亜鉛鉱型結晶構造(zincblende structure)と同様に適用可能。巨視的なモデルに...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • シリコン基板太陽電池のモデリングとシミュレーション 製品画像

    シリコン基板太陽電池のモデリングとシミュレーション

    シリコン基板太陽電池のモデリングと解析ツール

    クロスライトの柔軟な材料データベースはSiやpoly Siの移動度(mobility)やライフタイム(lifetime)を不純物濃度(doping)や粒子サイズ(grain size)の関数として容易に作り込みが可能。プロセスシミュレーションと連携したデイ倍すシミュレーションが可能。Si RCC(rear-contacted cells)のシミュレーション結果は実験結果と一致。クロスライトの2D/...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • バンド内遷移トンネル効果の解析シミュレータ 製品画像

    バンド内遷移トンネル効果の解析シミュレータ

    ヘテロ接合に対するトンネル効果のモデルによる解析ツール

    量子トンネリング(quantum tunneling model)モデルは高ドーピングレベル(high doping level)においてキャリア輸送(carrier transport)への影響を無視できない。アルミ(Al)組成割合変化(composition grading)は、ポテンシャル障壁(potential barrier)の平坦化によって擬似的な量子トンネル効果(mimic quan...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 有機金属気相成長法による結晶成長シミュレータ 製品画像

    有機金属気相成長法による結晶成長シミュレータ

    化合物半導体の有機金属気相成長法の数値シミュレーション解析ツール

    有機金属気相成長法(MOCVD)のプロセスシミュレーターPROCOM(プロコム)の事例を紹介。PROCOMは、流体力学(fluid dynamics)や質量(mass transport)および熱輸送(heat transport)、さらに非平衡ガス-ガス(non-equilibrium gas-gas)または非平衡ガス-表面(non-equilibrium gas-surface)化学反応(ch...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • Siのひずみに対するQWモデルシミュレータ 製品画像

    Siのひずみに対するQWモデルシミュレータ

    ひずみ持ったMOSFETの量子井戸の解析ツール

    クロスライトの半古典的な量子サブバンド平均化バレー移動度モデル(semi-classical quantum subband valley-averaged mobility model)は、バレー分裂(valley splitting)と異方性(anisotropy)を考慮。平均化されたサブバンドの状態密度(density of states)と移動度(mobility)を用て量子補正(quan...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • アバランシェフォトダイオードのデバイスシミュレータ 製品画像

    アバランシェフォトダイオードのデバイスシミュレータ

    アバランシェフォトダイオードの解析ツール

    APD(Avalanche Photodiodes)のシミュレーションで利用されるAPSYSの物理モデルを紹介。(ドリフト拡散(drift-diffusion)と流体力学(hydrodynamic)モデル。衝突電離(impact ionization)と過剰雑音(excess noise)要因。共振状態(Resonant condition))また、APDデバイスのモデリングと解析結果について紹介...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 多接合太陽電池のシミュレータ 製品画像

    多接合太陽電池のシミュレータ

    多接合太陽電池のデバイス解析ツール

    化合物半導体の単接合(single-junction)と多接合(multi-junction)太陽電池の2D/3Dシミュレーションの実施例を紹介。非局在(Non Non-local)トンネル接合モデル(tunnel tunnel-junction model)を実験によって較正。太陽光スペクトラム(solar spectrum)をバイアスに用いて外部量子効率(external quantum ef...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • MOSFETにおける3Dシミュレーションの効果解析シミュレータ 製品画像

    MOSFETにおける3Dシミュレーションの効果解析シミュレータ

    MOSFETにおける3Dシミュレーション効果の解析ツール

    STI(shallow trench isolation)閉じ込めMOSにおいて、SiO2/Siインタフェース分離により、幅方向にドーパント拡散が起こる。HV(high voltage) MOSFETにとって、3D拡散(diffusion)と狭ゲート(narrow gate)サイドフィールドは閾値電圧Vthを幅を減らすかのように低い方へシフト。ナノMOSFETの典型的なプロセスフローでは、W>0....

