• 高機能フェライト粉『真球状ナノフェライト粉』 製品画像

    PR磁性インク、磁性流体、各種電子部品等に!酸化しにくく保管も容易なフェラ…

    パウダーテックの『真球状ナノフェライト粉』は、 平均粒径が20~1000nm程度の真球状のナノ(超微粒)フェライト粉です。 分散性に優れており、磁性インク、磁性流体などに使用可能です。 また、各種電子部品への利用も期待されます。 ナノ~サブミクロンサイズであるにもかかわらず酸化しにくいので、 保管も容易。各種溶媒に分散した分散液タイプもあります。 【特長】 ■平均粒径20...(つづきを見る

  • 金型離型剤『フロロサーフ FG-5093シリーズ』 製品画像

    PR圧倒的な離型性。刷毛・スプレーで塗布が簡単。膜厚はわずか数nm、再塗布…

    『フロロサーフ FG-5093』は、特殊なフッ素樹脂を 不燃性のフッ素系溶剤に溶解させた金型離型剤です。 塗布することで、表面の成形樹脂の付着力が低減され、 複雑・精密な形状でも抜群の離型性を発揮します。 持続性に優れ、数千ショットに及ぶ連続離型の実績があるほか、 刷毛・スプレー等で再塗布すれば性能が再び復活します。 【特長】 ■型素材に反応して強力に密着し、連続離型が可...(つづきを見る

  • 10Gb/s 1310nm DFBレーザダイオード 製品画像カタログあり

    10Gb/s 1310nm DFBレーザダイオード – LC TOSA

    STM64 FEC, 10GFC, 10G GbE, 10G GbE FEC and 10GFC FECなどの光通信システム向けにデザインされたDFBレーザです。 IN10Gb/s 1310nm PIN+Preamp – LC ROSA『型番:PIN-1310-10LR-LC』とペアで提案します。 <特長> ビットレート:9.95 to 10.5Gb/s 拡張温度動作:-5 ...(つづきを見る

  • 650nm ピンフォトダイオード(650nm Pin PD) 製品画像

    アクティブエリア3.6 mm²の650nm Pin Photo Dio…

    Features • 1.9 mm x 1.9 mm active area • opt. band pass filter 640-680 nm • Low dark current • Fast response time...(つづきを見る

  • 面発光レーザー VCSEL  通信用 高速10Gbs 680nm 製品画像カタログあり

    ハイスピード!面発光レーザーのパイオニア企業 波長680nmの赤色VC…

    赤色面発光レーザーVCSELのパイオニア企業、Vixar社の 製品です。 波長680nm マルチモード 高速通信用の面発光レーザーです。 【特長】  ●速さ10Gbs以上、高速通信に適しています。  ●ビーム広がり角が小さく、ビームが絞りやすい製品です。  ●駆動電流が小さ...(つづきを見る

  • 10Gb/s 1310nm PIN+PreAmp 製品画像カタログあり

    10Gb/s 1310nm PIN+PreAmp – LC ROSA

    PIN-1310-10LR-LCは1310nm帯で最大11.3Gbpsデータレートまでサポートするためのトランスインピーダンスアンプ(TIA)内蔵型のInGaAs PINフォトディテクタになります。 <特長> データレート:up to ...(つづきを見る

  • 4Gb/s 1310nm FP Laser Diode 製品画像カタログあり

    4Gb/s 1310nm FP Laser Diode – LC TO…

    『FP-1310-4I-LCx』はMOCVD法による1310nm帯InAlGaAsリッジレーダイオードになります。 データレート4Gb/sまでのデータコムやテレコム用途の光源として適当です。...(つづきを見る

  • 850nm VCSEL  KLD085VC 製品画像カタログあり

    4Gbpsまでのデータレート送信システム

    VCSEL( Vertical Cavity Surface Emitting Laser Diode:垂直共振器型面発光レーザ)は、短距離間の高速データ通信システム光源として最適です。 850nm VCSEL  KLD085VCは、4GHz までの変調信号に対応します。 詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをダウンロードしてください。...(つづきを見る

  • 445nmレーザダイオード 製品画像

    標準品*オンラインで購入可能【レーザダイオード】

    445nmレーザダイオード Photonicland HPより簡単にご注文いただけます。 お問い合わせフォーム、またはリンクページよりご注文ください。...(つづきを見る

