• バックラッシュ精度14分以下! サーボモータ用 減速機 製品画像

    PR低価格で軽量化を実現! 内部部品の小型化、高精度化により内部慣性モーメ…

    『P2/P2Rシリーズ』は、バックラッシュ精度14分以下の サーボモータ用 減速機です。 内部部品の小型化、高精度化により 内部慣性モーメント(イナーシャ)が小さくなっています。 5形式15種類(3~100)の減速比があります。 ※PG2シリーズのみ5形式23種類(3~1000) P2Rシリーズの直交部分はスパイラルベベルギアを使用。 また、従来のPシリーズに比べると約2...(つづきを見る

  • 【分析事例】バイポーラトランジスタの拡散層構造評価 製品画像カタログあり

    pn判定を含む拡散層の構造を明瞭に観察可能

    市販LSI内のNPNバイポーラトランジスタについて全景からエミッタ部の拡大まで詳細に観察が可能です。 エミッタ電極の中心を通る断面を露出させ、AFM観察、SCM測定を行った事例です。 AFM像と重ねることで、配線との位置関係がはっきりします。...詳しいデータはカタログをご覧ください...(つづきを見る

  • 【分析事例】CIGS膜のpn接合評価および結晶粒評価 製品画像カタログあり

    SEMによる電子線誘起電流法・結晶方位解析

    CIGS薄膜多結晶太陽電池は低コスト次世代太陽電池として期待されています。大面積化、高品質化のための開発が進められています。多結晶薄膜の特性を評価するため、EBICによるpn接合の評価・EBSD法による結晶粒評価を同一断面で行いました。CIGS膜の断面を作製し、電子ビームを走査することによって、起電流(EBIC)を測定し、起電流の面内分布を可視化しました。また、同一面の...(つづきを見る

  • 事例 熱解析 製品画像カタログあり

    高精度な熱特性の解析で、製品コストを低減!

    製品設計の安心を得るために、製品コストを上げてませんか? 最適な熱対策を行わないと、過剰対策は市場競争力を下げ、対策不足は開発費用を上げますが、温度マージン設計を最適にする事でトータルコストが下がります。 弊社独自の手法の特長は、チップの特定一部を部分発熱させ、発熱エリア内PN 接合(特定)で測定します。 また、測定結果にフィットしたシミュレーションモデルを構築する事で、システム製品全体がシ...(つづきを見る

  • [EBIC]電子線誘起電流 製品画像カタログあり

    試料内部の電界構造(半導体の接合構造)に関する情報を得ることができる手…

    が内部電界でドリフトされることで起電流として外部に取り出すことができます。 この起電流をEBIC(Electron Beam Induced Current)と呼び、SEM像と併せて取得することでpn接合の位置や空乏層の広がりを可視化することが可能です。 ・pn接合部や結晶欠陥(転位、積層欠陥など)の評価が可能。 ・SEM像と重ねることで、接合や結晶欠陥の位置を特定可能。...(つづきを見る

  • 【分析事例】ノニルフェノールエトキシレート(NPnEO)の分析 製品画像カタログあり

    容器貸し出しから分析結果までトータルでサポートします!

    ノニルフェノールエトキシレート(NPnEO)は、分解生成物としてノニルフェノール(NP)を生成することが知られています。NPは内分泌かく乱物質とされ、生物への影響が懸念される物質とされることから、水質汚濁に係る生活環境の保全に関する環境基準のうち、水生生物の保全に係る環境基準の項目に追加され、基準値が制定されました(平成24年8月22日)。基準値の設定されているNPの動向を把握するためには、前駆物...(つづきを見る

  • EMS分析(エミッション顕微鏡法) 製品画像カタログあり

    故障箇所を迅速に特定

    発光源としては、空間電荷領域でのキャリアの電界加速、電流集中、F-Nトンネル電流など電界加速キャリア散乱緩和発光によるもの、pn接合順方向バイアス、ラッチアップなどバンド間キャリア再結合発光によるもの、配線間ショート、配線の細りによる抵抗増大による熱放射などがあります。...(つづきを見る

