• 連続離型性乾性離型剤フロロサーフ 微細成型用 ナノインプリント  製品画像

    連続離型性乾性離型剤フロロサーフ 微細成型用 ナノインプリント 

    PR連続離型性が高く、ナノレベルの表面形状やナノインプリントにも対応「フロ…

    焼き付けフッ素樹脂加工・シリコン離型剤を超える高性能フッ素系金型離型剤『フロロサーフ』をご紹介。 従来の離型剤では抜けない、連続離型性を向上させたい → そんな時に活躍します。 『フロロサーフ』はナノメータレベルの離型成分が母型表面に結合密着し、強力な非粘着性・潤滑性を金型表面に付与します。 精密複雑な形状の成形や粘着性の高い樹脂やエラストマー、割れやすい薄物の成形において、抜群の連...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社フロロテクノロジー

  • レンズ用表面形状測定機 MarSurf LD Aspheric 製品画像

    レンズ用表面形状測定機 MarSurf LD Aspheric

    PR非球面レンズの両面を一度に測定できる表面形状測定機。高精度&高速測定で…

    特許取得の独自構造によりレンズの表・裏を一度に測定出来る 表面形状測定機『MarSurf LD 130/260 Aspheric 2D/3D』 2024年4月 OPIE'24(株)マブチ エス アンド ティー ブースに実機を展示! レンズの表裏を変える必要がなく、セッティングの手間を削減できるほか、 高精度・高速測定が行えるため、測定作業の短縮に貢献。 また、0.5mNという低測定圧での測定が可...

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    メーカー・取り扱い企業: マール・ジャパン株式会社

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    レポート 20 nm HKMG Qualcomm

    Gobi MDM9235モデムのロジック詳細構造解析

    本レポートは、20nmノードQualcomm MDM9235モデムの詳細構造解析 (LDSA) です。 MDM9235は第4世代のQualcomm Gobi 9x35 シリーズモデムで、20nm CMOS プロセスを使...

    メーカー・取り扱い企業: テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)

  • Samsung21nm TLC NANDの波形解析レポート 製品画像

    Samsung21nm TLC NANDの波形解析レポート

    デバイス設計・開発の方へ!サムスン社のNANDフラッシュの分析レポート…

    集積回路・電子システム技術・特許解析大手のセミコンダクターインサイツジャパンより、Samsung社の64 Gbit 21 nmTLC NANDフラッシュの波形解析レポートのご紹介です。この波形解析は、デバイスがいくつかの異なる標準的な動作モードで動作している時の、重要な各信号の信号動作を説明するものです。解析した部品は、S...

    メーカー・取り扱い企業: テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)

  • レポート サムソンメモリーセルのプロセス比較レポート 製品画像

    レポート サムソンメモリーセルのプロセス比較レポート

    20nm class DRAMと0nm class 2Gb DDR3D…

    「Samsung 20nm class 3GB(6x4Gbit) LPDDR3」の構造解析を再構成したものです。 主な目的は20nm class DRAMとそれの一世代前の30nm class 2Gb DDR3 DRAM...

    メーカー・取り扱い企業: テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)

  • レポート Oracle SPARC T5マルチコアプロセッサー 製品画像

    レポート Oracle SPARC T5マルチコアプロセッサー

    TSMC 28nm HPプロセスで造られた構造解析レポートです

    「Oracle SPARC T5マルチコアプロセッサー」は、TSMC 28nm HPプロセスで造られた構造解析レポートです。 T5は3.6GHZクロックで動作する16コアSoCです。13メタル層(12 Cu, 1 Al)、high-K metal gate(HKMG)のTS...

    メーカー・取り扱い企業: テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)

  • EELS分析手法による膜質評価 製品画像

    EELS分析手法による膜質評価

    元素同定を行うEELS分析により、物質の結合状態の比較が可能です!

    用するパラメータ:エネルギー損失電子 ■エネルギー分解能:1eV以下 ■長所:状態分析軽元素分析(Li,B) ■短所:広範囲の元素を同時分析が困難 ■測定時間:5s ■TEM試料厚:約50nm以下 <EDS> ■分析に使用するパラメータ:特性X線 ■エネルギー分解能:100eV前後 ■長所:全元素についての分析 ■短所:近接するエネルギーを持つ元素のピーク分離が困難 ■測定時...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

  • 【AFM/AESオージェ電子分光装置】めっき部品の加熱影響評価 製品画像

    【AFM/AESオージェ電子分光装置】めっき部品の加熱影響評価

    AFM走査型プローブ顕微鏡/AESオージェ電子分光装置によりめっき部品…

    原子間力、摩擦力、静電気力などがあります。 また、大気中、真空中の様々な環境において測定ができ、導電性、絶縁性を問わず試料表面の観察が可能です。 AESオージェ電子分光装置では、材料の極表層(~5nm程度)の元素分析や深さ方向の濃度勾配を調査することが可能です。 この2つの分析装置を使い「めっき済みのコネクタ接点用ピン表面」の加熱影響調査を行いました。 ぜひPDF資料をご一読ください...

    メーカー・取り扱い企業: セイコーフューチャークリエーション株式会社

  • 超微⼩硬度計による材料評価 製品画像

    超微⼩硬度計による材料評価

    経年の品質管理にも役⽴つ!⾦属・⾼分⼦・セラミックス等の材料の超微⼩硬…

    ぼみの押し込み深さを直読し、 硬さを求めます。回復挙動における特性値を求めることも可能です。 【装置概要】 ■試験⼒レンジ0.4mN~1000mN 精度±0.02mN ■押し込みレンジ1nm(0.01μm)~700μm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

  • レポート アプリケーションプロセッサのロジック詳細構造解析 製品画像

    レポート アプリケーションプロセッサのロジック詳細構造解析

    Mediatek MT6592 オクタコア(8コア)の詳細構造解析です…

    ード セルラーモデム、デュアルバンド801.11n Wi-Fiなどをサポートしています。 MT6592は、8層メタル(7 Cu、1 Al)構造、high-kメタルゲート(HKMG)、ゲート長 28nmのTSMCによるHPM CMOSプロセスを使用して製造されています。 【特徴】 ○トランジスタのチャネルの結晶方向 <110> ○酸化ハフニウム(HfO2)素材のゲート絶縁膜 ○デュアル...

    メーカー・取り扱い企業: テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)

  • 競合他社の製品情報まるわかり!【製品解析サービス】 製品画像

    競合他社の製品情報まるわかり!【製品解析サービス】

    「コンペチタの新製品情報、技術力情報が欲しい」等のご要求はございません…

    アが担当していませんか? ぜひ当社へお任せください。優れた解析技術でお答えします。 【半導体製品】 ■シリコン半導体、化合物半導体 ■パワーデバイス、高周波デバイス、集積回路(~14nm)、  センシングデバイス、MEMS ■各種モジュール  (高周波モジュール、パワーモジュール、センサーモジュール) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社エルテック

  • レポート MDM9235モデムのロジック詳細構造解析 製品画像

    レポート MDM9235モデムのロジック詳細構造解析

    20 nm HKMG Qualcomm Gobiの詳細構造解析です。

    本レポートは、20 nm ノード QualcommMDM9235 モデムの詳細構造解析 (LDSA) です。 MDM9235 は第 4 世代の Qualcomm Gobi 9x35 シリーズモデムで、20 nm CMOS...

    メーカー・取り扱い企業: テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)

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