粉砕機「ワンダークラッシャーWC-3」[岩石・生薬・穀物・木片]

PRとうもろこし、水晶を20秒で粉砕！岩石、生薬、薬草、錠剤、穀物、種子、…

ワンダークラッシャーWC-3は1200ワットのパワーで28000回転の超高速モーターを搭載した高性能粉砕機です。 【特徴】 ◆≪WB-1との違い≫ 粉砕容器部と本体モーター部が分離式になっています。 ◆≪頑丈≫ 容器は3mm厚の頑丈なステンレス製で、錆に強く硬い鉱石類にも対応できます。 ◆≪軽量≫ 容器ホルダーはポリカーボネイト樹脂製です。 ◆≪連続運転可能≫ 本体モーター部...

メーカー・取り扱い企業： 大阪ケミカル株式会社

事例　熱解析（熱シミュレーション）

高精度な熱特性の解析で、製品コストを低減！（熱シミュレーション）

製品設計の安心を得るために、製品コストを上げてませんか？ 最適な熱対策を行わないと、過剰対策は市場競争力を下げ、対策不足は開発費用を上げますが、温度マージン設計を最適にする事でトータルコストが下がります。（熱シミュレーション） 弊社独自の手法の特長は、チップの特定一部を部分発熱させ、発熱エリア内PN 接合（特定）で測定します。 また、測定結果にフィットしたシミュレーションモデルを構築する事で...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社Wave Technology

パワー半導体の解析サービス

故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします…

株式会社アイテスでは、パワー半導体の解析サービスを承っております。 当社は日本IBM野洲事業所の品質保証部門から1993年に分離独立して以来、 独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。 【特長】 ■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応 ■表裏どちらからでもFIB加工可能 ■...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

FIB-SEMによる半導体の拡散層観察

他手法より短納期！FIB-SEMによる形状観察と、拡散層観察の両方を実…

当社では、『FIB-SEMによる半導体の拡散層観察』を行っております。 FIB法による断面作製とSEM観察によって半導体の拡散層を可視化、 形状評価を行いました。 SEMのInlens 検出器によって内蔵電位の違いを可視化した事例では 内蔵電位によりN型とP型領域で発生する二次電子のエネルギーに差が発生。 それによって生まれる軌道の差をSEMの検出器で検出します。 【特...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察

SiCパワーデバイスでも、特定箇所の断面作製、拡散層の形状観察、さらに…

当社では、LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察を 行っております。 FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM/EBICによる拡散層の 形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造までのスルー解析が SiCパワーデバイスでも対応できます。 「LV-SEM拡散層観察」では、PN接合の内蔵電位に影響を受けた 二次電子（SE2）をInlens検出器で...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

事例　製品環境でのパッケージ　熱抵抗測定技術

半導体の熱抵抗を正しく測定できていますか？熱シミュレーション技術とコラ…

測定用素子として良く利用されるダイオード（PN接合）の特性を理解しないと、 正しく測定できない場合があります。 製品環境でのパッケージ熱抵抗を正しく求めるためには、実デバイスを使った 熱抵抗解析を高精度に評価する技術が必要となります。 局所発熱モデルにおいて実測と熱シミュレーションの整合モデルが作成出来ていれば、 任意発熱時の熱抵抗がシミュレーションで解けます。 弊社では、実測～シミュ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社Wave Technology