CNCパイプベンダー『YLM社製』　

PR3Dシミュレーションを標準装備、油圧シリンダではなくサーボ化しており精…

当社は、台湾台南市に拠点を置くYin Han Technology社の パイプベンダー「YLM」の正規代理店です。　 YLM社製パイプベンダー『CNCシリーズ』は、サーボでの後方加圧機能も 標準装備し、難易度の高い1D曲げも標準タイプで曲げられます。 また、ワーク形状が3Dで表示し、入力結果の確認が容易で入力ミスによる 形状間違い等を防止します。 加工事例については資料ダウンロ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社N.K.Y

スリムファンレスコンピュータ『DL3000N/DL3000NS』

PR小型・ファンレスで設置場所を選ばない！待望のSIMカード対応モデルもラ…

『DL3000N』は、エントリークラスながら装備が充実した 小型ファンレスモデルのコンピュータです。 インテル N100プロセッサーを搭載し、省電力で快適な動作性能を保有。 DisplayPort、HDMI、VGA、シリアルポートなど豊富なインターフェースを 備えています。 また、SIMカード対応モデル「DL3000NS」もラインアップし、無線LAN環境が ない場所など、今まで...

メーカー・取り扱い企業： 日本Shuttle株式会社 本社

トリビュート5Gドングル・無線ネットワークの評価解析サポート

お客様のローカル5G環境の構築および検証、導入に貢献致します。

は専用ドライバや設定を行わずにセットアップが可能な為、5Gを用いた開発の工数を抑えることが可能です。端末を5G化することにより、新たなソリューション/ビジネスを実現します。 ラズベリーパイ等のLinuxシステム端末にも対応しているため、パソコンだけでなく、組み込みシステムやサーバにも使用できます。 87.5 × 38.9 × 21 mmと超小型で軽量な為、携帯性に優れておりスマートグラスやA...

メーカー・取り扱い企業： 伯東株式会社 本社

「糞便理化学分析」有機酸、腐敗産物、胆汁酸、IgA等の受託分析

糞便中の理化学成分を分析／有機酸（短鎖脂肪酸）、腐敗産物、IgA、胆汁…

【分析対象】 〇有機酸分析 　酢酸、 プロピオン酸、 コハク酸、 乳酸、iso-酪酸、 iso-吉草酸、 n-酪酸、 n-吉草酸、 ギ酸 〇短鎖脂肪酸 　iso-酪酸、 iso-吉草酸、 n-吉草酸、 n-カプロン酸、プロピオン酸、 n-酪酸、酢酸 〇胆汁酸分析 　・非抱合型胆汁酸：14成分 コ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社テクノスルガ・ラボ

【分析事例】SiN膜中水素の結合状態別の定量

赤外吸収法によりSiN膜中のSi-H,N-Hを定量

SiN膜中のSi-H及びN-H濃度をFT-IR分析により求めることが可能です。SIMS等の分析でも、水素濃度を求めることは可能ですが、全水素濃度であり、Siと結合した水素及びNと結合した水素をそれぞれ求めることは出来ません。FT-IRではSi-H伸縮振動とN-H伸縮振動が別の位置にピークを持つため、それらのピークを利用して、それぞれの水素濃度を求めることが出来ます。 Si基板上SiN膜中のSi-...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】燃料電池等の窒素ドープカーボン材料窒素の置換位置評価

ケミカルシフトを利用して窒素の置換位置の同定や定量的な分離が可能です

燃料電池の電極触媒であるPtに替わる材料として、窒素（N）原子を導入したカーボン材料が注目を集めており、その触媒活性にはカーボン材料中に存在するNの置換位置が大きく関わっています。XPS分析では、Nの結合状態や置換位置の違いによりケミカルシフトが生じるN1sスペクトルの評価を行うことで、Nがどの位置のCと置換されたのかの同定や定量的な分離が可能です。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ABF-STEM観察によるGaNの極性評価

Csコレクタ付STEMにより原子レベルでの観察が可能です

パワーデバイス・光デバイスとして実用化されているGaNは六方晶ウルツ鉱構造をとり、c軸方向に結晶学的な非対称性（Ga極性とN極性）が存在します。Ga極性とN極性ではエピタキシャル膜の成長プロセスが異なるほか、結晶の表面物性・化学反応性も異なります。 本資料では、GaNの極性を環状明視野(ABF)-STEM観察により評価しました。その結果、Gaサイト・Nサイトの位置を特定することができ、視覚的にG...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

