チップ単体でのパワーデバイスを測定する静特性検査装置です。 ウェーハ状態での検査装置も多くの実績があります。
チップ単体での静特性(DC特性)試験装置です。
微小電流から大電力まで対応。
基本情報チップ単体用静特性検査装置
対象素子 N-Ch IGBT / IPM / MOS-FET / Diode
主な測定項目 IGES(±) (ゲ-トエミッタリ-ク電流)
VGE(off) (ゲート・エミッタ間遮断電圧)
ICES (出力段リ-ク電流)
VCES (出力段耐圧)
VCE(SAT) (出力段飽和電圧)
その他 ・測定条件の設定は HOST PC との間で対話形式
・測定デ-タはCSV形式で記録
・室温/高温測定
※本仕様は一例です。詳細はお問い合わせください。
用途/実績例 | チップ単体での静特性(DC特性)試験装置です。 微小電流から大電力までに対応するカスタム仕様です。 |
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