SEM-ECCI法によるGaNの転位観察

SEM-ECCI法を用いると容易な前処理で観察可能に！単結晶GaNの測…

当社では、SEM-ECCI法によるGaNの転位観察を行っております。 窒化ガリウム（GaN）等のパワー半導体において、製造時に含まれる転位は デバイス性能の低下や短寿命化の要因とされています。 半導体の転位観察は主に透過電子顕微鏡（TEM）やエッチピット法が用いられますが、 SEM-ECCI法を用いると容易な前処理で観察可能となります。 【測定事例】 ■供...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社大同分析リサーチ