FIB-SEMによる半導体の拡散層観察

他手法より短納期！FIB-SEMによる形状観察と、拡散層観察の両方を実…

当社では、『FIB-SEMによる半導体の拡散層観察』を行っております。 FIB法による断面作製とSEM観察によって半導体の拡散層を可視化、 形状評価を行いました。 SEMのInlens 検出器によって内蔵電位の違いを可視化した事例では 内蔵電位によりN型とP型領域で発生する二次電子のエネルギーに差が発生。 それによって生まれる軌道の差をSEMの検出器で検出します。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

EBSDによる軟窒化化合物層の評価

軟窒化化合物層の相分布 の評価が可能です。

EBSD (Electron BackScatter Diffraction) は、 走査電子顕微鏡を用いた分析手法のひとつであり、 結晶試料に電子線を照射した際に発生する EBSD パターンを解析することで、結晶構造, 結晶...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社大同分析リサーチ

EELS分析手法による膜質評価

元素同定を行うEELS分析により、物質の結合状態の比較が可能です！

用するパラメータ：エネルギー損失電子 ■エネルギー分解能：1eV以下 ■長所：状態分析軽元素分析（Li,B） ■短所：広範囲の元素を同時分析が困難 ■測定時間：5s ■TEM試料厚：約50nm以下 <EDS> ■分析に使用するパラメータ：特性X線 ■エネルギー分解能：100eV前後 ■長所：全元素についての分析 ■短所：近接するエネルギーを持つ元素のピーク分離が困難 ■測定...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

クロスビームFIBによる断面観察

FIB加工をリアルタイムで観察しながら断面観察が可能です。

されるエレクトロニクス製品の構造解析を クロスビームFIBによる断面観察で行います。 １）FIB加工をリアルタイムで観察できるため目的の箇所を確実に捉えます。 ２）2つの二次電子検出器（In-Lens/チャンバーSE）により試料から様々な情報が得られます。 ３）加工用FIBと観察用低加速SEMを1つのチャンバーに集約し大気に曝すことなく観察。 ４）拡散層：PN界面の可視化が可能。N...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

【分析事例】半導体基板中軽元素の高感度分析

SIMS分析によりH, C, N, O, Fなどを1ppm以下まで評価…

他手法では評価が難しい半導体基板中のH,C,N,Oを1ppm(約5E16atoms/cm3)以下まで、Fを1ppb(約5E13atoms/cm3)以下の濃度まで検出可能です。実際のFZ-Si中における測定例（図1）とIII-V族半導体のバックグラウンドレベルを紹介します（表2）。III-V族半導体以外にも、金属膜・絶縁膜など各種材料で標準試料をとりえ揃えており、高感度な定量分析が可能です。半導体基...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

抗体分離と分離画分の糖鎖構造解析

分析項目はご要望に応じて組み合わせ可能！各種抗体の分析などにご活用くだ…

当社では、『抗体分離と分離画分の糖鎖構造解析』を行っております。 FcRIIIAカラムによる抗体分析、分取、質量分析によるN型糖鎖構造解析を 受託します。分析項目は、ご要望に応じてどの組み合わせでも可能です。 各種抗体の分析、抗体ロット間差分析、抗体産生細胞培養状態のモニタリング 等に活用いただけます。 【特長】 ■糖鎖構造（ADCC活性）の違いにより抗体を分離・分取 ■...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社東ソー分析センター

【分析事例】核融合炉用バナジュウム合金

低放射、高温強度、耐照射性！大同分析リサーチは新材料の開発をお手伝いも…

核融合炉用バナジュウム合金の製造についてご紹介します。 主成分はV-4Cr-4Ti。低放射、高温強度、耐照射性（耐中性子脆化）の 特長を有しており、EB,VAR溶解による極低O, N, C 溶製材で大型溶解による 世界標準試験材となっております。 大同分析リサーチは新材料の開発をお手伝いします。 お客様の目的に合わせた成分の提案も可能です。 【特長】 ■EB,VAR溶解に...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社大同分析リサーチ

ロックイン発熱解析法

ロックイン発熱解析法は、電流経路中の僅かな温度上昇を検出します

・IR-OBIRCH機能も合わせ持ち、発熱箇所特定後、IR-OBIRCH測定により、故障箇所をさらに絞り込むことができます。 ・赤外線を検出するため、エッチングによる開封作業や電極の除去を行うことなく、パッケージのまま電極除去なしに非破壊での故障箇所特定が可能です。 ・ロックイン信号を用いることにより高いS/Nで発熱箇所を特定でき、Slice ＆ Viewなど断面解析を行うことができます。.....