  • 事例 製品環境でのパッケージ 熱抵抗測定技術 製品画像カタログあり

    半導体の熱抵抗を正しく測定できていますか?熱シミュレーション技術とコラ…

    測定用素子として良く利用されるダイオード(PN接合)の特性を理解しないと、 正しく測定できない場合があります。 製品環境でのパッケージ熱抵抗を正しく求めるためには、実デバイスを使った 熱抵抗解析を高精度に評価する技術が必要となります。 局所発熱モデルにおいて実測と熱シミュレーションの整合モデルが作成出来ていれば、 任意発熱時の熱抵抗がシミュレーションで解けます。 弊社では、実測~シミュ...(つづきを見る

  • クロスビームFIBによる断面観察 製品画像カタログあり

    FIB加工をリアルタイムで観察しながら断面観察が可能です。

    半導体デバイス、MEMS、TFTなどナノスケールの精度で製造される エレクトロニクス製品の構造解析を行うための新たな手法: クロスビームFIBにより断面観察をご提案いたします。 ...半導体デバイス、MEMS、TFTトランジスタなど ナノスケールで製造されるエレクトロニクス製品の構造解析を クロスビームFIBによる断面観察で行います。 1)FIB加工をリアルタイムで観察できるため目...(つづきを見る

  • 【分析事例】繊維中のノニルフェノールエトキシレート分析 製品画像カタログあり

    様々な素材の繊維製品の検査が可能です

    ノニルフェノールエトキシレート(NPnEO)は工業用の洗浄剤等に使用されていますが、2016年1月、欧州のREACH規制(化学物質の登録、評価、認可及び制限に関する規則)で繊維製品を対象としたNPnEOの使用制限が追加されました。今後、NPnEOを含有(0.01重量%以上)する特定の繊維製品の新たな販売が2021年2月3日から禁止されることが定められています。本資料では、複数の素材の繊維製品中のN...(つづきを見る

  • 【分析事例】洗浄リンス液中の有機物残渣量評価 製品画像カタログあり

    TOCやLC/MS/MSによる評価が可能です!

    製造過程における有機物汚染は製品の性能に大きく影響を与えます。洗浄工程のリンス液のような液体試料中の有機物分析では、全有機体炭素(TOC)計や液体クロマトグラフ-タンデム質量分析計(LC/MS/MS)を用いた評価が可能です。ここでは、工業用界面活性剤の一つであるNPnEO(ノニルフェノールエトキシレート)についてTOCとLC/MS/MSを用いた評価例を紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧...(つづきを見る

  • 【分析事例】結晶Si太陽電池のキャリア分布評価 製品画像カタログあり

    表面凹凸のあるサンプルでのキャリア拡散層の均一性評価

    BSF型結晶Si太陽電池について、表面側テクスチャ部および裏面側BSF部のキャリア拡散層分布をSCMにて評価した事例を紹介いたします。テクスチャ部では表面凹凸に沿ってpn接合が形成されているのに対し、BSF部ではキャリア分布に途切れがあり不均一であることが確認できます。...(つづきを見る

  • 【分析事例】SNDMおよびSMMによる拡散層評価 製品画像カタログあり

    SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

    近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は素子の高集積化が可能であり、SiCデバイスへの応用展開も進められています。一方、SiCデバイスのドーパント活性化率には課題があり、出来栄え評価が重要となります。今回、SiC Trench MOSFETに関して、SNDM(走査 型非線形誘電率顕微鏡)にてキャリア極性判定をSMM(走査型マイクロ波顕微鏡法)にてキ...(つづきを見る

  • 受託試験サービス『薬理試験』 製品画像

    サルを中心として、中枢神経関連及び眼科関連において特殊な薬効評価試験も…

    イナリサーチは、スクリーニング段階から臨床試験(治験)に入るまでの 薬理試験をサポートします。 標準的な試験系であるマウス、ラット、ウサギ、イヌはもちろんサルでの 豊富な試験経験と蓄積した背景データから幅広く試験を実施します。 AAALAC International(国際実験動物ケア評価認証協会) の認証を取得した施設で実施します。 【試験内容】 ■中枢試験関連試...(つづきを見る

