レンズ用表面形状測定機 MarSurf LD Aspheric

PR非球面レンズの両面を一度に測定できる表面形状測定機。高精度＆高速測定で…

特許取得の独自構造によりレンズの表・裏を一度に測定出来る 表面形状測定機『MarSurf LD 130/260 Aspheric 2D/3D』 2024年4月 OPIE'24(株)マブチ エス アンド ティー ブースに実機を展示！ レンズの表裏を変える必要がなく、セッティングの手間を削減できるほか、 高精度・高速測定が行えるため、測定作業の短縮に貢献。 また、0.5mNという低測定圧での測定が可...

メーカー・取り扱い企業： マール・ジャパン株式会社

無機防汚コーティング剤『エクセルピュア』による気化冷却効果

PR親水性による水膜形成で気化冷却を促進。空調室外機や屋根の散水冷却などに…

『エクセルピュア』は、アクリル、ポリカーボネート、PET、 ガラスなどの基材表面に超親水被膜を形成するコーティング剤です。 親水性により、被膜表面に付着した水分が薄い水膜を形成し、 水分の蒸発が促進されることで気化冷却効果が生まれ、 施工部分の冷却効率が改善されます。 ★PDFダウンロード”より、本製品のカタログのほか 　散水後の表面温度観察結果をまとめた資料をスグにご覧いただ...

メーカー・取り扱い企業： 中央自動車工業株式会社 営業開発部　営業推進グループ

【分析事例】透過EBSD法による30nm以下の結晶粒解析

EBSD：電子後方散乱回折法

薄片化した試料でEBSD分析を行うことにより、従来のバルク試料よりも高い空間分解能を得ることができます。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［FIB］集束イオンビーム加工

FIBは、数nm～数百nm径に集束したイオンビームのことで試料表面を走…

FIBは、数nm～数百nm径に集束したイオンビームのことで、試料表面を走査させることにより、特定領域を削ったり（スパッタ）、特定領域に炭素（C）・タングステン（W）・プラチナ（Pt）等を成膜することが可能です。また...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［SAXS］X線小角散乱法

・ナノスケールでの周期構造・配向性を評価可能

SAXSは、X線を物質に照射して散乱したX線のうち、2θ＜10°以下の低角領域に現れるものを測定し、物質の構造を評価する分析手法です。通常、数nm～数十nm程度の大きさの構造を評価できます。 ・ナノスケールでの周期構造・配向性の評価が可能 ・微粒子や材料中の空孔分布を評価することが可能 ・タンパク質など生体材料の評価が可能 ・サン...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［AES］オージェ電子分光法

試料表面（数nm程度の深さ）の元素の種類・存在量の評価

AESは、電子線照射により放出されるオージェ電子の運動エネルギー分布を測定し、試料表面（数nm程度の深さ）に存在する元素の種類・存在量に関する知見を得る手法です。 ・固体材料の表面（深さ数nm）の定性・定量が可能 ・微小領域（数十nm～サブミクロン程度）の定性・定量が可能 ・主成分...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［SIM］走査イオン顕微鏡法

高分解能（加速電圧30kV：4nm）でのSIM像観察が可能

・高分解能（加速電圧30kV：4nm）でのSIM像観察が可能 ・SEM像に比べてSIM像の方が極表面層の情報が得られる ・金属結晶粒観察が可能（Al, Cu等) ・分解能はSEM像より劣る（SIM：4nm, SEM：0.5nm）...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

EBSD分析（電子後方散乱回折法）

容易に広い領域の結晶情報を得ることが可能

の面方位の測定が可能 ・測定領域の配向測定が可能 ・結晶粒径観察が可能 ・双晶粒界（対応粒界）観察が可能 ・特定結晶方位の抽出が可能 ・隣接結晶粒の回転角の測定が可能 ・透過法により10nm以上のグレインを評価可能...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［XPS］X線光電子分光法

試料表面（数nm程度の深さ）の元素の種類、存在量、化学結合状態評価に有…

XPSは、Ｘ線照射により放出される光電子の運動エネルギー分布を測定し、試料表面（数nm程度の深さ）に存在する元素の種類・存在量・化学結合状態に関する知見を得る手法です。化学結合状態に関する知見が得られるため、別名ESCA : Electron Spectroscopy for Che...