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 量子井戸と量子ドット太陽電池のシミュレーション 製品画像

    量子井戸と量子ドット太陽電池のシミュレーション

    量子井戸(QW)と量子ドット(QD)構造の太陽電池の解析事例

    ミニバンドモデル(miniband model)をドリフトディフュージョン(drift-diffusion)理論の枠組みに取り入れることで量子井戸(Quantum Well)/量子ドット(Quantum Dot)太陽電池の有用性の実証例を紹介。ミニバンドの異なるエネルギーによって、コールドキャリア(cold carrier)とホットキャリア(hot carrier)ミニバンドが計算可能。2D量子井...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • レーザ照射コンタクト太陽電池シミュレータ 製品画像

    レーザ照射コンタクト太陽電池シミュレータ

    レーザ照射コンタクト太陽電池のデバイス解析ツール

    クロスライトのプロセスシミュレーターCSupremとデバイスシミュレータAPSYSを併用したレーザ照射コンタクト(Laser fired contact)のプロセスを例示。最終的にLFC(Laser fired contact)を構造に持つRCC(rear-contacted cells)デバイスをAPSYSに取込み、太陽電池性能のモデリングが成功。LFCを持つRCCデバイスの妥当な性能を示した。...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 結晶方位の影響を解析するシミュレータ 製品画像

    結晶方位の影響を解析するシミュレータ

    GaN基板デバイスの光特性に対する結晶方位の影響を解析するツール

    結晶方位(crystal orientation)と分極(polarization)について解説。任意の結晶方位での量子井戸(QW)を解析するためのk.p.法(k.p. method)など、結晶方位の影響を探るための物理モデルの紹介。異なる結晶方位での光利得(optical gain)、c-planeとm-planeでの結晶方位の影響の比較、有限要素シミュレーション(finite-element ...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 高耐圧AlGaN/GaN HEMTのモデリング 製品画像

    高耐圧AlGaN/GaN HEMTのモデリング

    高耐圧AlGaN/GaN HEMTのデバイス構造に関するデバイス解析ツ…

    マグネシウム層構造(magnesium layer structure)を持つ高いブレークダウン電圧(breakdown voltage)のAlGaN/GaN HEMTをシミュレーション。マグネシウム(Mg)層の長さおよびそのドーピング密度を最適化することで900Vのブレークダウン電圧を達成。(具体的にマグネシウム層の長さ、ドーピング密度と移動領域(drift region length)の長さを...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • ナノワイヤーMOSFETの非平衡グリーン関数計算シミュレータ 製品画像

    ナノワイヤーMOSFETの非平衡グリーン関数計算シミュレータ

    ナノワイヤーMOSFETの非平衡グリーン関数計算による解析ツール

    ナノワイヤーMOSFETを解析するための物理モデルの特徴を紹介。シミュレーション効率を最大限に引き出すために円柱座標系を使用。チャネル領域にはNEGF(Non-Equilibrium Green's Function)を使いその他の領域には通常の移動拡散(DD: drift-diffusion)を利用したハイブリッドなアプローチ。NEGFに量子とじこめと量子バリスティック電子輸送を含むサブバンドの...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 電界吸収変調器のシミュレータ 製品画像

    電界吸収変調器のシミュレータ

    電界吸収変調器の解析ツール

    フランツ・ケルディッシュ効果(Franz-Keldysh effect)を使って導波路型変調器(Waveguide modulator)をAPSYSによってシミュレート。多体(manybody)計算から得られた双極子行列要素で向上、実験結果に極めて一致。実験結果を再現するには自由電子理論(Free-carrier theory)だけでは不十分。電場(electric field)、吸収(absor...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 高輝度発光ダイオードデバイスシミュレータ 製品画像

    高輝度発光ダイオードデバイスシミュレータ

    高輝度発光ダイオード(SLED)の3次元モデリングツール

    グリーン関数(Green's function)理論に基づく理論モデルを解説。テストデバイスを用いて解析。(横モード(lateral mode)のプロファイル 利得(gain) バンド図(band diagram) 異なる注入におけるキャリア分布 空間的ホールバーニング(spatial hole burning) I-V特性(I-V curve) L-I(L-I curve) 自然発光の強度(am...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 高出力SCOWLレーザのシミュレータ 製品画像

    高出力SCOWLレーザのシミュレータ

    スラブ結合光導波路レーザの解析ツール

    クラマース・クローニヒの方程式を用いた屈折率変化のメカニズムの温度依存や自由電子/プラズマモデルが妥当な結果を与える。LASTIPはLASTIPはSCOWLタイプの高出力レーザーにおいて横モードの振舞いの正確な見積を提供する。長い共振器のようなさらに踏込んだ解析には、軸方向空間ホールバーニング(longitudinal spatial hole burning)と端面光ダメージ効果(facet o...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • タイプII型量子井戸受光素子のデバイスシミュレータ 製品画像

    タイプII型量子井戸受光素子のデバイスシミュレータ

    タイプII型量子井戸構造を持つ光受光素子の解析ツール

    適用可能なモデルと機能を紹介。(タイプ-II型量子井戸(Type-II MQW)の組を150対インプットコマンドでくくるテクニック。複合多重量子井戸(Complex MQW)光利得(optical gain)モデルからタイプ-II型量子井戸の光利得/光吸収スペクトルを求める。タイプ-II型量子井戸のバンドアライメント(band alignments)によって吸収スペクトルをデザイン。量子力学に基づ...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • CSupremを使った3次元MEMSシミュレータ 製品画像

    CSupremを使った3次元MEMSシミュレータ

    CSupremを使ったMEMSの3次元プロセス解析ツール

    CSupremはMEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)作成をただちに行えるシミュレータ。RFスイッチ(RF Switches)、電位計(Electrometer)、ポリシリコンMEMS(Polysilicon MEMS)、SOI MEMS、MT-VCSOAのプロセスシミュレーションを題材に実際の計算を例示。MEMS製造工程を正確に最適化、MEMS形成のシミュレ...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • シリコンICプロセスシミュレータ 製品画像

    シリコンICプロセスシミュレータ

    CSupremにおける物理モデル

    イオン注入(ion implantation), 蒸着(deposition)、エッチング(etching)、拡散(diffusion)、酸化(oxidation)に対する物理モデルをベースに様々な半導体構造の1次元、2次元および3次元のプロセスシミュレーションが可能。IC製造工程の研究開発コストをコントロールするのに欠くことのできない信頼のある正確なシミュレーションツール。デバイスシミュレーター...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • ナノサイズGaN HEMTのシミュレータ 製品画像

    ナノサイズGaN HEMTのシミュレータ

    GaN HEMTのデバイス解析ツール

    APSYSの電界効果トランジスタ(FET)デバイス解析に利用する物理モデルを説明。量子バリスティック電流輸送(Quantum ballistic current transport)モデルの紹介。APSYSによるGaN HEMTの非平衡グリーン関数法(NEGF: Non-Equilibrium Green's Function)と移動拡散方程式によるシミュレーション結果を比較。I-V特性の形状にお...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 高耐圧MOSFETの2/3次元シミュレータ 製品画像

    高耐圧MOSFETの2/3次元シミュレータ

    ハイボルテージMOSFETの2/3次元デバイス解析ツール

    ハイボルテージ(High Voltage) MOSFETを題材に2次元/3次元シミュレーションを紹介。内容:プロセスシミュレーターCSupremとデバイスシミュレーターAPSYSのモデルを概観、プロセスシミュレーションについて解説、300V LDMOSのブレークダウン(Breakdown)の解析、フローティングゲート(floating gates)の3次元シミュレーション、ハイブリッドIGBT(h...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • HEMTシミュレータ 製品画像

    HEMTシミュレータ

    HEMTシミュレーションにおける解析ツール

    「GaN/AlGaN HEMTにおける圧電分極(Piezoelectric charge)、核形成層(nucleation layer)と半絶縁トラップ(semi-insulating traps)」、「GaN/AlGaN HEMTにおけるホットキャリアトラップ(Hot Carrier Trapping)」、「InGaAs HEMTにおけるインパクトイオン化効果」の各課題を具体的なデバイスでシミュ...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 量子井戸型赤外線センサーのデバイスシミュレータ 製品画像

    量子井戸型赤外線センサーのデバイスシミュレータ

    量子井戸型赤外線センサーの自己無撞着モデルによる解析ツール

    クロスライトのAPSYSはQWIP(Quantum Well Infrared Photodetectors)デバイスの解析に対して総合的な物理モデルを提供可能。そしてモデルの妥当性は実験結果と比較して十分にリーズナブルである。移動拡散理論(drift-diffusion theory)に対する非局所的な量子補正はQWIPの性質における光電流(photo-carrier extraction)を説...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 多体エキシトン効果の解析シミュレータ 製品画像

    多体エキシトン効果の解析シミュレータ

    デバイスシミュレーションにおける多体効果、エキシトン効果および不均一広…

    多体効果(manybody effect)およびエキシトン(exciton effect)と不均一広がり効果(inhomogenous broadening effect)をデバイスシミュレーターに搭載。結果は文献で発表された理論と実験データに合致。クロスライトは新しい利得/吸収スペクトルモデル(gain/absorption spectrum model)を全てのユーザーに推奨。...<主な特徴...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 半導体の3次元シミュレータ 製品画像

    半導体の3次元シミュレータ

    半導体デバイスの3次元TCADシミュレーション解析ツール

    クロスライトの3次元TCADを構成する製品の特徴を紹介。実際の計算例にPower NPN BJT、Interconnect Metal Debiasing、Power LDMOS、CMOS Image Sensor、FINFETなどのデバイスをピックアップ。プロセスシミュレーターCSpuremによるデバイス作成、デバイスシミュレーターAPSYSによる電気的および光的特性の解析や熱解析を例示。......

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

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