  • 薬理試験『栄養輸液関連試験』 製品画像

    中枢神経関連および眼科関連において特殊な薬効評価試験を実施

    イナリサーチでは、サルを中心として、中枢神経関連および 眼科関連において特殊な薬効評価試験も実施しています。 GLP適合施設であり、AAALAC International(国際実験動物ケア評価認証協会) の認証を取得した施設で実施します。 【栄養輸液関連試験】 ■TPN(Total Parenteral Nutrition)による栄養学的効果に関する試験 ・イヌあるいはサルを...(つづきを見る

  • 【分析事例】SiCPlanerPowerMOSFETの拡散層評価 製品画像カタログあり

    SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

    SiC Planer Power MOSFETの断面を作製し、拡散層のp/n 極性分布をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)で評価し、キャリア濃度分布をSMM(走査型マイクロ波顕微鏡法)で定性的に評価しました。 いずれのデータからも、n+型のSource層の周囲に、p型のBody層が二層構造で形成されていることが分かり、ゲート直下にはChannel Epitaxial層が存在することが分かりました。...(つづきを見る

  • 【分析事例】イメージセンサの拡散層形状評価 製品画像カタログあり

    試料解体から測定まで一貫して対応します

    本資料では、スマートフォン搭載のイメージセンサ拡散層に関して評価した事例をご紹介します。 半導体のp/n型を判定可能なSCM(走査型静電容量顕微鏡)を用い、拡散層がどのような分布となっているかを評価しました。今回、断面と平面のSCM結果を組み合わせることで、相補的かつ広範囲の情報が得られました。 SCM は、イメージセンサ拡散層の出来映え評価や故障解析に有効なツールの一つです。...詳しいデ...(つづきを見る

  • 3D画像 透明立体模型製作 ExhiBits プレゼンや発表に 製品画像カタログあり

    3D画像 透明立体模型製作 ExhiBits プレゼンや発表に

    ※2016年8月更新 実物の3次元画像からつくる模型サービス ExhiBitsからいきもの模型(既製品)を販売するショップを開設しました。 NVS SHOP http://shop.nvs.co.jp 『ExhiBits』は、実物の三次元画像からつくる立体模型制作サービスです。 X線CTやFIB SEM等の三次元画像デバイスで撮影した実物の「3D画像」を元に、 内部を可視化した各...(つづきを見る

  • 【分析事例】結晶Si太陽電池の拡散層評価 製品画像カタログあり

    ドーパントの定量評価およびキャリアの分布評価

    裏面電極型結晶Si太陽電池(バックコンタクト型Si太陽電池)において、電極直下のドーパントの濃度分布を定量的に評価した事例をご紹介します。また、キャリアの分布評価を行うことで、p/nの極性判定や空乏層を断面方向から可視化することが可能です。...詳しいデータはカタログをご覧ください...(つづきを見る

  • 【分析事例】SiC Planer Power MOSの分析 製品画像カタログあり

    SiCデバイスの拡散層構造を可視化できます(拡散層構造の高感度評価)

    SNDM (走査型非線形誘電率顕微鏡)では半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化すること ができます。本手法は、従来から用いられているSCM(走査型静電容量顕微鏡)の機能を包括しており、 SCMでは評価が難しいSiCを代表とする次世代のパワーデバイスにおいても、低濃度から高濃度まで十分に評価を行うことができます。高感度を特徴とし、あらゆる化合物半導体デバイスに適用可能です。一例として、S...(つづきを見る

  • 【分析事例】SiC Planer Power MOSのSCM分析 製品画像カタログあり

    SiC デバイスの拡散層構造を可視化できます

    SCMでは半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化することができます。 本手法はSiデバイスに活用されてきましたが、SiCデバイスにおいてもキャリア濃度が十分高い箇所では評価を行うことができます。 本資料では、SiC Planer Power MOSの断面を製作し、SCM分析を行った結果をご紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...(つづきを見る

  • 3D画像 透明立体模型製作 ExhiBits プレゼンや発表に 製品画像カタログあり

    3D画像 透明立体模型製作 ExhiBits プレゼンや発表に

    ※2016年8月更新 実物の3次元画像から模型をつくるExhiBitsより、いきものの模型(既製品)を販売するショップを開設しました。 NVS SHOP http://shop.nvs.co.jp X線CT等の三次元画像デバイスから得られた実物の3D画像を元に、各種立体模型や展示物を製作サービスです。 半透明の立体模型を作る新技術を活用した新しいサービスです。 高額な装置を使...(つづきを見る

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