  • 50GHz 1310nm/1550nm高速フォトディテクタ 製品画像カタログあり

    50GHz 1310nm/1550nm高速フォトディテクタ

    trical 3 dB bandwidth  Excellent flat response within 3 dB bandwidth  Support of 1310 and 1550nm  Well matched 50 Ω output  Unique on-chip integrated bias network...(つづきを見る

  • 5Gb/s 1310nm FP Laser Diode 製品画像カタログあり

    5Gb/s 1310nm FP Laser Diode – Pigta…

    『FP-1310-5I-xxx』はMOCVD法による1310nm帯InAlGaAsリッジレーダイオードになります。 データレート5Gb/sまでのデータコムやテレコム用途の光源として適当です。...(つづきを見る

  • シリコンフォトダイオード 製品画像

    シリコンフォトダイオード

    .8mmx0.8mm, 1.2mmx1.2mm, 2.0mmx2.0mmの3種類を用意しプラスチックパッケージサイズは小型で4x4.8x1.8mmになります。分光感度特性は可視〜赤外域用(λ=320nm~1100nm), 赤外域用(λ=760nm~1100nm)及び特別感度波長範囲としてλ=600nm~720nmの3タイプを用意。実装面積の小スペース化を可能にするリードフォーミングタイプへの対応も...(つづきを見る

  • シリコン UVセンサー KPDU500F/KPDU500QW 製品画像カタログあり

    計測制御用受光デバイス  高感度(紫外~青)・大受光面積

    情報システム)用途へと市場を拡大するとともに、画像処理、監視カメラ、植物育成用光源、殺菌・滅菌やガス分析などの新たな用途開拓にも注力しています。 可視光線より短波長の領域ではV-A(315-380nm)のPDやLED、UV-B(280-315nm)の紫外線(UV)センサの開発を、一方の赤外線より長波長の領域では、近赤外線(Near Infrared)(1.0-2.5μm)のPDやLED、更には中...(つづきを見る

  • 長波長InGaAsフォトダイオード KPDF030F26-H8 製品画像カタログあり

    計測制御用受光デバイス カットオフ波長 2600nm 高速・高感度

    情報システム)用途へと市場を拡大するとともに、画像処理、監視カメラ、植物育成用光源、殺菌・滅菌やガス分析などの新たな用途開拓にも注力しています。 可視光線より短波長の領域ではV-A(315-380nm)のPDやLED、UV-B(280-315nm)の紫外線(UV)センサの開発を、一方の赤外線より長波長の領域では、近赤外線(Near Infrared)(1.0-2.5μm)のPDやLED、更には中...(つづきを見る

  • 長波長InGaAsフォトダイオード KPDF030F22-H8 製品画像カタログあり

    計測制御用受光デバイス カットオフ波長 2200nm 高速・高感度

    情報システム)用途へと市場を拡大するとともに、画像処理、監視カメラ、植物育成用光源、殺菌・滅菌やガス分析などの新たな用途開拓にも注力しています。 可視光線より短波長の領域ではV-A(315-380nm)のPDやLED、UV-B(280-315nm)の紫外線(UV)センサの開発を、一方の赤外線より長波長の領域では、近赤外線(Near Infrared)(1.0-2.5μm)のPDやLED、更には中...(つづきを見る

  • 長波長InGaAsフォトダイオード KPDF030F24-H8 製品画像カタログあり

    計測制御用受光デバイス カットオフ波長 2400nm 高速・高感度

    情報システム)用途へと市場を拡大するとともに、画像処理、監視カメラ、植物育成用光源、殺菌・滅菌やガス分析などの新たな用途開拓にも注力しています。 可視光線より短波長の領域ではV-A(315-380nm)のPDやLED、UV-B(280-315nm)の紫外線(UV)センサの開発を、一方の赤外線より長波長の領域では、近赤外線(Near Infrared)(1.0-2.5μm)のPDやLED、更には中...(つづきを見る

  • 長波長InGaAsフォトダイオード KPDE0301M51 製品画像カタログあり

    計測制御用受光デバイス 感度波長900-1700nm ・樹脂モールド

    情報システム)用途へと市場を拡大するとともに、画像処理、監視カメラ、植物育成用光源、殺菌・滅菌やガス分析などの新たな用途開拓にも注力しています。 可視光線より短波長の領域ではV-A(315-380nm)のPDやLED、UV-B(280-315nm)の紫外線(UV)センサの開発を、一方の赤外線より長波長の領域では、近赤外線(Near Infrared)(1.0-2.5μm)のPDやLED、更には中...(つづきを見る

  • GaN UVセンサー KPDU37H1 製品画像カタログあり

    計測制御用受光デバイス InGaNタイプ 360-380nm領域の受光

    情報システム)用途へと市場を拡大するとともに、画像処理、監視カメラ、植物育成用光源、殺菌・滅菌やガス分析などの新たな用途開拓にも注力しています。 可視光線より短波長の領域ではV-A(315-380nm)のPDやLED、UV-B(280-315nm)の紫外線(UV)センサの開発を、一方の赤外線より長波長の領域では、近赤外線(Near Infrared)(1.0-2.5μm)のPDやLED、更には中...(つづきを見る

  • シリコン フォトトランジスタ KPT081M31 製品画像カタログあり

    計測制御用受光デバイス  透明樹脂モールドタイプ・低暗電流

    情報システム)用途へと市場を拡大するとともに、画像処理、監視カメラ、植物育成用光源、殺菌・滅菌やガス分析などの新たな用途開拓にも注力しています。 可視光線より短波長の領域ではV-A(315-380nm)のPDやLED、UV-B(280-315nm)の紫外線(UV)センサの開発を、一方の赤外線より長波長の領域では、近赤外線(Near Infrared)(1.0-2.5μm)のPDやLED、更には中...(つづきを見る

  • GaAsフォトダイオード KPDG008 製品画像カタログあり

    780-850nm VCSEL用DC-2.5Gbps レシーバー

    【特徴】 ○高速GaAsフォトダイオード ○受光面積:80µmφ ○暗電流(Typ.):30pA@5V ○パッケージ:ハーメチックシール ピグテール ○780-850nm VCSEL用DC-2.5Gbps レシーバー ○設計の最適化により、低容量・高速応答性を実現 ○低暗電流 ○高信頼性 ○ファイバー付きパッケージも対応可能(オプション) ●詳しくはお...(つづきを見る

  • OPTO DIODE社 XUV−UV検出用Siフォトダイオード 製品画像カタログあり

    軟X線〜UV領域での内部量子効率がほぼ100%

    ★特長★ ‐ 対応波長感度領域*:0.04nm〜1100nm (エネルギー領域:1.12eV〜30KeV) * モデルによって対応領域が異なりますので、ご注意下さい。 ‐ 100%内部量子効率(Q.E.), 耐放射線性, 高ダイナミックレン...(つづきを見る

  • レーザダイオード 製品画像

    レーザダイオード

    ドイツ First Sensor社(ファーストセンサ社)のレーザダイオード635~905 nmと幅広い波長ラインナップでシングル、マルチモード共に用意しております。 また各LDに合ったPD,APDも用意しておりセットでのご提案対応させていただきます。...(つづきを見る

  • GaAs PD-TIAレシーバー  KPGX1G/2G/4G 製品画像カタログあり

    低ノイズ/高速トランスインピーダンスアンプ搭載PD

    yp →KPGX1G:-24 @3.3V →KPGX2G:-20 @3.3V →KPGX4G:-17 @3.3V ○パッケージ:ハーメチックシール ピグテール LC-ROSA ○波長850nm光データリンク用 ○低ノイズ/高速トランスインピーダンスアンプ搭載PD ○PDモニタ電流取り出し端子付き5ピンパッケージ ○高信頼性 ○ファイバー付き/LC-ROSAパッケージ対応可能(オプ...(つづきを見る

  • アバランシェフォトダイオード(APD) 製品画像カタログあり

    レーザー距離計の受光部、短波長光通信、シンチレーターに最適

    【ラインナップ】 ■KPDA020  受光径0.2mm、検出波長400〜1,000μm(λp=670nm)  受光感度0.45A/W(λ=800nm)、増倍率100倍以上(逆バイアス1V) ■KPDA050:受光径0.5mm、検出波長400〜1,000μm(λp=670nm)  受光感度0....(つづきを見る

  • 高温対応フォトダイオード 製品画像カタログあり

    産業用機器向け各種センサ、計測機器などの高信頼性を要求される用途に最適

    【ラインナップ】 ○KPD1201H  検出波長400〜1,000nm(λp=880nm)、短絡電流60μA(1,000lx)  受光面積0.92x0.92mm、CANタイプ。 ○KPD1803H:検出波長400〜1,000nm(λp=840nm)  短絡電...(つづきを見る

  • 緑/青/赤色・赤外線などのレーザーモジュール(OEM、ODM可) 製品画像カタログあり

    月あたり100万個!高製造力のある自己完結型のレーザーモジュール

    ◆特徴 直径:4mm~20 mm 動作電圧:1.5VDC~6 VDC レーザー波長:405nm~1550nm レーザー出力:1mW~1000mW レーザーパターン:ドット、真円、ライン、グランドライン、クロス、HOE ◆特注仕様品・ODM・OEMの対応も可能ですので、ご相談下...(つづきを見る

  • 大面積フォトダイオード 製品画像カタログあり

    拡散した弱い光でも大面積で受光することで大きな光電流が得ることが可能

    【特徴】 ■受光面積2.59mmx2.59mm ■検出波長400〜1,000nm(λp950nm) ■短絡電流68nA(1,000lx) ■表面実装タイプ □その他機能や詳細については、カタログダウンロード下さい。 ...(つづきを見る

  • GaN UVセンサー KPDU31H1/KPDU31HQ1 製品画像カタログあり

    計測制御用受光デバイス TO-46 気密封止パッケージ

    情報システム)用途へと市場を拡大するとともに、画像処理、監視カメラ、植物育成用光源、殺菌・滅菌やガス分析などの新たな用途開拓にも注力しています。 可視光線より短波長の領域ではV-A(315-380nm)のPDやLED、UV-B(280-315nm)の紫外線(UV)センサの開発を、一方の赤外線より長波長の領域では、近赤外線(Near Infrared)(1.0-2.5μm)のPDやLED、更には中...(つづきを見る

  • 電子冷却 InAsフォトダイオード  KPDS100-H54P 製品画像カタログあり

    計測制御用受光デバイス TO-5 気密封止 TEクーラー付パッケージ

    情報システム)用途へと市場を拡大するとともに、画像処理、監視カメラ、植物育成用光源、殺菌・滅菌やガス分析などの新たな用途開拓にも注力しています。 可視光線より短波長の領域ではV-A(315-380nm)のPDやLED、UV-B(280-315nm)の紫外線(UV)センサの開発を、一方の赤外線より長波長の領域では、近赤外線(Near Infrared)(1.0-2.5μm)のPDやLED、更には中...(つづきを見る

  • GaN UVセンサー KPDU27HQ2 製品画像カタログあり

    計測制御用受光デバイス AlGaNタイプ UV-C領域の受光

    情報システム)用途へと市場を拡大するとともに、画像処理、監視カメラ、植物育成用光源、殺菌・滅菌やガス分析などの新たな用途開拓にも注力しています。 可視光線より短波長の領域ではV-A(315-380nm)のPDやLED、UV-B(280-315nm)の紫外線(UV)センサの開発を、一方の赤外線より長波長の領域では、近赤外線(Near Infrared)(1.0-2.5μm)のPDやLED、更には中...(つづきを見る

  • GaN UVセンサー KPDU31S1 製品画像カタログあり

    計測制御用受光デバイス AlGaNタイプ UV-B・C領域の受光

    情報システム)用途へと市場を拡大するとともに、画像処理、監視カメラ、植物育成用光源、殺菌・滅菌やガス分析などの新たな用途開拓にも注力しています。 可視光線より短波長の領域ではV-A(315-380nm)のPDやLED、UV-B(280-315nm)の紫外線(UV)センサの開発を、一方の赤外線より長波長の領域では、近赤外線(Near Infrared)(1.0-2.5μm)のPDやLED、更には中...(つづきを見る