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［TEM-EDX］エネルギー分散型X線分光法（TEM）

EDXは、分析対象領域に電子線照射した際に発生する特性X線の、エネルギ…

れます。 多くの場合、SEMまたはTEMに付属しており、本資料ではTEMに付属のEDXについて紹介します。 ・全元素範囲（B～U）の同時分析が可能（付属装置によりBeの検出も可） ・0.1nmφ～の細い電子線プローブで測定が可能 ・ドリフト補正機能を用いることで、面分析でサブnmの積層膜を分布像として識別可能 ・面分析では任意箇所のスペクトルの抽出や線分析の表示が可能...

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［UV-Vis］紫外可視分光法

UV-Visは波長ごとに分けた光を測定試料に照射し、試料を透過した光の…

定により、試料中の目的成分の定性・定量分析や、試料の波長特性の評価が可能です。 また、透過率測定では、試料中の成分に特有の透過特性を評価できます。 ・紫外～可視～近赤外領域（波長域約190nm～約3000nm）における吸収スペクトル・透過スペクトルの取得が可能。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

Arイオンミリング加工

機械研磨を行った後低加速Arイオンビームで仕上げ加工を行うことで厚さ5…

Arイオンミリング法とは、機械研磨を行った後、低加速Arイオンビームで仕上げ加工を行うことで厚さ50nm以下の透過電子顕微鏡用の薄膜試料を作製する加工法です。...

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【分析事例】ステンレス不動態皮膜の深さ方向状態評価と酸化膜厚評価

TOF-SIMSで無機物の分子情報を深さ方向に捉えることが可能

不具合の原因につながります。今回、TOF-SIMSを用いてステンレス表面の金属酸化膜の状態について分析した事例をご紹介します。TOF-SIMSでは酸化物状態として分子情報を高感度に得ることで、表面数nm～数十nmの酸化物の分布を得ることができ、イメージ分析によって空間的な分布を評価することが可能です。 測定法：TOF-SIMS 製品分野：製造装置・部品 分析目的：化学結合状態評価・組成分布評...

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【分析事例】酸化チタンアナターゼ型とルチル型の判別

TEM-EELSにより、微小領域の元素同定・化学状態分析が可能です

電子材料・触媒材料・紫外線吸収剤・光触媒などに用いられる酸化チタン（TiO2）には組成が同じで結晶構造の異なるアナターゼ型とルチル型が存在します。Si基板上に成膜した厚さ20nmの多結晶TiO2試料（写真1）について電子線プローブを約1nmΦ(FWHM)まで絞って測定を行いました。試料から取得したEELSスペクトルは、Ti, Oともにアナターゼ型TiO2の標準スペクトルと一...

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【分析事例】ウエハ表面の微小異物分析

加工無しで30nmサイズの組成分析が可能

AES分析は最表面から数nm深さまでの組成情報を得る手法であり、製造工程において表面に生じた汚染や異物の組成を調べる際に有効な分析です。基板などの母材の情報を検出することが少ないため、異物など異常箇所のみの情報を前処理加工など...

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［XRR］X線反射率法

XRR：X-ray Reflectivity

測定で得られた反射X線強度プロファイルをシミュレーション結果と比較し、シミュレーションパラメータを最適化することによって、試料の膜厚・密度を決定する手法です。 ・膜厚の評価が可能 （2～300nm 程度） ・密度の評価が可能 ・表面粗さの評価が可能（Rms = 5nm 以下） ・非破壊で分析が可能 ・約10×20mm の広い範囲の平均情報を得ることが可能...

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［SSRM］走査型広がり抵抗顕微鏡法

ナノメートルレベルでの局所抵抗測定が可能

して検出することになります。このような局所的な抵抗を広がり抵抗と呼びます。 ■ダイヤモンドコート探針 SSRM では、主に、ダイヤモンドコートされたシリコン製の探針を用います。この先端は数十nm 程度まで先鋭化されており、特に尖りの部分は数nmの鋭利さを持ちます。SSRMはこの微細な探針の直下のキャリアを検出するため、高分解能の計測が可能です。 ...

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［XRD］X線回折法

XRDは、回折パターンから試料の結晶構造情報を得る手法です。

・結晶性物質の同定が可能 ・結晶子サイズの評価 (数nm～100nm)が可能 ・結晶化度の評価が可能 ・配向性の評価が可能 ・歪み量・応力の評価が可能 ・非破壊で分析が可能 保有装置の特徴 ・室温～1100℃までの加熱分析が可能 ・ビー...