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】分子動力学計算を用いたアモルファスSiNx膜構造解析

シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です

アモルファスSiNx（a-SiNx）膜は、N/Si比などの組成変化によって半導体から絶縁体まで物性が大きく変化することから、トランジスタ用ゲート絶縁膜など幅広い用途で用いられています。一方、結晶性のないアモルファス構造の材料に対し、原子レベルのミクロな構造解析を行える実験手法は限られているため、シミュレーションによってさまざまな組成、密度を有したアモルファス構造を作成し、解析を行うことは有効なツー...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ワイドギャップ半導体β-Ga2O3のドーパント存在

ミクロな原子構造を計算シミュレーションによって評価可能

β-Ga2O3は広いバンドギャップを有し、優れた送電効率や低コスト化の面で次世代パワーデバイスや酸化物半導体の材料として期待されています。近年、β-Ga2O3はSiまたはSnのドーピングでn型化することが報告されています。本資料では、β-Ga2O3にSiもしくはSnをドープしたモデルに対して構造最適化計算を実施し、各ドーパントが結晶中でどのサイトを占有しやすいかを評価し...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】リチウムイオン二次電池内ガスの評価

電池内ガス成分の定性・定量

リチウムイオン二次電池の電解液は、充放電の繰り返し等で分解しガス化することが知られています。 GC-TCDやGC/MSを使用することで、分解したガス成分を高感度に検出することができます。 GC-TCDでは8成分(H2, O2, N2, CO, CH4, CO2, C2H4, C2H6)の組成比、GC/MSでは様々な分解物などを定性分析可能です。ラミネート型だけでなく、コイン型、角型のセル、さら...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SRAの濃度換算について

SRA：広がり抵抗測定法

抵抗（Ω）を測定する ２. 標準試料の測定より校正曲線＊）を作成し、それを用いて抵抗を比抵抗（Ω・cm）に換算するまた、必要に応じて体積補正による分布の補正を行う ＊)校正曲線は導電型(p型/n型)、および面方位によって異なります ３. 比抵抗とキャリア濃度の関係式＊）を用いてキャリア濃度(/cm3) を算出する...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】イメージセンサの拡散層形状評価

試料解体から測定まで一貫して対応します

本資料では、スマートフォン搭載のイメージセンサ拡散層に関して評価した事例をご紹介します。 半導体のp/n型を判定可能なSCM（走査型静電容量顕微鏡）を用い、拡散層がどのような分布となっているかを評価しました。今回、断面と平面のSCM結果を組み合わせることで、相補的かつ広範囲の情報が得られました。 S...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】有機薄膜太陽電池の断面観察

低加速電圧のSTEMを用いると有機膜のわずかな密度の違いが観えます

p型・n型材料の混合膜を使用するバルクへテロ接合型太陽電池では、高効率化のために膜内の材料の混合状態を適切に制御する必要があります。密度が低い膜（有機膜など）においては、TEM専用機を用いた高加速電圧(数百...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】高純度雰囲気下での前処理・測定

XPS：X線光電子分光法など

高純度不活性ガス雰囲気下で試料前処理、搬送、測定を行うことで表面酸化、水分吸着を抑えた評価が可能です。 ■適用例 ・半導体電極材料 　剥離面の評価等には二次汚染、酸化の影響を抑えて評価ができます。 ・有機EL材料 　開封から不活性ガス雰囲気下で作業を行うことで、材料の劣化を防ぎます。 ・Li等電池材料 　Li等N2雰囲気不可の場合はAr雰囲気で処理を行う等の対応も可能です。......

