ポータブル脳波・多点筋電計測装置「TMSi」

PRERP、運動時、睡眠時の計測に好適！バッテリ残量など、本体全面をLED…

『APEX』は、ERP、運動時、睡眠時の計測に好適な超小型24ch/32ch対応の 脳波計測装置です。 アナログ帯域はDCから350Hz。リファレンスチャンネルはカスタム可能です。 また、32ch/64chの脳波＆多点筋電対応のモバイルタイプの計測装置 「SAGA」もご用意しております。 【APEX仕様(抜粋)】 ■チャンネル数：24ch/32ch ■解像度：24bit ...

メーカー・取り扱い企業： ゼロシーセブン株式会社

USB/CANインターフェイス『Kvaser U100』

PR【納期1週間！】ガルバニック絶縁、IP67のシングルチャンネルCAN/…

『Kvaser U100』は、進化する自動車開発市場のニーズに真正面から対応する 強化されたガルバニック絶縁を備えた堅牢なシングルチャネルCAN/CANFD-USBインターフェイスです。 独自の電気回路の保護を強化し、防振、耐衝撃、落下防止のハウジング、高品質の ケーブルを利用して、CANインターフェース設計の新しい基準を確立。 J1939、CANopen、NMEA2000R、SocketCA...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社Renas

LEDウェハーUV照射器

ウェハー用ダイシングテープの硬化用途、UV-LED採用で安定長寿命

LED採用で安定長寿命。 6インチ、8インチウェハー対応。 12インチウェハー用製作可能。 照射器交換可能(365,385,395,405nm等)。 0～１００％調光可能。 窒素置換(N2パージ)機構採用によりＵＶ硬化時の酸素阻害を軽減。...●ウェハーＵＶ照射器です。 ●UV硬化の酸素阻害軽減の為N2パージ機構を採用 ●UV照射強度は、ボリュームツマミで調整可能(0～100％) ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテックシステム

SiCウェハー・SiCウエハー（６インチ/８インチ）

絶縁破壊電界強度はシリコンウェハーに対して約10倍！SiCウェハー・S…

『SiCウェハー・SiCウエハー』とは、電子部品を構成する材料であるウェハーの1種です。 SiCとは珪素と炭素の化合物である「炭化珪素」。 より高度な半導体デバイスを製造するために生み出された当製品は、 一般的なシリコンウェハーよりもはるかに優秀な特性を持っています。 また、電子が存在することのできない「バンドギャップ」がシリコンウェハーの約3倍！SiCウェハー・SiCウエハーの価...

メーカー・取り扱い企業： エムシーオー株式会社

高品質サファイアウエハ

成長した結晶の内部応力を低減することでウェーハの形状を強化し、独自の洗…

歩留まり向上、LEDの輝度向上、波長分布の狭小化に貢献します。高性能LEDの大量製造にはサファイア基盤が必須となっており、98%以上のLEDがサファイアを基に製造されております。サファイア材は物理的、化学的に優れた特性によって様々なハイテク分野に欠かせません。...6、8、10インチや超低転移ウエハなど各種ラインナップを取り揃えております。仕様の詳細についてはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 西華デジタルイメージ株式会社

マクロ検査用スポット照明 MSPA-10WA/MSPA-10DA

【デモ機貸出OK】透明・半透明な化合物半導体ウェハ検査や非透明シリコン…

スタンドとシャフトの組合せにより、フレキシブルなライティングを実現します。 標準搭載のズームレンズで検査条件に合わせた照射エリアでの目視検査が可能です。 ■透明・半透明な化合物半導体やウェハや非透明なシリコンウェハのマスク面上の欠陥検査、ガラスやレンズの傷検査の効率が大幅アップします。 ■照射角度や高さを任意に設定できコンパクトサイズも実現しました。 ■電球色LEDの採用によりハロゲン...

メーカー・取り扱い企業： ハヤシレピック株式会社 第1事業部

窒化ガリウム（GaN）、SiC（炭化ケイ素）ウェハー

当社は6インチSiC基板ウェーハ、6インチGaN-on-Si HEMT…

売れ筋商品：6インチGaN-on-Si HEMT RFエピウェーハ、6インチGaN-on-Si HEMT Dmodeパワーエピウェーハ 、6インチGaN-on-Si HEMT Emodeパワーエピウェーハ、6インチSiC基板ウェーハ、SiC基板ウェーハ（直径150mmのn型基板）など 研究開発実験用品に適しています 。コスパに優れています。...6インチGaN-on-Si HEMT RFエピウェ...

メーカー・取り扱い企業： インターケミ株式会社

平面形状測定装置『OptoFlat』

誰でも使える現場向きの使いやすさと、裏面反射キャンセルなどの高機能を両…

『OptoFlat』干渉計は、低コヒーレンス干渉原理を使用し、平面形状を裏面の影響を受けることなく簡単に測定することが可能です。LED光源のため電源ONで即時に測定可能な上、アライメント補助機構により、初めて干渉計を使う方でも操作が容易で即戦力として活躍します。 光学部品だけでなく、金属・セラミックス部品や金型の平面部など、幅広い用途でお使い頂けます。 ■裏面反射の低減（裏面キャンセル厚さ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社マブチ・エスアンドティー

Moモリブテン　シート＆ウエハ

Moモリブテンとその合金の超薄い高平面度製品加工

モリブテンMoとタングステンWは高密度、高融点、低熱膨張係数を持つ金属で、MoCu,WCu合金の割合により、最適な熱膨張係数素材をつくり、半導体LEDチップのヒートシンクとして応用されております。MoとＷその放射線遮蔽性は医療機器部品にも良く使われております。...LEDチップ用ヒートシンク高精度加工 Mo，MoCu，W，WCu材、 2,4,6inch、厚さ0.01mm～ 表面粗さ：Ra 0...

メーカー・取り扱い企業： ルータ株式会社

『蛍光体ウェハーマッピング装置 YB4』

測定範囲最大4インチ！高速、高密度でのマッピングが可能な装置

『蛍光体ウェハーマッピング装置 YB4』は、透過光源による、高速、 高密度で蛍光体材料のマッピング評価を行うことができる装置です。 100×100mmエリア、もしくは最大4インチの測定が可能で、 オプションでLED光源（447.5nm標準）切り替えもできます。 また、角度依存性（直角45°）や透過率測定も可能です。 【特長】 ■最大4インチの測定が可能 ■オプションでLE...

メーカー・取り扱い企業： ユアサエレクトロニクス株式会社

3インチ～12インチまで対応可能　「SOIウェーハ」

3インチ～12インチまで少量対応が可能です。 仕様により高抵抗基板・…

CZシリコンを使用したSOI以外にも、基板・デバイス層とも高抵抗FZシリコンを使用したSOIウェーハも対応可能です。 直径：3インチ～12インチ SOI層：2－200um程度（抵抗1万Ω以上など高抵抗対応可能） SiO2(酸化膜）層：0.5－2um程度(0.1-10umも対応可能） 支持基板：300-725um程度（直径によりますが抵抗1万Ω以上など高抵抗対応可能） ＊仕様によります...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エナテック 東京本社

プラズマ処理効果を「色で見える化」！セラミックタイプ

プラズマの処理強度や処理時間に応じて連続的に変色しますので、プラズマ処…

プラズマ処理効果の評価ツールとして、2014年の発売以来、 お客様の用途に応じてラインアップを拡充してきた「PLAZMARK(R)」。 このたびご要望の多かったウエハプロセス向け製品の第1弾として 『PLAZMARK(R) "ウエハ型" セラミックタイプ』が登場！ 電子デバイスのエッチングやアッシングなど、 ウエハプロセスの面内分布等の評価にご利用いただけます。 【特長】 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社サクラクレパス PI事業部

GaNウェーハ

パワーLSI用、高輝度LED用、高性能レーザー用に注目されています。

高品質(少ない結晶欠陥) パワーLSI用、高輝度LED用、高性能レーザー用に注目されています。...窒化ガリウム（GaN）は、非常に硬く、機械的に安定したワイド・バンドギャップ半導体です。より高い絶縁破壊強度、より速いスイッチング速度、より高い熱伝導率、より低いオン抵抗によって、GaNに基づくパワー・デバイスは、シリコン・ベースのデバイスよりも非常に優れています。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社豊港 半導体材料事業部

Wタングステンとその合金のウエハとシート

Wタングステンとその合金の超薄高精度加工

高融点レアメタルとその合金材料の精密加工 Mo，MoCu，W，WCu 高融点レアメタルは高融点、高密度、高耐腐食、耐磨耗性、十分な電気抵抗、低熱膨張率と良い熱伝統率、高放射線吸収性など独特な特性を持つ、医療、電子、半導体など、幅広い分野に応用されております。 ...LEDチップ用ヒートシンク高精度加工 Mo，MoCu，W，WCu材、 2,4,6inch、厚さ0.01mm～ 表面粗さ：Ra...

メーカー・取り扱い企業： ルータ株式会社

エピウェハ(半導体レーザ／VCSEL／PD／RCLEDなど)

半導体レーザ、VCSEL、PD、DBR 各種光半導体デバイスのエピウェ…

■MOCVDによる結晶成長(3/6インチウェハ) ■対応波長：650nm～1060nm、高出力／低出力タイプ ■半導体レーザ・VCSEL・RCLED・PD・DFB・DBR各種構造に対応...■MOCVDによる結晶成長また各種のデバイスプロセスも承ります ■カスタムウェハにも1枚から対応 【対応可能なエピウェハ種別(デバイス別)】 ・ファブリペロー型　半導体レーザ ・面発光半導体レー...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社オプトロンサイエンス

低融点はんだめっき（融点60~110℃）

融点60～110℃で調整可能なはんだめっきを開発！！

低耐熱性素材は実装時（リフロー）の熱により「歪み、位置ずれ、特性低下」の問題があります。 新開発した低融点はんだめっきでは実装対象素材の耐熱温度に合わせて、60～110℃の低い温度領域で融点を選択可能です。 これによりダメージ・変性レスで実装が可能になります。 ＜用途例＞ ・PZT（圧電素子）　 ・CdTe（テルル化カドミウム） ・樹脂素材（PET等） ・micro LED（...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社新菱 電子加工品部

