浮遊帯域半導体精製装置アカイ電子工業

シリコンロッドを浮遊帯域精製、単結晶化及び無転位単結晶化する装置です。

浮遊帯域半導体精製装置はＡｒガス雰囲気中でシリコンロッドを高周波で加熱し、偏析法により浮遊帯域精製、又は単結晶化、又は無転位単結晶化を行う装置です。詳しくはカタログをダウンロードしてください。

関連リンク - http://www.akai-ele.com/fz.html

基本情報浮遊帯域半導体精製装置

【仕様】
○加熱電源装置として、３０ＫＷ３MＨｚの電子管方式の高周波誘導加熱電源を使用
○高周波誘導加熱電源、浮遊帯域精製炉、除震台、総合制御盤、操作盤で装置を構成
○高周波誘導加熱電源の安全回路は（1）過電流(１次側)（2）Ｉｐ過電流（3）Ｉｇ過電流（4）パネルスイッチ（5）冷却水断（水圧／水量）
○浮遊帯域精製炉の真空到達度は１０－6ｔｏｒｒオーダー
○浮遊帯域精製炉のArフローはＡｒガス流量：1～５（Ｌ／sec）

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