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】パワートランジスタ（DMOSFET）の拡散層評価

ゲート・ソース層・ボディ層の位置関係がわかります

市販パワートランジスタ(DMOSFET) について、ポリSi ゲートとn型ソース層およびp型ボディ層の形状・位置関係を調べました。 AFM像と重ねることでゲートとの位置関係も知ることができます。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［SXES］軟X線発光分光法

SXESは、物質から発光される軟X線を用いて化学結合状態を評価する手法…

の評価が可能 ・スペクトル形状は価電子帯における着目元素の部分状態密度を反映 ・X線吸収スペクトル（XAS）との同時測定によってバンド構造の評価も可能 ・バルクの情報が得られるため、表面近傍数nmの影響を受けにくい ・絶縁物に対しても帯電の影響を受けずに評価が可能 ・検出下限が低く（＜1atomic%）、微量成分であっても評価が可能...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

自動車用駆動モータの性能評価

自動車およびその周辺分野を含めた様々なニーズにお応えし、委託試験・研究…

モータダイナモでは，以下の様な性能評価が可能です． ●モータ・インバータ定格・最高出力 　・自動車などの加速性能，最高速度などに影響 ●モータ・インバータ効率 　・自動車などの航続距離・電力量消費率などに影響 ●モータの回転数-トルク特性（N-T特性） 　・指示値と実値，温度，効率，出力などをマップ形状で評価 ●設計と実機の性能評価 　・材料の特性をモータにした状態での性能評価...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人日本自動車研究所

［SSRM］走査型広がり抵抗顕微鏡法

ナノメートルレベルでの局所抵抗測定が可能

、空間分解能に依存しますが、キャリア濃度1016個/cm3以上に感度があります。 ・ナノメートルレベルでの局所抵抗測定が可能 ・半導体のドーパント濃度分布計測に有効 ・半導体の極性（p型/n型）の判定は不可 ・定量評価は不可...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［SCM］［SNDM］

キャリア分布を二次元的に可視化

を走査し、キャリア分布を二次元的に可視化する手 法です。 ・SCM：1015～1020cm-3, SNDM：1014～1020cm-3程度のキャリア濃度に感度がある ・半導体の極性（p型/n型）の識別が可能 ・キャリア濃度に相関した信号が得られるが、定量評価は不可 ・AFM像の取得も可能...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［XRD］X線回折法

XRDは、回折パターンから試料の結晶構造情報を得る手法です。

・結晶性物質の同定が可能 ・結晶子サイズの評価 (数nm～100nm)が可能 ・結晶化度の評価が可能 ・配向性の評価が可能 ・歪み量・応力の評価が可能 ・非破壊で分析が可能 保有装置の特徴 ・室温～1100℃までの加熱分析が可能 ・ビ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［SRA］広がり抵抗測定法

SRA：Spreading Resistance Analysis

SRAは測定試料を斜め研磨し、その研磨面に2探針を接触させ、広がり抵抗を測定する手法です。 SRP（Spreading Resistance Profiling）とも呼ばれます。 ・ 導電型(p型/n型)の判定が可能 ・ 深さ方向のキャリア濃度分布の評価が可能 ・ 濃度約1E12～2E20 /cm3の広...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SNDMおよびSMMによる拡散層評価

SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は素子の高集積化が可能であり、SiCデバイスへの応用展開も進められています。一方、SiCデバイスのドーパント活性化率には課題があり、出来栄え評価が重要となります。今回、SiC ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiN膜中の金属汚染評価

ICP-MSによる高感度分析

Siウエハ上のSiN膜（Si3N4）を溶解した溶液中には、着目している不純物金属元素以外に膜由来のSiマトリックスが含まれています。そのため、溶解した溶液そのものでは精度よく高感度分析ができません。 そこで、Siウエハ上のSiN膜を溶解後、別途処理を施すことでSiマトリックスの影響なくSiN膜中不純物金属元素の分析を可能としました。市販品のSiN膜付きSiウエハを用いてICP-MSによる高感度分...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

技術情報誌 202201-02 fsLA-ICP-MS

フェムト秒レーザーアブレーション－誘導結合プラズマ質量分析法は生体組織…

ホウ素薬剤の分布評価 ４．マウス脊髄中の鉄、亜鉛定量イメージング ５．まとめ 【図表】 図１　ICP-MSの構成 図２　fsLA-ICP-MSの構成 表１　fsLA-ICP-MS, NanoSIMS, TOF-SIMSの比較 図３　マウスがん組織のBNCT用ホウ素薬剤分布像 図４　FeおよびZnの脊髄用検量線 図５　マウス脊髄（腰髄）中のFe, Zn定量イメージング結果（n=3...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター

技術情報誌 201902-01 DPC-STEMを用いたポリマー

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

【要旨】 走査透過型電子顕微鏡（STEM）の測定手法の一つである微分位相コントラスト（DPC）-STEMは、微小部の電場を測定することが可能である。我々は、本手法をポリマーアロイに適用することで、従来の電子顕微鏡では観察が困難な相分離構造のコントラストが出現することを見いだした。 【目次】 １．はじめに ２．元素分析によるソフトマテリアルの可視化 ３．DPC-STEM法の適用 ４．おわ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター

【解析事例】肝細胞（ブタの肝臓）

×7.000 挿入写真 細胞膜（×100,000）で解析！細胞膜は幅約…

がほとんど肝細胞です。 その他毛細胆管（BC）や血管（HS）があり血管の中には血液細胞（EC,Kf）が みられます。 挿入写真は隣り合った細胞の細胞膜の拡大で、それぞれの細胞膜は 幅約7nmの2重構造であることが判ります。 また、肝細胞は一般的な細胞の構造と機能を解説する時に常に引き合いに 出されるくらい、典型的な細胞小器官を持っています。 【解析概要】 ■解析対象：...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社花市電子顕微鏡技術研究所

【次世代シーケンス解析事例】微生物ゲノムドラフト解析

取得した生リードをクオリティフィルタリング！ドラフトゲノム配列から遺伝…

研究分野の先生より、 新規海洋性プロテオバクテリアを提供いただき、解析した結果を ご紹介します。 次世代シーケンサー(MiSeq)を使用して、シーケンシング解析を行い、 paired-endリードを取得。 取得した生リードをクオリティフィルタリングした後、アセンブルを行い、 さらにドラフトゲノム配列から遺伝子を予測しました。 【事例概要】 ■生リード：7.3M pai...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ファスマック

【分析事例】糖鎖修飾タンパク質の特性解析（LC-TOFMS）

バイオ医薬品の開発・品質確認を効率的に進めることが可能です！

LC-TOFMS（液体クロマトグラフ飛行時間型質量分析）法は、 タンパク質の特性解析（分子量分析、ペプチドマップ、糖鎖分析など）に有用です。 IgG抗体の糖鎖（グリコフォーム・糖鎖付加位置）のLC-TOFMS法による分析・解析の事例をご紹介いたします。 ■分析試料　IgG抗体 ■分析方法　LC-TOFMS法 ■分析結果 ・グリコフォーム（糖鎖部分が異なるタンパク質）解析 分子...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社カネカテクノリサーチ 　　　　　　　　　　　　　　　本社、東京営業所、名古屋営業所、大阪分析センター、高砂分析センター

高深度代謝解析サービス

当社LC-MS/MSによる⾼感度、⾼選択性のあるターゲットメタボローム…

現性の検証がしたい」といったニーズにお応えいたします。 ご要望の際はお気軽に、お問い合わせください。 【ターゲット分析のメリット】 ■低濃度で検出できなかった代謝物質の高感度測定 ■n数を増やし、不確かさの検証 ■コストセーブ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： インフィニティ・ラボ株式会社

【分析事例】SiON膜の評価

膜厚1nm程度のSiON中Nの評価が可能

高感度なSIMS分析が得意とする低濃度領域に至るまで、SiON膜中Nの分布を深さ方向に評価し、N量（単位：atoms/cm2）を高い精度で評価が可能です（図1）。またNをatomic%へ変換(図2)、Nのフィッテングカーブ算出することができ、フィッティングによりNのピーク濃度・深さ・半値幅を算出(図3)することが可能です。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiCPlanerPowerMOSFETの拡散層評価

SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

SiC Planer Power MOSFETの断面を作製し、拡散層のp/n 極性分布をSCM（走査型静電容量顕微鏡法）で評価し、キャリア濃度分布をSMM（走査型マイクロ波顕微鏡法）で定性的に評価しました。 いず...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】有機EL素子の層構造評価

