粉砕機「ワンダークラッシャーWC-3」[岩石・生薬・穀物・木片]

PRとうもろこし、水晶を20秒で粉砕！岩石、生薬、薬草、錠剤、穀物、種子、…

ワンダークラッシャーWC-3は1200ワットのパワーで28000回転の超高速モーターを搭載した高性能粉砕機です。 【特徴】 ◆≪WB-1との違い≫ 粉砕容器部と本体モーター部が分離式になっています。 ◆≪頑丈≫ 容器は3mm厚の頑丈なステンレス製で、錆に強く硬い鉱石類にも対応できます。 ◆≪軽量≫ 容器ホルダーはポリカーボネイト樹脂製です。 ◆≪連続運転可能≫ 本体モーター部...

メーカー・取り扱い企業： 大阪ケミカル株式会社

【分析事例】CIGS膜のpn接合評価および結晶粒評価

SEMによる電子線誘起電流法・結晶方位解析

CIGS薄膜多結晶太陽電池は低コスト次世代太陽電池として期待されています。大面積化、高品質化のための開発が進められています。多結晶薄膜の特性を評価するため、EBICによるpn接合の評価・EBSD法による結晶粒評価を同一断面で行いました。CIGS膜の断面を作製し、電子ビームを走査することによって、起電流（EBIC）を測定し、起電流の面内分布を可視化しました。また、同一面の...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

事例　熱解析（熱シミュレーション）

高精度な熱特性の解析で、製品コストを低減！（熱シミュレーション）

製品設計の安心を得るために、製品コストを上げてませんか？ 最適な熱対策を行わないと、過剰対策は市場競争力を下げ、対策不足は開発費用を上げますが、温度マージン設計を最適にする事でトータルコストが下がります。（熱シミュレーション） 弊社独自の手法の特長は、チップの特定一部を部分発熱させ、発熱エリア内PN 接合（特定）で測定します。 また、測定結果にフィットしたシミュレーションモデルを構築する事で...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社Wave Technology

パワー半導体の解析サービス

故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします…

株式会社アイテスでは、パワー半導体の解析サービスを承っております。 当社は日本IBM野洲事業所の品質保証部門から1993年に分離独立して以来、 独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。 【特長】 ■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応 ■表裏どちらからでもFIB加工可能 ■...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

EMS分析（エミッション顕微鏡法）

故障箇所を迅速に特定

発光源としては、空間電荷領域でのキャリアの電界加速、電流集中、Ｆ-Ｎトンネル電流など電界加速キャリア散乱緩和発光によるもの、pn接合順方向バイアス、ラッチアップなどバンド間キャリア再結合発光によるもの、配線間ショート、配線の細りによる抵抗増大による熱放射などがあります。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［EBIC］電子線誘起電流

試料内部の電界構造（半導体の接合構造）に関する情報を得ることができる手…

が内部電界でドリフトされることで起電流として外部に取り出すことができます。 この起電流をEBIC（Electron Beam Induced Current）と呼び、SEM像と併せて取得することでpn接合の位置や空乏層の広がりを可視化することが可能です。 ・ｐｎ接合部や結晶欠陥(転位、積層欠陥など)の評価が可能。 ・SEM像と重ねることで、接合や結晶欠陥の位置を特定可能。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

FIB-SEMによる半導体の拡散層観察

他手法より短納期！FIB-SEMによる形状観察と、拡散層観察の両方を実…

当社では、『FIB-SEMによる半導体の拡散層観察』を行っております。 FIB法による断面作製とSEM観察によって半導体の拡散層を可視化、 形状評価を行いました。 SEMのInlens 検出器によって内蔵電位の違いを可視化した事例では 内蔵電位によりN型とP型領域で発生する二次電子のエネルギーに差が発生。 それによって生まれる軌道の差をSEMの検出器で検出します。 【特...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

クロスビームFIBによる断面観察

FIB加工をリアルタイムで観察しながら断面観察が可能です。

半導体デバイス、MEMS、TFTなどナノスケールの精度で製造される エレクトロニクス製品の構造解析を行うための新たな手法： クロスビームFIBにより断面観察をご提案いたします。 ...半導体デバイス、MEMS、TFTトランジスタなど ナノスケールで製造されるエレクトロニクス製品の構造解析を クロスビームFIBによる断面観察で行います。 １）FIB加工をリアルタイムで観察できるため目...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察

SiCパワーデバイスでも、特定箇所の断面作製、拡散層の形状観察、さらに…

当社では、LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察を 行っております。 FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM/EBICによる拡散層の 形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造までのスルー解析が SiCパワーデバイスでも対応できます。 「LV-SEM拡散層観察」では、PN接合の内蔵電位に影響を受けた 二次電子（SE2）をInlens検出器で...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

【分析事例】結晶Si太陽電池のキャリア分布評価

表面凹凸のあるサンプルでのキャリア拡散層の均一性評価

BSF型結晶Si太陽電池について、表面側テクスチャ部および裏面側BSF部のキャリア拡散層分布をSCMにて評価した事例を紹介いたします。テクスチャ部では表面凹凸に沿ってpn接合が形成されているのに対し、BSF部ではキャリア分布に途切れがあり不均一であることが確認できます。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

事例　製品環境でのパッケージ　熱抵抗測定技術

半導体の熱抵抗を正しく測定できていますか？熱シミュレーション技術とコラ…

測定用素子として良く利用されるダイオード（PN接合）の特性を理解しないと、 正しく測定できない場合があります。 製品環境でのパッケージ熱抵抗を正しく求めるためには、実デバイスを使った 熱抵抗解析を高精度に評価する技術が必要となります。 局所発熱モデルにおいて実測と熱シミュレーションの整合モデルが作成出来ていれば、 任意発熱時の熱抵抗がシミュレーションで解けます。 弊社では、実測～シミュ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社Wave Technology