チップ単体でのパワーデバイスを測定する動特性検査装置です。 ウェーハ状態での検査装置も多くの実績があります。
各種半導体（IGBT、P-MOS FET、SiC、GaN、Diode等）のウェーハチップ単体を対象とした動特性測定装置（AC特性測定装置）です。チップ単体での出荷検査や受け入れ検査をはじめ、パッケージ封止前の工程での動特性検査が可能になります。
基本情報ウェーハチップ単体用動特性検査装置
対象素子 N-Ch IGBT/P-MOS FET Diode
SW TIME VCC:1000V IC:1000A VG:±20V
VCE(SUS) VCC:1000V IC:2000A VG:±20V
VCE(SUS): 2500V
インダクタンス L:3μH～1mH
波形取得 D.S.O.
その他 パレット供給・分類収納機能
※本仕様は一例です。詳細はお問い合わせください。
| 用途／実績例 | 高精度な位置決めとプロービング技術によりチップ単体での動特性（AC特性）試験が可能に 新開発のコンタクト方式による低Ls測定を実現 |
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