トレンチ深さ測定装置 IR2100 日本セミラボ

トレンチ深さ測定装置

パワーデバイスのディープトレンチやTSV形状、DRAMのキャパシタートレンチの深さ、CD測定、リセス測定を非接触で測定。独自技術MBIR（Model Based Infrared)により高アスペクト比のトレンチの測定が可能。また、エピ膜のドープ濃度の縦方向プロファイルの測定にも対応。

関連リンク - http://www.semilab-j.jp/

基本情報トレンチ深さ測定装置 IR2100

広波長帯域の赤外線を干渉計に導き変調する。変調された赤外線を薄膜表面に照射すると、薄膜各層の界面から（多重）反射した光は光学干渉を起こす。干渉波形（インターフェログラム）は検出器にて観察され、これをフーリエ変換し反射率スペクトルを得る。この反射率スペクトルは既存のFTIR解析技術に加え、各種測定アプリケーション（膜材とその構造）に対応可能なデータベース化された解析モデルを使用して、測定対象（主に絶縁膜）の膜厚、トレンチ深さ、空孔率、ドープ濃度、TSV形状、リセス測定などを数秒で同時測定することができる。

価格情報	お気軽にお問い合わせください。
納期	お問い合わせください ※お気軽にお問い合わせください。
型番・ブランド名	IR2100
用途／実績例	特徴・膜厚測定スループット: 60 枚/ 1時間（1パラメータ測定） 5点測定（パターン認識ありの場合）・光学系: プローブスポットサイズ：200x800 μm または 70 μm φ　使用赤外光波長： 0.9-20 μm （NIRオプションあり）・ロードポート FOUP, SMIF, or OC; dual ・ミニエンバイロメント Class 1000のクリーンルーム環境でClass 1対応・オートメーション GEM 300, SEMI 300mm, SEMI S2-0200, and CE等に準拠

お問い合わせ

取扱企業トレンチ深さ測定装置 IR2100

日本セミラボ株式会社新横浜本社

■半導体測定装置の輸入販売及び技術サービスの提供 ■下記製品の取り扱いをしています。分光エリプソメーター非接触シート抵抗測定装置 DLTS測定システムナノインデンター AFM（原子間力顕微鏡）キャリア移動度測定装置非接触CV測定装置ライフタイム測定装置フォトルミネッセンス装置仕様や価格情報などお気軽にお問い合わせください。