• コネクタ形状を間違えた!→【光アダプタ/変換プラグ】で解決します 製品画像

    コネクタ形状を間違えた!→【光アダプタ/変換プラグ】で解決します

    PR「短くて繋げない」「コネクタ形状が違う」ケーブルの緊急トラブルを解決し…

    様々な場面で必要になる「ケーブル」について、こんなトラブルはありませんか? 「ケーブルが明日必要なのに、ケーブルが短い!」 「コネクタの形が違うため接続が出来ない!調達する時間もない!」 ★データコントロルズの光アクセサリで、こんな緊急トラブルを解決します★ 中継アダプタ、変換プラグ、光パッチパネルなど常時在庫多数なため 15時までのご注文で最短翌日に納品可能です! 【トラブル解決事例】 ケ...

    メーカー・取り扱い企業: データコントロルズ株式会社

  • 蓄熱燃焼式脱臭装置『Deopo(デオポ)』 製品画像

    蓄熱燃焼式脱臭装置『Deopo(デオポ)』

    PR装置全体をコンパクト化し組立た状態で運搬する為設置工事を簡略化 !生…

    『Deopo(デオポ)』は、従来の蓄熱燃焼式脱臭装置「RTO」の3塔式と回転式の 優れている要素を併せ持ち、ワンユニットにパッケージ化した装置です。 VOCの処理効率は98%以上、温度効率は95%以上の性能を持ち、従来品に比べ、 パージ部分の体積を最小にすることによりコンパクト化することが出来ました。 また、工場で組立した状態で運搬可能なサイズなので、標準装置の場合は 現地の荷降...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社サーマルプラント

  • レポート 20 nm HKMG Qualcomm 製品画像

    レポート 20 nm HKMG Qualcomm

    Gobi MDM9235モデムのロジック詳細構造解析

    本レポートは、20nmノードQualcomm MDM9235モデムの詳細構造解析 (LDSA) です。 MDM9235は第4世代のQualcomm Gobi 9x35 シリーズモデムで、20nm CMOS プロセスを使...

    メーカー・取り扱い企業: テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)

  • Samsung21nm TLC NANDの波形解析レポート 製品画像

    Samsung21nm TLC NANDの波形解析レポート

    デバイス設計・開発の方へ!サムスン社のNANDフラッシュの分析レポート…

    集積回路・電子システム技術・特許解析大手のセミコンダクターインサイツジャパンより、Samsung社の64 Gbit 21 nmTLC NANDフラッシュの波形解析レポートのご紹介です。この波形解析は、デバイスがいくつかの異なる標準的な動作モードで動作している時の、重要な各信号の信号動作を説明するものです。解析した部品は、S...

    メーカー・取り扱い企業: テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)

  • レポート サムソンメモリーセルのプロセス比較レポート 製品画像

    レポート サムソンメモリーセルのプロセス比較レポート

    20nm class DRAMと0nm class 2Gb DDR3D…

    「Samsung 20nm class 3GB(6x4Gbit) LPDDR3」の構造解析を再構成したものです。 主な目的は20nm class DRAMとそれの一世代前の30nm class 2Gb DDR3 DRAM...

    メーカー・取り扱い企業: テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)

  • レポート Oracle SPARC T5マルチコアプロセッサー 製品画像

    レポート Oracle SPARC T5マルチコアプロセッサー

    TSMC 28nm HPプロセスで造られた構造解析レポートです

    「Oracle SPARC T5マルチコアプロセッサー」は、TSMC 28nm HPプロセスで造られた構造解析レポートです。 T5は3.6GHZクロックで動作する16コアSoCです。13メタル層(12 Cu, 1 Al)、high-K metal gate(HKMG)のTS...

    メーカー・取り扱い企業: テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)

  • EELS分析手法による膜質評価 製品画像

    EELS分析手法による膜質評価

    元素同定を行うEELS分析により、物質の結合状態の比較が可能です!

    用するパラメータ:エネルギー損失電子 ■エネルギー分解能:1eV以下 ■長所:状態分析軽元素分析(Li,B) ■短所:広範囲の元素を同時分析が困難 ■測定時間:5s ■TEM試料厚:約50nm以下 <EDS> ■分析に使用するパラメータ:特性X線 ■エネルギー分解能:100eV前後 ■長所:全元素についての分析 ■短所:近接するエネルギーを持つ元素のピーク分離が困難 ■測定時...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

  • 【AFM/AESオージェ電子分光装置】めっき部品の加熱影響評価 製品画像

    【AFM/AESオージェ電子分光装置】めっき部品の加熱影響評価

    AFM走査型プローブ顕微鏡/AESオージェ電子分光装置によりめっき部品…

    原子間力、摩擦力、静電気力などがあります。 また、大気中、真空中の様々な環境において測定ができ、導電性、絶縁性を問わず試料表面の観察が可能です。 AESオージェ電子分光装置では、材料の極表層(~5nm程度)の元素分析や深さ方向の濃度勾配を調査することが可能です。 この2つの分析装置を使い「めっき済みのコネクタ接点用ピン表面」の加熱影響調査を行いました。 ぜひPDF資料をご一読ください...

    メーカー・取り扱い企業: セイコーフューチャークリエーション株式会社

  • 超微⼩硬度計による材料評価 製品画像

    超微⼩硬度計による材料評価

    経年の品質管理にも役⽴つ!⾦属・⾼分⼦・セラミックス等の材料の超微⼩硬…

    ぼみの押し込み深さを直読し、 硬さを求めます。回復挙動における特性値を求めることも可能です。 【装置概要】 ■試験⼒レンジ0.4mN~1000mN 精度±0.02mN ■押し込みレンジ1nm(0.01μm)~700μm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

  • レポート アプリケーションプロセッサのロジック詳細構造解析 製品画像

    レポート アプリケーションプロセッサのロジック詳細構造解析

    Mediatek MT6592 オクタコア(8コア)の詳細構造解析です…

    ード セルラーモデム、デュアルバンド801.11n Wi-Fiなどをサポートしています。 MT6592は、8層メタル(7 Cu、1 Al)構造、high-kメタルゲート(HKMG)、ゲート長 28nmのTSMCによるHPM CMOSプロセスを使用して製造されています。 【特徴】 ○トランジスタのチャネルの結晶方向 <110> ○酸化ハフニウム(HfO2)素材のゲート絶縁膜 ○デュアル...

    メーカー・取り扱い企業: テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)

  • 競合他社の製品情報まるわかり!【製品解析サービス】 製品画像

    競合他社の製品情報まるわかり!【製品解析サービス】

    「コンペチタの新製品情報、技術力情報が欲しい」等のご要求はございません…

    アが担当していませんか? ぜひ当社へお任せください。優れた解析技術でお答えします。 【半導体製品】 ■シリコン半導体、化合物半導体 ■パワーデバイス、高周波デバイス、集積回路(~14nm)、  センシングデバイス、MEMS ■各種モジュール  (高周波モジュール、パワーモジュール、センサーモジュール) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社エルテック

  • レポート MDM9235モデムのロジック詳細構造解析 製品画像

    レポート MDM9235モデムのロジック詳細構造解析

    20 nm HKMG Qualcomm Gobiの詳細構造解析です。

    本レポートは、20 nm ノード QualcommMDM9235 モデムの詳細構造解析 (LDSA) です。 MDM9235 は第 4 世代の Qualcomm Gobi 9x35 シリーズモデムで、20 nm CMOS...

    メーカー・取り扱い企業: テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)

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