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ウルトラミクロトーム加工

ダイヤモンドナイフを用いてバルク試料を切削し、厚さ100nm以下の透過…

ウルトラミクロトーム加工とは、ダイヤモンドナイフを用いてバルク試料を切削し、厚さ100nm以下の透過電子顕微鏡用の超薄切片を作製する加工法です。イオンビームを用いた加工と異なり、大気中にて広範囲の切片を作製することができます。 室温では切削が困難な生体材料や柔らかい高分子材料も、凍結固...

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角度分解HAXPES測定

HAXPES：硬X線光電子分光法

HAXPESでは、試料表面から深い位置まで（～約50nm）の情報を得る事が可能です。さらに2次元検出器を用いた角度分解測定により、広い光電子取出角で取得したデータを、角度すなわち検出深さを変えた情報に分割することができます。これにより、非破壊でXPSより...

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絶対PL量子収率測定

絶対PL量子収率測定は、材料の発光効率を求める手法です。

測定は、材料に吸収された光（エネルギー）に対し、どのくらいの効率で発光が得られるか、つまり材料の発光効率を求める手法です。 ・分光器付きの励起光源を用いているため、様々な波長（約350～800nm）での励起が可能 ■MSTの特徴 ・装置は雰囲気制御下で管理されているため、薄膜サンプルについては酸素の影響を受けずに測定することが可能...

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［AFM］原子間力顕微鏡法

ナノスケールの凹凸形状を三次元的に計測

■使用する探針 シリコン単結晶ウエハを加工して作られた鋭い探針で試料表面を走査します。先端径は10nm未満にまで加工されています。 ■タッピングモード タッピングモードは、探針を約300kHzの高周波で強制振動させ、試料表面を走査します。 走査の過程で、探針が試料表面に近づくと探針の振動振...

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［UPS］紫外光電子分光法

試料表面の組成の定性・定量や仕事関数評価に

UPSは、紫外光照射により放出される電子の運動エネルギー分布を測定し、試料極表面（数nm程度以下）の価電子状態に関する知見を得る手法です。その一方で、高いエネルギー分解能を利用して各種金属材料の仕事関数評価にも用いられています。 XPS分析と併せて測定が可能なため、試料表面組成の...

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【分析事例】Si-IGBTチップのキャリア濃度分布評価

フィールドストップ層およびライフタイムキラーのSRA評価

SRAでは、キャリアの深さ方向濃度分布を浅い領域（数100nm）から深い領域（数100μm）までの幅広いレンジで分析が可能です。また、試料表面や指定深さにおける抵抗値の面内分布評価も可能です。 一例として、市販品のSi-IGBTチップを解体し、チップ全体/フ...

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【分析事例】化合物へテロ接合界面歪の可視化

FFTM法による格子像解析

す。FFＴＭ解析により、(1)画像のx, ｙ方向の格子歪みの解析、(2)結晶面方向の格子歪みの解析、(3)結晶面間隔分布、結晶面方位分布の解析、(4)データ分布のヒストグラム表示、(5)空間分解能5nmで0.5%の歪の検出、が可能です。 化合物ヘテロ接合多層膜試料に適用した例を示します。...

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【分析事例】XPSにおける吸着酸素の影響

XPS： X線光電子分光法

XPSは試料表面(数nm程度の深さ)の組成・結合状態に関する知見を得る手法ですが、イオン照射によるスパッタエッチングを組み合わせることで、試料内部や深さ方向分布の評価も可能です。 但し、スパッタエッチングを伴う評価ではX...

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【分析事例】リチウム二次電池負極表面の劣化評価

大気非暴露で前処理から測定・観察まで行います

容量低下が見られるリチウムイオン二次電池負極表面を大気非暴露で評価した結果、100～200nm程度のCoを含む付着層が確認され、Coは金属状態であることがわかりました。 適用可能な手法観察手法：FIB‐TEM, SEM 表面分析：SIMS,XPS,AES,TOF‐SIMS その他構造評...

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【分析事例】XAFSによるシリコン酸化膜評価

シリコン周囲の局所構造解析、中間酸化物の定量、バルク・界面の評価

ウムイオン二次電池の負極材料として広く利用されていますが、中間酸化物の有無や界面での結合状態がデバイス特性に大きな影響を与えることが知られています。 放射光を用いたXAFS測定では試料表面から数十nmの深さの情報を検出するため、非破壊でバルク・界面における構造および結合状態を解析することが可能です。 本資料ではXAFSを用いてシリコン酸化膜の中間酸化物の有無を調査した事例を紹介します。...