N2雰囲気下での切削加工で酸化劣化を防止

有機EL素子は大気中で劣化しやすいため、N2雰囲気下での加工が必要となります。有機EL素子について、切削加工をN2雰囲気中で行い、30分大気に放置したものと、大気に暴露しないものについてAlq3の測定結果を示します。大気に放置すると、Alq3に酸素がついたピークが強い傾向が見られます。N2雰囲気中では、Alq3の親イオンが強い傾向が見られます。 大気に暴露しないことで、より真の状態に近い結果が...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】XAFSによるGaNのイオン注入ダメージ評価

照射欠陥やアニールによる結晶性の回復を確認することが可能です

窒化ガリウムGaNは、熱伝導率が大きい点や高耐圧といった特性のため、LEDやパワーデバイスなどの材料として用いられます。その製造工程では、結晶欠陥の無い高品質なGaN結晶の作製が求められるため、イオン注入などによるダメージやその回復度合いの確認は重要な評価項目となっています。 本資料ではXAFSによってGaN基板へのイオン注入によるダメージを評価した事例をご紹介します。 GaN表面近傍における...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiCパワーMOS FET中ドーパント評価

イメージングSIMSにより、局在する元素の評価が可能

市販のSiCパワーMOS FETを解体し、素子パターンを含む20um角の領域で深さ0.5umまでイメージングSIMS測定を行い、ドーパント元素であるAl,N,Pの濃度分布を評価しました。 イメージングSIMS測定後のデータ処理から、試料面内に局在するAl,N,Pの深さ方向濃度分布を抽出した事例をご紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

接着剤のイソシアネート（NCO）量の測定【電位差自動滴定装置】

測定の概要や手順など！電位差滴定法を用いて測定した例についてご紹介

本接着剤のイソシアネート（NCO）量の測定法は、JIS K 6806に規格化 されています。試料とジ-n-ブチルアミンを混合して反応させ、残った ジ-n-ブチルアミンを塩酸標準液で中和滴定し、NCO量を求めます。 JIS K 6806ではブロモクレゾールグリーン指示薬を使用した目視法によって ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社HIRANUMA

sMIMによる半導体拡散層の解析

濃度の変化をCの変化として検出！dC／dV信号も取得でき、拡散層の解析…

酸化膜容量と空乏層容量からなり、 不純物濃度に依存して空乏層幅がかわることを利用して、 濃度の変化をCの変化として検出します。 【適用例】 ■sMIM-C：Si, SiC, GaN, InP, GaAs などの各種半導体素子の拡散層の 　　　　　可視化およびドーパント濃度の半定量評価 ■dC/dV：拡散層形状評価、p/n極性の判定、空乏層の可視化 ※詳しくはPDF資料をご覧...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

【事例紹介】Li-S電池用のグラフェン材料調査

『Materials Studio』はバッテリー特性計算ができます【事…

ラフェン上の金属原子のパターンに対して同様の計算を行い比較することで、 ポリスルフィドの硫黄数と吸着エネルギーの関係性などを比較しました ◎求められた物性値の考察 ・様々なLi2Sn/AMのPDOSとエネルギーを示しました ・調査した各種金属のうちCr、Fe、Mn、Cuが使用された場合にはポリスルフィドとCo-N4/graphene間には強い相互作用があること、 ポリスル...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ウェーブフロント 本社

【分析事例】SiCパワーMOSFETの活性層評価

活性層の形状とドーパントを評価

市販のSiCパワーMOS FET素子領域で拡散層分布を評価した事例をご紹介します。 SiC MOSFET製造プロセスでは、イオン注入と活性化熱処理、エピタキシャル層形成などによってチャネル形成します。活性層形成プロセスにおいて、TEM観察からデバイス構造を把握し、SCM測定からｐ型/ｎ型の断面の拡散層分布やエピタキシャル層、SIMS測定からドーパント元素（N,Al,P）の深さ濃度分布を評価しまし...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC Planer Power MOSの分析

SiCデバイスの拡散層構造を可視化できます（拡散層構造の高感度評価）

SNDM (走査型非線形誘電率顕微鏡)では半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化すること ができます。本手法は、従来から用いられているSCM（走査型静電容量顕微鏡）の機能を包括しており、 SCMでは評価が難しいSiCを代表とする次世代のパワーデ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST