【加工素材】化合物半導体ウェーハ

日本エクシードでは、SiC、GaN、GaPなど、様々な化合物半導体結晶の
研磨加工を行っております。

パターン形成済み化合物ウエーハについても薄く仕上げることが
可能となり、お客様への納品方法を含め対応できます。

当社は、さまざまな加工素材の研磨ニーズにお応えいたします。

【特長】
■様々な化合物半導体結晶の研磨加工が可能
■お客様への納品方法を含め対応できる
■厚み：20μm～
■表面粗さの実力値 GaP表面粗さ：0.1nm

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

化合物の場合、シリコン・酸化物と異なり非常に軟質な材料であり、薄くする事は困難と云われておりますが、日本エクシードではパターン形成済み化合物ウエーハについても薄く仕上げる事が可能となり、お客様への納品方法を含め対応が可能です。

「臭素を含まない研磨剤による鏡面研磨の開発」として1996年に特許を取得。
定形品に限らず、少量から量産加工まで幅広く対応しています。

パワーデバイスなどに用いられるSiC単結晶や、高記録密度を実現させる為のレーザーダイオードや
高電子移動度トランジスター(HEMT)などに用いられているGaN単結晶の超平滑研磨加工及び、
パターン形成済みの裏面側を加工し薄くする事も行っています。

【加工詳細】
■加工素材
・SiC　・GaN　・GaP　・GaAs　・GaSb　・ZnS　・ZnSe　・ZnTe
・パターン付きウェーハの裏面加工など
■仕上がり厚み：20μm～
■表面粗さの実力値：GaP表面粗さ：0.1nm

※詳しくは資料をダウンロードいただくか、お問い合わせください。 （詳細を見る）