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【分析事例】多元系金属微粒子の結晶構造観察

InGaZnO4粒子の超高分解能STEM観察

Csコレクタ（球面収差補正機能）付きSTEM装置により、超高分解能観察（分解能0.10nm）が可能となりました。原子量に敏感なHAADF※-STEM像は多元系結晶構造を直接理解できる有効なツールです。今回、酸化物半導体中微粒子の評価を行いましたので紹介します。異種材料界面・化合物界面の原...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Si自然酸化膜の膜厚評価

光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり

シリコンウエハ上の自然酸化膜・シリコン酸窒化薄膜など厚さ数nm以下の極薄膜について、XPS分析によって膜厚を算出した事例をご紹介します。Siウエハ最表面のSi2pスペクトルを測定し、得られたスペクトルの波形解析を行うことにより、各結合状態の存在割合を求め、この...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Siウエハの保管状態による表面汚染評価

フッ酸処理で酸化膜を除去したSiウエハの汚染・酸化の評価

試料搬送時の汚染及び酸化の影響についての知見は、検出深さがnmオーダーの表面分析において重要です。そこで、保管方法の違いによる汚染･酸化の影響をSiウエハにおいて検討致しました。 薬包紙・アルミホイル保管では、一般的に見られる二次汚染による有機物のピークは弱...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】アイシャドウ成分の元素分析

ナノオーダーの形態観察・元素分析が可能

透過型電子顕微鏡（TEM）はμm～nmオーダーの形態観察・元素分析が可能です。 アイシャドウは固体粒子の集まりなので、そのままTEMによる分析を行いました。 TEM観察後、視野内の特定箇所についてEDX分析を行い、構成元素から材料を...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［SXES］軟X線発光分光法

SXESは、物質から発光される軟X線を用いて化学結合状態を評価する手法…

の評価が可能 ・スペクトル形状は価電子帯における着目元素の部分状態密度を反映 ・X線吸収スペクトル（XAS）との同時測定によってバンド構造の評価も可能 ・バルクの情報が得られるため、表面近傍数nmの影響を受けにくい ・絶縁物に対しても帯電の影響を受けずに評価が可能 ・検出下限が低く（＜1atomic%）、微量成分であっても評価が可能...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】球面収差補正機能

TEM：透過電子顕微鏡法

球面収差補正機能(=Csコレクタ)つきSTEM装置では、原子レベルでの高分解能観察･高感度分析が可能です。分解能は約0.10nmです。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［SIMS］二次イオン質量分析法

二次イオンを検出し、各質量における検出量を測定することで、試料中に含ま…

・高感度（ppb～ppm） ・HからUまでの全元素の分析が可能 ・検出濃度範囲が広い（主成分元素から極微量不純物まで） ・標準試料を用いて定量分析が可能 ・深さ方向分析が可能 ・数～数十nmの深さ方向分解能での評価が可能 ・数μm角までの微小領域の測定が可能 ・同位体分析が可能 ・破壊分析...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

白色干渉計測法

非接触・非破壊で3次元測定可能

三次元測定が可能な装置です。 ・高輝度白色光源を用いた表面形状測定装置 ・非接触・非破壊で三次元測定が可能 ・広い視野（50μm×70μm ～ 5mm× 7mm） ・高垂直分解能（0.1nm） ・広いダイナミックレンジ（＜150μm）...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

[TEM ED-Map]TEM電子回折マッピング法

TEMの電子回折を利用して、結晶性試料の方位分布解析を行う手法です。

apping）-TEM法とも呼ばれます。 結晶粒径解析が可能 測定領域の配向測定が可能 双晶粒界（対応粒界）の観察が可能 特定結晶方位の抽出が可能 隣接結晶粒の回転角の測定が可能 数nm以上の結晶粒を評価可能 ...

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【分析事例】角度分解XPS（ARXPS）による極薄膜組成分布評価

基板上の極薄膜についてデプスプロファイルを評価可能です

スプロファイルを評価する手法です。従来のArイオンスパッタを用いた方法と比較すると、深さ方向分解能が向上し、かつ選択スパッタやミキシングによる組成変化が無いといったメリットがあり、基板上の極薄膜（数nm程度）のデプスプロファイル評価に有効です。 本資料ではSi基板上のSiN膜について、膜中の組成分布評価を行った事例をご紹介します。...

