株式会社AndTech SiC・GaNウェハ基板の低ダメージ加工・研磨プロセスと評価
- 最終更新日:2020-02-13 11:10:09.0
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★大口径化対応、量産技術化へ対応する技術の今後とは?
★SiCウェハ加工時に残留する加工変質層の特徴や後工程への影響、加工変質層の分析技術についても紹介
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【会 場】
てくのかわさき 5F 第5研修室【神奈川・川崎】
【日 時】
平成25年9月17日(火) 11:00-15:45
【講 師】
第1部 (独)産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター・ウェハプロセスチーム
チーム長・主任研究員 加藤 智久 氏
先進パワーエレクトロニクス研究センターのホームページはこちらから
第2部 並木精密宝石(株) NJC技術研究所 御担当者様
第3部 大阪大学 大学院 工学研究科 教授 山内 和人 氏
基本情報SiC・GaNウェハ基板の低ダメージ加工・研磨プロセスと評価
【第1部 講演主旨】
本講演では、インゴット切断から仕上げ研磨までのSiC加工技術における現行技術から最新技術まで概説し、今後の大口径化対応、量産技術化について議論する。また、SiCウェハ加工時に残留する加工変質層の特徴や後工程への影響、加工変質層の分析技術についても紹介する。
【第2部 講演要旨】
我々は,化学エッチングに基準面を導入することによって,ダメージレスな平坦・平滑化を高能率かつ高安定に実現する触媒表面基準エッチング法を考案した.講演では,実施例をもとに本手法の概念を詳説し,微粒子フリーであることの利点や,環境調和性,適用範囲の一般性,発展性等について解説する.
【第3部 講演主旨】
LEDやパワーエレクトロニクス用途に使用されるGaN・SiCといった単結晶素材が次世代オプトメカトロニクス分野で注目を集めている。困難と言われたこれらの単結晶素材の成長技術が近年飛躍的に向上し、アプリケーションの実用化に向け期待感が一気に高まっているためである。本講演では、GaN・SiC基板の量産化を目指した加工技術開発の最前線について、筆者らの取組を中心に紹介する。
価格情報 |
57750 9月3日まで【早期割引価格】】1社2名まで54,600円(税込、テキスト費用を含む) |
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価格帯 | 1万円 ~ 10万円 |
納期 | 2・3日 |
型番・ブランド名 | S30961 |
用途/実績例 | 第1部 SiCウェハ加工技術における切断・研削・精密研磨と評価のポイント 【11:00-12:15】 講師: (独)産業技術総合研究所 第2部 オプトメカトロニクス単結晶の精密研磨技術 –GaN・SiC基板の量産化研磨加工技術を目指して 【13:00-14:15】 講師: 並木精密宝石(株) 第3部 触媒表面基準エッチング法を用いたSiC・GaN基板の研磨技術と平坦化技術 【14:30-15:45】 講師: 大阪大学 |
取扱企業SiC・GaNウェハ基板の低ダメージ加工・研磨プロセスと評価
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ここ数年、クライアントの多くにご質問されます。創業期であれば、セミナー企画から事業を始めたため、セミナー企画会社と云われていました。或いは「機能性フィルム」をテーマとした書籍を国内で初めて発刊したことにより技術系出版社とも云われていました。 それらの声は、どれも正しくもあり、どれも正しくはないとも云えます。あらためて、弊社の基盤事業とは何かと云う問いに解を求められると我々はこう答えます。人・技術・市場の情報を原材料とする情報加工が基盤事業です。 分かり易く解説すると、弊社は単一の事業領域・形態に頼ったビジネスを基盤事業とはせず、時代に求められる「情報」を原材料に、「主催セミナー」「出版」「講師派遣」「技術コンサルタント派遣」「事業開発コンサルティング」「顧客主催講演会企画代行」「ビジネスマッチング」「市場調査」と云うクライアントが求める事業領域・形態に加工して提供する企業と云えます。 それが基盤事業であり、時代の変化と共にクライアントが求めるビジネスに加工して、これからも事業領域を広げていけるのが弊社の強みであると云えます。
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