  • SiアバランシェフォトダイオードKPDA020P~100P-H8 製品画像カタログあり

    計測制御用受光デバイス TO-18気密封止パッケージ 高ゲイン

    情報システム)用途へと市場を拡大するとともに、画像処理、監視カメラ、植物育成用光源、殺菌・滅菌やガス分析などの新たな用途開拓にも注力しています。 可視光線より短波長の領域ではV-A(315-380nm)のPDやLED、UV-B(280-315nm)の紫外線(UV)センサの開発を、一方の赤外線より長波長の領域では、近赤外線(Near Infrared)(1.0-2.5μm)のPDやLED、更には中...(つづきを見る

  • 電子冷却InGaAsフォトダイオード KPDE086S-H85P 製品画像カタログあり

    計測制御用受光デバイス TO-46 気密封止 TEクーラー付パッケージ

    情報システム)用途へと市場を拡大するとともに、画像処理、監視カメラ、植物育成用光源、殺菌・滅菌やガス分析などの新たな用途開拓にも注力しています。 可視光線より短波長の領域ではV-A(315-380nm)のPDやLED、UV-B(280-315nm)の紫外線(UV)センサの開発を、一方の赤外線より長波長の領域では、近赤外線(Near Infrared)(1.0-2.5μm)のPDやLED、更には中...(つづきを見る

  • GaN UVセンサー KPDU36S1 製品画像カタログあり

    計測制御用受光デバイス セラミック・表面実装パッケージ

    情報システム)用途へと市場を拡大するとともに、画像処理、監視カメラ、植物育成用光源、殺菌・滅菌やガス分析などの新たな用途開拓にも注力しています。 可視光線より短波長の領域ではV-A(315-380nm)のPDやLED、UV-B(280-315nm)の紫外線(UV)センサの開発を、一方の赤外線より長波長の領域では、近赤外線(Near Infrared)(1.0-2.5μm)のPDやLED、更には中...(つづきを見る

  • シリコン UVセンサー KPDW500H 製品画像カタログあり

    計測制御用受光デバイス  高感度(紫外~青)・硼珪酸ガラス窓

    情報システム)用途へと市場を拡大するとともに、画像処理、監視カメラ、植物育成用光源、殺菌・滅菌やガス分析などの新たな用途開拓にも注力しています。 可視光線より短波長の領域ではV-A(315-380nm)のPDやLED、UV-B(280-315nm)の紫外線(UV)センサの開発を、一方の赤外線より長波長の領域では、近赤外線(Near Infrared)(1.0-2.5μm)のPDやLED、更には中...(つづきを見る

  • Si アバランシェフォトダイオード KPDA020/50-H8 製品画像カタログあり

    計測制御用受光デバイス TO-18気密封止パッケージ 高ゲイン・低雑音

    情報システム)用途へと市場を拡大するとともに、画像処理、監視カメラ、植物育成用光源、殺菌・滅菌やガス分析などの新たな用途開拓にも注力しています。 可視光線より短波長の領域ではV-A(315-380nm)のPDやLED、UV-B(280-315nm)の紫外線(UV)センサの開発を、一方の赤外線より長波長の領域では、近赤外線(Near Infrared)(1.0-2.5μm)のPDやLED、更には中...(つづきを見る

  • シリコン アバランシェフォトダイオード KPDA100-H8 製品画像カタログあり

    計測制御用受光デバイス 大受光径APD(1mm受光径)高ゲイン

    情報システム)用途へと市場を拡大するとともに、画像処理、監視カメラ、植物育成用光源、殺菌・滅菌やガス分析などの新たな用途開拓にも注力しています。 可視光線より短波長の領域ではV-A(315-380nm)のPDやLED、UV-B(280-315nm)の紫外線(UV)センサの開発を、一方の赤外線より長波長の領域では、近赤外線(Near Infrared)(1.0-2.5μm)のPDやLED、更には中...(つづきを見る

  • 電子冷却InGaAsフォトダイオード KPDE086S-H54P 製品画像カタログあり

    計測制御用受光デバイス TO-5 気密封止 TEクーラー付パッケージ

    情報システム)用途へと市場を拡大するとともに、画像処理、監視カメラ、植物育成用光源、殺菌・滅菌やガス分析などの新たな用途開拓にも注力しています。 可視光線より短波長の領域ではV-A(315-380nm)のPDやLED、UV-B(280-315nm)の紫外線(UV)センサの開発を、一方の赤外線より長波長の領域では、近赤外線(Near Infrared)(1.0-2.5μm)のPDやLED、更には中...(つづきを見る