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【分析事例】AESによるボンディング界面の元素分析

加工を併用することで界面の元素分析が可能

AES分析は最表面（～深さ数nm）の組成情報や元素分布を得る手法ですが、断面加工を併用することで、層構造内や構造界面でも同様の情報を得ることができます。合金層や元素拡散・偏析等の評価が可能であるため、デバイスの故障解析や不具合調査...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ZnO膜表面の形状観察

広域の表面形状観察が可能

走査型白色干渉計（光干渉計）は、試料の表面形状を「高い垂直(Z)分解能(0.1nm)と広い(X-Y)測定視野(50μm～4.2mm)」で高精度に、非接触3次元測定を行うことが可能です。4.2mm×4.2mmの視野まで測定可能です。...

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【分析事例】AES分析による積層試料の割断面評価

割断サンプルで50nm薄膜を可視化

AES分析は最表面から数nm深さまでの組成情報を得る手法ですが、試料の断面からAES測定を行って元素分布像を得ることで、層構造を明瞭に評価することが可能です。積層構造の評価やトレンチやホールの内壁の元素分析に加え、機械加工やイ...

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【分析事例】クロスハッチパターンの形状観察

高い垂直方向分解能で小さな凹凸を可視化可能

走査型白色干渉計（光干渉計）は、試料の表面形状を「高い垂直(Z)分解能(0.1nm)と広い(X-Y)測定視野(50μm～4.2mm)」で、高精度に非接触3次元測定を行うことが可能です。Si/SiGe積層試料表面（クロスハッチパターン）の形状観察の事例を紹介します。 平均粗さ(R...

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【分析事例】ステンレス不動態皮膜の深さ方向状態評価

波形解析・Arスパッタによる結合状態の深さ方向分布評価

成分（金属と結合している成分）などの結合状態の評価が可能です。また、アルゴンイオンスパッタリングを併用することにより、深さ方向の結合状態の評価も可能です。 ※ ステンレス表面の不動態皮膜（厚さ数十nm～数百nm程度）について、上記測定を行った結果、（1）表面側にFe酸化成分が多い、（2）Cr酸化成分がFe酸化層の下側に存在、（3）Ni酸化成分はほとんど存在していないことがわかりました。 ※スパ...

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【分析事例】シリコン(Si)酸化膜の状態評価

TOF-SIMSで無機物の分子情報を深さ方向に捉えることが可能

化物・炭化物・合金・金属など無機物の化学状態の区別が可能、（3）微量な状態の評価が可能、（4）OHのモニターが可能、（5）相対的なサンプル間の比較（膜厚・組成）が可能、（6）イメージ分析により表面数nm程度について状態の分布を視覚的に捕らえた評価が可能です。 自然酸化膜と酸化膜の結果をまとめます。 測定法：TOF-SIMS 製品分野：LSI・メモリ 分析目的：化学結合状態評価・組成分布評価...

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【分析事例】AES・SEM-EDXによるCu表面変色部の評価

SEM観察を行いながら検出深さの浅い元素分析が可能

金属表面の変色や異物の簡便的な調査にはSEM-EDX分析やAES分析が適していますが、変色や異物が薄い・小さい場合は、表面のごく浅い領域（4～5nm程度）の情報が得られるAES分析が有効です。 MST保有のAES装置はSEM像を取得できるため、SEM像で着目箇所の確認をしながらAES分析を行うことが可能です。本事例では、Cu表面に存在する変色...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】固体高分子燃料電池　触媒材料の形態観察・成分分析

SEM・STEM・EDXによる触媒粒子の評価

燃料電池の電極は、カーボンに触媒であるPt粒子またはPt合金（PtRu等)粒子が担持されています。この触媒粒子は数nmと微細構造のため、形態観察、組成分析にはSEMやTEM分析が用いられています。 初期状態での評価の他に通電後の劣化として合金組成の変調、Ruの溶出、触媒粒子径の増大が報告されていますが、これらの評...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】極薄SiON膜の組成・膜厚評価

光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり

シリコンウエハ上の自然酸化膜・シリコン酸窒化薄膜など、厚さ数nm以下の極薄膜について、サンプル最表面のSi2pスペクトルを測定します。得られたスペクトルの波形解析を行うことにより、各結合状態の存在割合を求め、この結果と光電子の平均自由行程から膜厚を見積もります（...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST