株式会社日本シード研究所 バイアススパッタリング装置『SPR-014-B』
- 最終更新日：2019-06-12 10:58:06.0
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良好な絶縁膜形成を実現するバイアススパッタリング装置！
『SPR-014-B』 は、基板側にバイアスを印加しながら
スパッタリングを行い、絶縁層用の成膜が可能なロードロック式
バイアススパッタリング装置です。
ピンホール密度が低く、良好なステップカバレージ性を備えた
良好な絶縁膜形成ができます。
【特長】
■低いピンホール密度
■良好なステップカバレージ性
■次の電極層に有利な平坦性
・排気系はドライポンプと磁気浮上型TMPの排気システム
・基板側とターゲット(カソード)に高周波電力を同時に印可
・ロードロック式の1元スパッタリング装置（容易に基板セット可能）
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基本情報バイアススパッタリング装置『SPR-014-B』
【特殊仕様】
■絶縁層用カソード(1個)と電極層用カソード(2個)の計3元スパッタも仕様変更可能
(二酸化ケイ素SiO2や窒化ケイ素Si3N4,型式:SPR-015-B)
■排気系をクライオポンプに仕様変更可能
■膜厚計で制御して積層する仕様変更可能(型式:SPR-015-B)
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| 価格帯 | お問い合わせください |
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カタログバイアススパッタリング装置『SPR-014-B』
取扱企業バイアススパッタリング装置『SPR-014-B』
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【製品】 ■真空蒸着 ■スパッタリング ■薄膜形成 ■真空排気装置 ■核融合プラズマ ■トラップ電極 ■航空宇宙 ■真空チャンバ ■超伝導用成膜装置 (超伝導転移端センサ、ジョセフソン接合) ■各種製品 ■各種部品
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