【株式会社トリニティー】SiCウエハー

次世代パワー半導体　SiCウエハー

【次世代パワー半導体】 SiCウエハは従来のSiウエハより電力損失や熱の発生が少ない為、近年ではパワー半導体としての需要がますます高まっています。 大きな電圧、電流にも耐えられるため、EV自動車への搭載 や鉄道車両、冷蔵庫やLED電球等の身近なところにも活用されています。 【トリニティーでは】 トリニティーではSiCウエハを扱っております。複数メーカーから調達が可能でございます。また...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社トリニティー

半導体レーザ／RCLED用 エピウェハ

半導体レーザ及びRCLEDの2インチエピウェハ

■波長：635nm～1550nmに対応 ■2”エピウェハ ■半導体レーザ 635～690nm、780～980nm、1300～1550nm ■カスタムデザイン・DFB・DBR・RCLEDなど...■Union Optronics社は、1996年に台湾に最初に設立された半導体レーザのリーディングカンパニー ■MOCVDエピタキシウェハ・チッププロセス・パッケージング等の一貫した自社生産体制...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社オプトロンサイエンス

日本機能材料株式会社　会社案内

日本機能材料株式会社は、SiGeのエピタキシャル成長膜を提供します。

日本機能材料株式会社は、米国のローレンス半導体研究所(Lawrence Semiconductor Research Laboratory, inc.　略称LSRL) にエピタキシャル成長を依頼します。 日本機能材料株式会社はお客様とLSRLとの間の適切な橋渡しをします。 LSRLとの密接なやりとりにより仕様を纏めます。 IV族に関するどのようなエピでもまずご相談ください。 ご質問も遠慮な...

メーカー・取り扱い企業： 日本機能材料株式会社

『PLマッピング装置』

フルオートメーション化可能！充実したマッピングができる装置

『PLマッピング装置』は、LED/LD生産のための2,3,4インチウェハ のフォトルミネッセンスおよび膜厚マッピング測定を行う装置です。 自動XYステージ、オリジナルの多機能測定ソフトウェアにより 充実したマッピングが行えます。 また、ウェハ自動供給・収納機構の接続によりフルオートメーション化 が可能です。 【特長】 ■2,3,4インチウェハの測定が可能 ■オプションに...

メーカー・取り扱い企業： ユアサエレクトロニクス株式会社

洗浄装置　小型簡易枚葉式洗浄装置

低価格、しかも高性能なWet処理装置のことなら、弊社にお任せください。

株式会社ＭＴＫより、LED・半導体・MEMS製造用『Wet処理装置』のご案内です。...【特徴】 ○高プロセス性能（パーティクル数など） ○低価格 ○オゾン水、水素水などの機能水にも対応。 ○2流体ジェットなど物理洗浄にも対応。 ○2インチなど小口径にも対応します。 ●詳しくはお問い合せ、またはカタログをダウンロードしてください。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ＭＴＫ

ALD（アトミックレイヤーデポジション）　アプリケーション例

ALD（アトミックレイヤーデポジション）　アプリケーション例を写真付き…

当社では、フィンランド・Picosun社のALD成膜装置を取り扱っております。 ALD (アトミックレイヤーデポジション)は、既存のPVD, CVD,蒸着等の 成膜技術より、段差被覆性に優れ、膜厚が1原子層レベルで制御でき、 バリア性が高く膜質が良いなどの特長があります。 当資料では、アプリケーション例を写真でご紹介しています。 【アプリケーション例】 ■トレンチの成膜 ...

メーカー・取り扱い企業： PICOSUN JAPAN株式会社

GaAs Based Epi Wafer

化合物半導体エピタキシャル InP基板上にカスタム構造のMBE / …

2インチから6インチまでのGaAs基板にカスタム構造のMOCVDエピタキシャル成長を提供しています。 エピタキシャル構造設計、エピタキシャル材料、テスト分析など企業、大学、科学研究機関にGaAsエピタキシャル基板の全面的なサービスを提供しています...◆赤外線LD 波長範囲(808nm, 980nm and others in 800~1064nm) ◆垂直共振器面発光レーザ(VCS...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社GLORY 東京営業所

Moモリブテン Epi ウエハ

Moモリブテンとその合金の超薄い高平面度製品加工

モリブテンMoとタングステンWは高密度、高融点、低熱膨張係数を持つ金属で、MoCu,WCu合金の割合により、最適な熱膨張係数素材をつくり、半導体LEDチップのヒートシンクとして応用されております。MoとＷその放射線遮蔽性は医療機器部品にも良く使われております。...Moモリブテン Epi ウエハ Mo，MoCu，W，WCu材、 2,4,6inch、厚さ0.01mm～ 表面粗さ：Ra 0.01...

メーカー・取り扱い企業： ルータ株式会社