  • GaN UVセンサー KPDU36H1 製品画像カタログあり

    計測制御用受光デバイス GaNタイプ UV-A・B領域の受光

    情報システム)用途へと市場を拡大するとともに、画像処理、監視カメラ、植物育成用光源、殺菌・滅菌やガス分析などの新たな用途開拓にも注力しています。 可視光線より短波長の領域ではV-A(315-380nm)のPDやLED、UV-B(280-315nm)の紫外線(UV)センサの開発を、一方の赤外線より長波長の領域では、近赤外線(Near Infrared)(1.0-2.5μm)のPDやLED、更には中...(つづきを見る

  • シリコン フォトダイオードアレイ  KDA16S 製品画像カタログあり

    計測制御用受光デバイス  16チャンネルアレイ・表面実装パッケージ

    情報システム)用途へと市場を拡大するとともに、画像処理、監視カメラ、植物育成用光源、殺菌・滅菌やガス分析などの新たな用途開拓にも注力しています。 可視光線より短波長の領域ではV-A(315-380nm)のPDやLED、UV-B(280-315nm)の紫外線(UV)センサの開発を、一方の赤外線より長波長の領域では、近赤外線(Near Infrared)(1.0-2.5μm)のPDやLED、更には中...(つづきを見る

  • InGaAsフォトダイオード KPA4-2N/KPA8-2N 製品画像カタログあり

    250µmピッチアレイファイバーとのパットジョイント

    :250µmピッチ 4chアレイ →KPA8-2N:250µmピッチ 8chアレイ ○250µmピッチアレイファイバーとのパットジョイント ○光結合に有利な大受光径 ○低暗電流 ○1310nm, C-Band, L-Bandに対応 ○高信頼性 【ラインナップ】 ○KPA4-2N ○KPA8-2N ●詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをダウンロードしてください。...(つづきを見る

  • Si PINフォトダイオード KPID020D-S 製品画像カタログあり

    PDの高密度多重実装用モニター キャップ絶縁型ミニキャン

    縁型2ピンミニキャン(Φ1.96mm) ○省スペース(キャップ寸法: Φ1.96mm.× 3.35mmL) ○低暗電流(Typ. 15pA @ VR=10V) ○広い検出波長(400-1000nm) ●詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをダウンロードしてください。...(つづきを見る

  • 35GHzシングル高速フォトディテクタ 製品画像カタログあり

    35GHzシングル高速フォトディテクタ

    対応波長(nm) 1525 ~ 1570 帯域(GHz) 31...(つづきを見る

  • 40GHz集積型コヒーレントフォトディテクタ(C-band) 製品画像カタログあり

    40GHz集積型コヒーレントフォトディテクタ(C-band)

    対応波長(nm) 1530 ~ 1570 帯域(GHz) 40 ~ 42...(つづきを見る

  • 43Gb/sバランスフォトレシーバ 製品画像カタログあり

    43Gb/sバランスフォトレシーバ

    対応波長(nm) 1530 ~ 1620 帯域(GHz) 27 ~ 31...(つづきを見る

  • C-band, CW チューナブル DBR レーザ 製品画像カタログあり

    DWDM 用途に適した C-Band のDBR チューナブルレーザです…

    ピーク波長(nm) 1527.6 ~ 1568.4 出力パワー(dBm) 13 用途 DWDM伝送システム チューナブル DWDM トランスポンダ / トランシーバ Dynamic provision...(つづきを見る

  • サファイア基板(Sapphire Wafer) 製品画像カタログあり

    単結晶サファイアの結晶成長から切断、研削・研磨、PSS加工、GaNエピ…

    Φ4″、Φ4.5"、Φ6″、Φ8”、特殊サイズ指定可能   ※スマートフォンカバーガラス等の四角形状もご提供可能です。 ■ 厚み:150µm~3mm、特別指定可能 ■ 研磨面粗さ:Ra≦0.2nm ■ 結晶方位:C面、A面、R面、M面 ■ 方位公差:±0.1°、オフ角指定可能 ■ 数量:1枚~数万枚(お気軽にご相談ください。) ■ 価格:業界最安値を目指しております。...(つづきを見る

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