超高純度CVD-SiC「ソリッド SiC」
超高純度CVD-SiC「ソリッド SiC」 http://www.ipros.jp/public/product/image/b3a/2000238095/IPROS5917614968674467253.png 【各種物性値】 ○結晶構造:β-SiC ○嵩蜜度(g/cm³):3.21 ○電気抵抗(Ωcm):1×10⁻²~1×10⁴ ○曲げ強度(Mpa):590 ○ヤング率(Gpa):450 ○熱伝導率(W/mK):250 ○比熱(J/g・K):0.67 ○熱膨張係数(×10ー6/K):4.0 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 東海カーボン株式会社 電子部品・モジュール > 半導体・IC > その他半導体
  • 半導体装置に最も適した材料!様々な用途で発揮されるソリッド SiC
    東海カーボン株式会社
    ソリッド SiCは、CVD法により製造される超高純度CVD-SiC製品群であり、高強度・耐熱性・耐プラズマ性・耐薬品性に優れており、半導体に最も適した材料と信頼されています。
    ソリッド SiCは、東海カーボン独自のCVD技術を応用し開発されました。
    半導体装置に最適化され、半導体の可能性を拡げる材料として期待されています。

    【特徴】
    ○CVD法により製造される超高純度CVD-SiC製品群
    ○優れた高強度・耐熱性・耐プラズマ性・耐薬品性
    ○半導体に最も適した材料
    ○幅広い様々な用途で高いパフォーマンスを発揮
    ○肉厚や大口径、複雑な形状など、さまざまな用途に対応

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基本情報超高純度CVD-SiC「ソリッド SiC」

【各種物性値】
○結晶構造:β-SiC
○嵩蜜度(g/cm³):3.21
○電気抵抗(Ωcm):1×10⁻²~1×10⁴
○曲げ強度(Mpa):590
○ヤング率(Gpa):450
○熱伝導率(W/mK):250
○比熱(J/g・K):0.67
○熱膨張係数(×10ー6/K):4.0

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よく使用される業種

産業用機械、機械要素・部品、電子部品・半導体、その他

カタログ超高純度CVD-SiC「ソリッド SiC」

  • 【掲載内容 ※詳しくはカタログをご覧ください。】
    ソリッド SiCは、CVD法により製造される超高純度CVD-SiC製品群であり、高強度・耐熱性・耐プラズマ性・耐薬品性に優れており、半導体に最も適した材料と信頼されています。
    ソリッド SiCは、東海カーボン独自のCVD技術を応用し開発されました。
    半導体装置に最適化され、半導体の可能性を拡げる材料として期待されています。

取扱会社超高純度CVD-SiC「ソリッド SiC」

○カーボンブラック・黒鉛電極・ファインカーボン・摩擦材および  工業炉・関連製品の製造、販売

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