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PR装置全体をコンパクト化し組立た状態で運搬する為設置工事を簡略化 !生…
『Deopo(デオポ)』は、従来の蓄熱燃焼式脱臭装置「RTO」の3塔式と回転式の 優れている要素を併せ持ち、ワンユニットにパッケージ化した装置です。 VOCの処理効率は98%以上、温度効率は95%以上の性能を持ち、従来品に比べ、 パージ部分の体積を最小にすることによりコンパクト化することが出来ました。 また、工場で組立した状態で運搬可能なサイズなので、標準装置の場合は 現地の荷降...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社サーマルプラント
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レンズ用表面形状測定機 MarSurf LD Aspheric
PR非球面レンズの両面を一度に測定できる表面形状測定機。高精度&高速測定で…
特許取得の独自構造によりレンズの表・裏を一度に測定出来る 表面形状測定機『MarSurf LD 130/260 Aspheric 2D/3D』 2024年4月 OPIE'24(株)マブチ エス アンド ティー ブースに実機を展示! レンズの表裏を変える必要がなく、セッティングの手間を削減できるほか、 高精度・高速測定が行えるため、測定作業の短縮に貢献。 また、0.5mNという低測定圧での測定が可...
メーカー・取り扱い企業: マール・ジャパン株式会社
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大きなコードサイズを必要とするアプリケーションの開発に適した容量の製品…
用可能なSPI NORとQspiNANDの豊富なラインアップ ■OctalNANDは更に高速化を実現し、最大240MB/sを実現 ■拡張温度範囲により最大105℃保証 ■実績のあるNOR 58nm、NAND46nm-SLCによる高耐久性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...
メーカー・取り扱い企業: ウィンボンド・エレクトロニクス(Winbond Electronics Corp. Japan) 株式会社
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安価で確実な出荷検査を実現!高品質、安定した歩留まりをサポートいたしま…
『PermSRAM』は、標準ロジックプロセスで製造可能な OTP不揮発メモリIPコアです。 0.18um世代から先端の28nm世代とその先まで、幅広いプロセスに対して 1回のみ書込が可能な不揮発メモリを提供。 64bラッチタイプから1MByteのコード格納用メモリまで、 様々な不揮発メモリコア用途に合わせたカスタ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社NSCore
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複雑なメモリセル構成不要!少ない製造コストで高性能の不揮発メモリを提供…
『TwinBit』は、標準ロジックプロセスで製造可能な不揮発メモリIPコアです。 0.18um世代から先端の16nm世代とその先まで、幅広いプロセスに対して 10万回以上の書き換えが可能。 従来のFlashメモリのような複雑なメモリセル構成を必要とせず、 少ない製造コストで高性能の不揮発メモリを提供いた...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社NSCore
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不揮発メモリマクロ PermSRAM(R)
【特徴】 ○複数回書き換え可能なMTP不揮発メモリとして最小のマクロサイズを提供 ○SRAM同様のインターフェースで、SRAM並の高速な リード/ライト時間で使用する事が可能 ○65nm以降の最新のCMOSプロセス世代までの幅広いプロセスをカバー ○150度C以上の高温データ保持特性 ○テスト容易性を持つ ●その他機能や詳細については、カタログダウンロード下さい。 ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社NSCore
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高耐久性で高速読み出し!コードストレージ用途向け大容量フラッシュメモリ
コード ストレージフラッシュメモリを提供します。 【特長】 ■高速読み出し(最大240Mバイト/秒) ■高耐久性(エンデュランス10万回、データ・リテンション10年) ■長期供給(46nmシングル・レベル・セルNANDプロセス) ■コードストレージ用途向け大容量フラッシュ ■オクタルNORフラッシュとピン互換 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい...
メーカー・取り扱い企業: ウィンボンド・エレクトロニクス(Winbond Electronics Corp. Japan) 株式会社
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